Патенты с меткой «ионолегированных»

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...