Способ легирования пластин кремния

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1778819

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Карпов, Карпова

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, объемного, полупроводниках, примесных

...подключения испытуемого об разца (фиг. 2) показаны: диафрагма 1, игольчатые электроды 2, испытуемый образец 3,область рекомбинации 4, инжектирующее излучение 5,.линии электрического тока 6;Реализуется способ следующим образом. В зависимости от требуемого уровня инжекции задаются количеством свободных носителей заряда примеси в зоне проводимости полупроводника и пользуются вь 1 раже нием где и - количество свободных зарядов примеси в зоне проводимости полупроводника, А - константа, численно равная количеству связанных носителей заряда с энергией активизации Еи, К - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, определяют требуемую температуру образца,Присоединяют испытуемый образец 3 к источнику тока при помощи игольчатых электродов...

Номер патента: 1561026

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Ермоленко, Лазарева, Свиридова

МПК: G01N 27/26

Метки: анализа, ионов, неорганических, носитель, пленочный, разделения, электрофоретического

...достаточная разница величин смещения ионов Сц + и Со +. Так для ионов Сц 1 фна пленке поливинилового спирта смещение после 30 мин набухания пленки в растворе ацетатного буФера (рН 5) составляет 1,1 а иона Со 2, 0 см. Этого достаточно как для качественного, так и количественного определения ионов, На ацетатцеллюлозной пленке смещение в этом случае незначительное (0,2 см). Таким обраминимальное, время набухания пленок поливинилового спирта в растворе электролита может составлять 5-10 мин,Для определения минимального времени проведения электрофореза .на пленке поливинилового спирта проводили анализ при различном времени электрофореза (рН 5).П р и м е р 4-43 Способ электроФоретического анализа проводят на пленке поливинилового спирта,...

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...

Номер патента: 1786542

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Карплюк, Новосядлый

МПК: H01L 21/66

Метки: доз, ионного, легирования, малых

...цель достигается тем, что вспособе определения малых доз ИЛ, включающем измерения неравновесных импульсных ВФХ предварительно легированнойтестовой МДП-структуры, предварительноелегирование тестовой структуры осуществляют ионной имплантацией примеси, создающей тип проводимости, противоположныйтипу проводимости подложки до концентра. ции, равной или большей концентрации.примеси в подложке, ВФХ измеряют на легированной контролируемой дозой примесии нелегированной частях тестовой структуры, прикладывая к тестовой структуре импульсы пилообразного напряжения соскоростью развертки 10 -10 В/с и с поляргностью, переводящей поверхность этойструктуры из состояния инверсии (обеднения) в состояние обогащения основныминосителями подложки...