Орликовский

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1652515

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Орликовский, Плодухин, Попов, Спиваковский

МПК: E21B 34/06

Метки: бурильной, клапан, колонны, обратный

...канавкой17 и наружными боковыми треугольнымиканавками 18. 55Обратный клапан для бурильной колонны работает следующим образом,При работе клапана промывочная жидкость из бурильной колонны поступает вовнутренний канал обратного клапана со стороны переводника, проходит полость переводника 2 и воздействует на тарелку 7 клапана. отжимает ее и поступает в полость ниппеля 1, проходит кольцевой канал между тарелкой 7 и втулкой 10 и выходит в колонну труб(не показано), При прекращении циркуляции жидкости тарелка клапана пружиной поджимается к уплотнительной втулке и запирает клапан. предотвращая перетекание жидкости из затрубного пространства в турбобур (не показано).За счет наличия в полости нижней части корпуса цилиндрической втулки...

Номер патента: 1042049

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Бам, Богданов, Орликовский, Плодухин, Щавелев

МПК: G07C 3/14

Метки: ресурса, турбобура

...Раэница между расстояними К= К с - Кдает рабочий подъем вала ротора турбобура, т.е, определяет фактическоерасстояние между роторной и статорной системами в процессе бурения.Сочленение турбобура с новой шпиндельной секцией или вышедшей изремонта должно дать подъем валаКР до 10 + 1 мм. После очередного сдолбления на устье производят контрольный замер расстояния К и определяют рабочий подъем вала КР. Шпиндельная секция считается годной к работе при обеспечении подъема валатурбобура до КР = Кс - К,д больше2 мм, т.е, необходимо производитьзамену шпиндельной секции при расстоянии от роторной системы до статорной,равными 2 мм и менее.( П р и м е р 1 , Три собранные турбинные секции нового турбобура типа ЗТ СШ -195 ТЛ устанавливают на...

Номер патента: 963098

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Голик, Елинсон, Орликовский, Пашинцев, Перов, Топешкин, Шмелев

МПК: G11C 11/42

Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент

...первого ивторого полевых транзисторов,На чертеже показана принципиальнаяэлектрическая схема оптоэлектроннойячейки памяти (где Т и Т -первый ивторой полевые транзисторы; Т 3 и Т 4 первый и второй двузатворные полевыетранзисторы; О, Р и Э 3 - первый, второй и третий фотодиоды; Э, и 1) - первыйи второй светодиоды (диоды Ганна), Я,Й и Р - первый, второй и третий нагрузочные резисторы),функционирование оптоэлектронногоэлемента памяти в режимах записи, хранения и считывания информации происходит следующим образом,При записи "1" ("0) световой импульс подается на фотодиод 0 (Р), чтоприводит к погяжению потенциала ячейкизаписи и установлению триггера в устойчивоесостояние,соответствующее 1"( 0"). "1После снятия светового импульса сфотодиода Р.,...

Номер патента: 955202

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, полупроводникового, устройства

...для полупроводникового запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсявведениемшунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых 5подключены к соответствующим разрядным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом наКопителя.На чертеже представлена блок-схема 0накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Накопитель содержит массив элемен.тов 1 памяти, соединенных адресными2 и разрядными 3 шинами, генераторы4 тока, управляющие элементы 5, вы. -полненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах,Схема работает следующим образом,В режиме хранения ток, задаваемыйгенераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всехэлементов памяти. В режиме считываниявыбор...

Номер патента: 942150

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...которых соединены с эмиттерами транзисторов 4 и5, а катоды - с коллекторами.35Элемент памяти работает следующим образом.В режиме считывания информации равные токи считываниявтекают из разрядных шин б и 7 в элемент па 40 мяти. Предположим, что элемент памяти находится в состоянии, когда транзистор 5 насыщен и коллекторным током насыщает транзистор 1, Тогда транзистор 2 работает в нормальном45 активном режиме, но ток через него практически отсутствует, так как напряжение на-И-переходе эмиттербаза этого транзистора равно напряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора 1. Транзистор 4 также работает в нормапьном активном режиме. Ток через диод 9 практически отсутствует, так как напряжение на диоде равно напряжению между...

Номер патента: 853143

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Аронин, Курбатов, Маслюков, Мешков, Орликовский, Рабинович, Сигалов, Цамалашвили, Шермергор

МПК: F02P 3/04

Метки: двигателявнутреннего, зажигания, сгорания

...зажигания.Система зажигания состоит нз источни ка 1 постоянного тока - аккумуляторноибатареи, преобразователя 2 напряжения, накопительного конденсатора 3, тиристорных ключей 4 с элементами запуска, индукционных датчиков 5 высоковольтных трансформаторов и вращающегося синхронно с двигателем ротора 6 с магнитными ькладышами. Индукционные датчики 5 с магнитным ротором 6 образуют бесконтактный распределитель зажигания. Датчики 5 вы соковольтных трап:форматоров имеют по3две обмотки, выполненные на ферромагнитном сердечнике с башмаками 7.Система работает следующим образом, Постоянное напряжение от аккумуляторной батареи 1 поступает на преобразователь 2 напряжения, где преобразуется в более высокое постоянное напряжение и заряжает...

Номер патента: 710075

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Гладков, Орликовский, Орлов, Савенков, Сергеев

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающих, интегральных, матричный, накопитель, устройств

...потенциала. Резистор 6, соединенный с источником питания Е, другим выводом подключен к адресной шине 9 элемента памяти 7. Другая адресная шина 10 элемента памяти 7 соедичена в точке 11 с анодом диода 8, катод которого соединен с шиной нулевого потенциала. По разрядам элементы памяти матрицы объединяются разрядными шинами 12 и 13. Выводы элемента памяти 7, соответствующие разрядным шинам, не задействованы.Устройство работает следующим образом.Рассмотрим для примера работу строки с шинами 2 и 3, (другие строки идентичны ей). В режиме хранения информациитранзистор 4 работает в активном режиме,и ток 1, равный коллекторному току транзистора 4 задается в шину 3. При этомчерез шину 2, и резистор 5, протекает ток1, Через шину 9 и 10...

Номер патента: 627541

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Баринов, Орликовский, Подопригора

МПК: G11C 11/40

Метки: динамический, памяти, элемени

...фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предлагаемогоДЭП, пв фиг, 2 - временная диаграммаего работы.ДЭП содержит и-р-л транзистэр 1,барьерную емкость 2 базо-коллектэрногор-тт-перехода (емкость хранения); диод3, словарную шину 4, разрядную шину 5.К слэварной шине подключены эмиттертранзистора и внэд диода, катод диэдаподключен к базе транэистэрв, а к эллектэр пэследнегэ - к разрядной шине.На диаграмме обозначены:О - изменение напряжения не словарной шине4, б - изменение напряжения на разрядной шине 5, в - изменение тока в разряднэй шине 5,Предлагаемый элемент памя ет следующим эбразэм,На этапе записывается ед это время пэвышается н варной шине 4 и пэнижа гэй шине 5, открывается диод и заряжа627541 Составитель Н....

Номер патента: 613405

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Орликовский, Сергеев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...к общей шине источника нтания Е, обеспечивают режим работы усилителей считывания. Источник тока 17, подклю чснный к шине 18 строки элементов памяти, обеспечивает ренским питания строки.ЗУ работает следующим образом.В режиме хранения информации через транзисторы 1 и 2 токи не протекают, По этому потенциалы шин 10 и 11, являощихся выходами сигнала считывания, равны высокому уровню напрякения и равны между собой. При считывании информации потенциалы баз транзисторов 1 и 2 на шп нах 3, 4 равны и выше потенциала базы включенного транзистора в невыбранном элементе памяти. Потенциал базы включенного транзистора выбранного элемента памяти выше, а потенциал базы выключенно го транзистора ниже потенциала баз транзисторов 1, 2, Будем считать для...

Номер патента: 613404

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Орликовский, Сергеев

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее

...по структуре и топологии, поэтому практически равные токи поступают в разрядные шины 5 и 6, Поскольку в шины 12 других разрядов ток не поступает, соответствующие разрядные усилители не потребляют мощность.При считывании информации уровни напряжения шин 3, 4 на базах транзисторов 1 и 2 равны и должны быть выше потенциала базы включенного транзистора в невыбранном элементе 13 памяти. Уровень высокого напряжения на шипе 14 при выборке таков, что потенциал базы включенного транзистора выбранного элемента 13 выше, а потенциал базы выключенного транзистора ниже потенциала б аз тр а из и сторон 1, 2.Будем считать, что хранению логического О соответствует такое состояние элемента, при котором транзистор элемента 13, связанный с шиной...

Номер патента: 561282

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Ильчинский, Орликовский

МПК: H03K 1/18

Метки: генератор, импульсов, многоканальный, программируемый

...и программно-управляющее устройство;,аналоговые выходы которого подсоединены к управляющим входампервого и второго устройств задержки, введены элемент И, один вход которого подключен квыходу второго устройства задержки, икаскад компенсационной задержки, выполненный на 2 элементах управляемой временной задержкивход которого подключен кточке соединения первого и второго устройств задержки, а выход соединен со вторымвходом элемента И, причем первое устройство задержки содержит 2 и элементов .управляемой временной .задержки, а второеустройство задержки содержит 2 и + 1 элементов управляемой временной задержки.На чертеже представлена блок - схемамногоканального программируемого генератора импульсов,Генератор содержит запускающий генератор...

Номер патента: 559453

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Мошкин, Орликовский

МПК: H04N 5/30

Метки: матричное, фотоприемное

...схема предлагаемого матричногофотоприемного устройства,Устройство содержит фотоприемники 1 снакоплением заряда, подключенные к соответствующим словарным 2 и разрядным 3шинам матрицы, и нагрузочные элементы 4,подключенные к разрядным шинам 3. Параллельно каждому нагрузочному элементу подключен конденсатор 5, к соответствующимобкладкам которого подключены коллектоги эмиттер транзистора 6, база которогоподключена к управляюцей шине 7,Устройство работает слелуюншм Об 11 зк. Опрос каждого слова матп 1 н 1 ы Осу 1 нествляется путем подачи электрического им. Скучка 12 Тираж 815 Государственного комитета Совепо делам изобретений и отк 035, Москва, Ж, Раушская 3201 ИИП Подписноета Министров Срытийнаб., д, 4/ 5 илиал ППП "Патент", г,...

Номер патента: 483710

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Баринов, Контарев, Крамаренко, Мошкин, Орликовский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...диффузионными областями, Такая ячейка памяти изготовляется в одном изолированном кармане в эпитаксиальной пленке п-типа со скрытым сильно легированным и+-слоем, расположенной на подложке р-типа проводимости, В эпитаксиальной пленке созданы базовые и инжектирующая области р-типа, причем каждая базовая область содержит по две коллекторные области. Скрытый п+-слой расположен под всей структурой и служит сильно легированным эмиттером п - р - п-транзисторов, которые в этом случае работают в инверсном режиме. Низкая помехоустойчивость известной структуры обусловлена наличием больших паразитных токов в разрядных шинах,Целью изобретения является разработка структуры ячейки памяти, совмещающей триггерные транзисторы с высокими инверсными...

Номер патента: 344504

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кравченко, Орликовский, Панасенко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...к анодному электроду 9, управляющие электроды 10 и П записи подключаются к шинам слова (А) и разряда (В) соответственно, по которым поступают импульсы записи и разрушения информации (см. фиг, 2).Управляющий электрод 12 считывания подключается к шине считывания слова (С), а с емкостного электрода 13, который подключен к выходным шинам разрядов (0), снимается хранимая информация; 14 - изолирующий слой для емкостного контакта (на фиг, 1 Б означает омический контакт).При записи, например 1, на управляющие электроды 10 и 11 по шинам слова (А) и разряда (В) поступают импульсы противоположной полярности, в результате чего в области полупроводника между управляющими электродами 10 и 11 создается критическая напряженность электрического поля Е.,...

Номер патента: 343299

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березин, Ваганов, Кузьмин, Мочалкина, Онищенко, Орликовский, Першенксн

МПК: G11C 11/39

Метки: 343299

...записи; в-третьих, компонентов в элементе велико. Принципиальная электрическая схема интегрального тири стори ого элемента памяти представлена на чертеже.Интегральный тиристорно-резисторный эле мент памяти состоит из тиристоров, двухтранзисторов и двух резисторов.Тиристор 1 подключен коллектором к источнику питания 2, эмиттером через резистор 8 - к словарному входу считывания 4. Транзи стор записи 5 подключен коллектором к р-базе тиристора, элтиттером - к разрядному входу б, базой через резистор 7 - к словарному входу записи 8, Транзистор считывания 9 подключен коллектором к разрядному выходу 10, 15 эмиттером - к эмиттеру тиристора, базой вшине 11 нулевого потенциала.В режиме хранения информации на словарном входе записи, на разрядном...