Способ получения инверсного слоя в антимониде индия

Номер патента: 859862

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Кейсевич, Медвецкий

МПК: G01N 1/36

Метки: изготовлении, микроскопии, отслоения, пленки-подложки, препаратов, электронной

...что значительно усложняет процесс, увеличивает расход формвара и увеличивает брак. Кроме того, необходимо каждый раз готовить свежий раствор формвара, тщательно контролируя и подбирая его концентрацию, при,этом для облегчения отслоения пленки-подложкиЭаказ 7536/64 Тираж 907 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал П 1 П "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 приходится спеЦиально испольэовать стекла с неровной поверхностью, что ухудшает качество пленки-подложки.Цель изобретения - упрощение способа и уменьшение брака.Указанная цель достигается тем, что при осуществлении способа отслое. ния пленки-подложки при изготовлении препаратов путем погружения...

Номер патента: 975744

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Левенталь, Литвинов, Масхулия, Персинин, Серебряков, Яровицин

МПК: C08L 33/10, G01N 23/225, G01N 25/14

Метки: исследовании, композиция, микроскопическом, пленки-подложки, полимерная, порошкообразных, электронно

...пленок является то, что при Оработе с большими увеличениями, когда требуется значительная плотностьтока электронного пучка, указанныепленки оказываются недостаточно устойчивыми и, кроме того, под действием дневного света они быстро делаются хрупкими и пребывание их насвету в течение нескольких часовдостаточно, чтобы пленки быстро разрушились в результате электронной р 0бомбардировки. Цель изобретения - улучшение стойкости пленки-подложки к электрон ному облучению и устранение агломерации частиц порошкообразных мате. риалов.Поставленная цель достигается тем, что полимерная композиция для пленки-подложки в электронно-микроскопическом исследовании порошкообразных материалов, включающая полимер и растворитель, в качестве полимера содержит...

Номер патента: 1251528

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Волгин, Гаврилюк, Иваницкий, Лазарев, Николаева

МПК: C12N 5/02

Метки: животных, клеток, культивирования, пленка, подложка

ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА ДЛЯ КУЛЬТИВИРОВАНИЯ ЖИВОТНЫХ КЛЕТОК, содержащая коллаген и связующий агент, отличающаяся тем, что, с целью улучшения пролиферирующих и физико-механических свойств подложки, в качестве связующего агента она содержит латекс натурального каучука, а коллаген используют в кислой форме при следующем соотношении компонентов, %:Коллаген - 10 - 99,5Латекс натурального каучука - 0,5 - 90

Номер патента: 1718004

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Гордиенко, Дзюблик, Кузьменко, Медвецкий

МПК: G01N 1/28

Метки: микроскопии, пленки-подложки, приготовления, электронной

...воды. Фторотан на требует предварительной очистки, достаточно быстро растворяет исходный материал для пленки и не обладает какими-либо токсическими свойствами. применяется в медицинскои практике как наркотическое средство (для наркоза). Это определяет доступность указанного вещества, Фторотан не имеет каких-либо токсических свойств и совершенно безопасен для персонала при использовании его в качестве растворителя, В этом его основные преимущества по сравнению с такими используемыми растворителями, как хлороформ, дихлорэтанили диоксан. Растворение формвара во фторотане осуществляется до тех же концентраций, что и для известных растворителей (до 10/О), При этом фторотан не требует какой-либо очистки, растворение формвара происходит...

Номер патента: 1019965

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Кухта, Ормонт

МПК: H01L 21/263

Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения

...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...