Патенты с меткой «кристаллических»

Номер патента: 13194

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкий

МПК: C30B 9/12

Метки: детекторов, кристаллических, сплава

...сплао п. 1, авляют кислоту выполнения способ я тем, что в массу пр ением вольфрамовуТип. Гидрогр. Упр. Управл. В.-Ы, Сил РККА, Ленинград, здание Гл, Адмиралтейст Наилучшие кристаллы Галена получаются лишь тогда, когда окончание сплавления устанавливается точно, так как переплавка дает недетектирующий материал, что сильно повышает процент брака; недоплавленные же кристаллы Галена очень неустойчивы к внешним реагентам идетектирующие свойства их быстро теряются при работе, Предлагаемый способ имеет целью получать сплав, не боящийся переплавки и дающий устойчивые детектирующие кристаллы путем сплавления массы, состоящей из серы, глета, азотно-кислого серебра и буры, в которую перед плавкой прибавляют вольфрамовую кислоту.Способ состоит в...

Номер патента: 13378

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкая

МПК: C30B 9/12

Метки: детекторов, кристаллических, сплава

...дополнительного патента простирается на срок до 81 марта1945 года.Предмет патента,Тип, Гидрогр. Упр. Управл. В.еМ. Сил РККА. Ленинград, здание Гд, Адмиралтейства. В патенте М 13194 описан способ получения сернистого свинца.для радиодетекторов нагреванием смеси окиси свинца, серы, азотнокислого серебра и буры. Получаемые этим способом кристаллы быстро изнашиваются и темнеют. С целью устранения этого недостатка, по вредлагаемому способу получения сплавадля кристаллических детекторов к указанным компонентам добавдяют металлического мышьякаилимышьяковистого ангидрида.Предлагаемый способ состоит в следующем:На 100 весовых частей свинцового глета берут 20 - 25 в. ч. серы, 5 - 20 в, ч, азотно-кислого серебра (ляпис), 10 - 20 в, ч....

Номер патента: 24802

Опубликовано: 31.12.1931

Автор: Мейснер

МПК: H03H 3/02

Метки: кристаллических, пьезоэлектрических, тел

...во время падения в расплавленном состоянии на подставку ориентируют так, чтобы полярные моменты в отдельных частицах порошка устанавливались параллельно и одинаково; тогда, при падении на подставку, при затвердевании отдельных частиц и при сплавлении их, моменты всех элементов будут параллельно и одинаково направлены и останутся в этом положении и после затвердевания. У некоторых веществ для ориентирования частиц порошка достаточно подвергнуть их очень сильному нагреванию, так как в отдельных элементах возбуждаются пироэлектрические моменты и сами элементы являются носителями поля. Но наиболее действительный способ заключается в том, чтобы во время падения подвергкуть частицы порошка действию ориентирующей силы электрического поля.Этот...

Номер патента: 76654

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Штернберг

МПК: C03B 7/02

Метки: блоков, выращивания, кристаллических

...кристаллический блок 1 одним своим концом соприкасается с быстро движущейся (3 - 4 м в секунду) резиновой лентой 2.Движение ленты обеспечивается ведущим шкивом 3 и четырьмя направляющими роликами 4, Рабочая поверхность ленты, омывается свежим раствором при соприкосновении ее с вращающимся в обратном направлении валиком 5, частично опущенным в нагретый до температуры 40 - 45 С слегка .недосыщенный раствор.Избыток раствора с валика 5 и ленты 2 снимается резиновыми совками б,Смоченная горячим и почти насыщенным раствором движущаяся лента обдувается струей воздуха, например при помощи вентилятора 7, В результате частичного испарения,растворителя и охлаждения раствор,на поверхности ленты стано. вится насыщенным и в таком виде приходит:в...

Номер патента: 81754

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Глаголев

МПК: G01N 21/01, G02B 21/00, G02B 21/26 ...

Метки: горных, зерен, кристаллических, микроскопу, объектах, ориентировки, подобных, породах, преимущественной, пространственной, способа, тому

...ОКОП ЧИВ анаЛИЗ ШЛИфа, ПОЛОС(Ъ С О51 сггкаМСНИЪс 107 С КОЛЬЦа И НВКЛЕИ В 310 т на ОУл 3 ГУ.л 1 ес 3 сцент) Дси, на ко, ОРОЙ Располо)ксны точ ки Отметки, П 21 ц)авле 1 с ОдО; пз с" Орон Ори "П 11 ЙОВаннОГО и:ифа, и Опредюяю Г направлеи ъ 21 ссм мо СгущенЙ) поое(циЙ некто эОВ. Для последпсЙ ,ели Рсз ИОльцеБУ 10 дпаГ)э ах )1 накладывают ппо 3)ас 1 ПЬЙ ТРБНСПО;,)ант, 22,1 ЕЛ 5 ЮЩИИ ВСЕ П)ОСТРЯСТВО ДсиаГРВЪЪЫ На СЕКТОРЫ (НВП)РЪ 1 СР, ПО ) ), л К;КДСЪ: СОК РОГ)с 170 ДСИТЫвс 1 ОТ сИСЛО ТОЧЕК И СтРОЯт ГРсфИ;, Б (ОТОРОЪ Ца ОСИ 3 ОСЦПСС ОтЛОЖЕПЫ ЧИСЛа ГЭ 2 ДуСОБ КОЛ ЬП СБОЙ дна Г)Э ам МЫ, а 3 О,Эд 1 атах - ЧИСЛ 2 ТОЕк. Г р 2- фИКР 1 ОЗ)ОЛ 5 ЮТ БЕСЬЪс Ъ доб 1 О с сЛИЗ 1)ОвсТЬ )с 1 СП)Сде, С С ТосЕК ПО КОЛЬцЕБОЙ дс рсМЪ.С И ПсХ,С 1 Ь МЗХСПМуЛ 1 1...

Номер патента: 89684

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Гранитова, Удовенко

МПК: A01N 43/40, C07D 401/04

Метки: борьбы, вредителями, кристаллических, культур, медноанабазиновых, препаратов

...СцС 1.Ан Х 2 НС ы и прибавляют 102. Затем при комнатно приливают 100 г ана тепла После упарерут кон- темвания дс, н авве нндсои Ан вГннацается анабааш:.89684раствора больше чем наполовину из него выкристаллизовывается соединение в виде желтых кристаллов. Выход соли около 180 а,Для получения ф и о л е т о в о г о соединения состава Сц(ХОз 1 Х Х 4 АнХ 4 НКОз растворяют в 25 лг,г воды 37 г Сп (ИОз) ХЗНО и к этому раствору приливают 43 мл концентрированной азотной кислоты уд. в, 1,40. Затем при комнатной температуре и непрерывном помешивании к этой смеси приливают 100 г анабазина, Реакция идет с выделением большого количества теплоты После охлаждения до комнатной температуры выкристаллизовывается образовавшееся соединение в виде фиолетовых...

Номер патента: 96421

Опубликовано: 01.01.1953

Авторы: Грибов, Пужаи, Улановский

МПК: H01L 23/52

Метки: детекторов, кристаллических, настройки

...времени откл 1 очеция электродьцгателя, а следовательно, определяетсявремя, пройденное с момента соприкосновения кристалла с иглой в детекторе до момента остановки электродвигателя и штифта, ц тем самым -величина сжатия пружины контактной иглы и контактное давление,После смены детектора оператор нажимает кнопочный выключатель К. При этом реле Р, деблокируется и его контакт К 1 замыкает цепьреле Р, которое включает электродвигатель в ве процесс повторяется.Конструктивно предлагаемое устройство выполнено в виде рычажного пресса, состоящего из рычага 1 с кулачком 2, сидящим на оси 3 иупирающимся в выступ 4 поршня 5, снабженного возвратной пружиной б,станины 7 и конуснсй стойки 8 с гетинаксовым вкладышем 9 и контактным лепестком...

Номер патента: 99386

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Иоффе

МПК: G01B 11/06, G01B 9/02

Метки: доводки, интерференционно-поляризационных, кристаллических, пластин, процессе, светофильтров, толщины

Номер патента: 104840

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Поздняков

МПК: H03H 9/05

Метки: кварцевых, крепления, кристаллических, металлизированных, резонаторах, элементов

...т/)С 1- КР Ц,( Гт нтССКГ;ССИ 013С", ,.,;ЦГ ГГ 51 ЭЛССТР И Со 3 :а;Л 1;"Г т ГСТГК 7)т:)ОЦЛТОРО 3 П 3 С;17 ГЛ- тс 5. ПРцплц 1)ать к краи 3 КРИСлплц сокГО э,смсцта не коцнь струн,1 С; ООЫЧЦЫК КОНС.Р 3 КН.7 Л;. а. )С ППГ)кт тЛ;ТЬ СТУ;Ц КОЦт)Ы".С Г:0) Г,;т;.;, . я=, ,тт,т 3 ОГтт ОНОВрЕ 3 СННО СЛужцтЬ и: рО- ВОДЦКЛ 31, СОЕгЦНЯОЫ.:.тН ЭЛЕКТРО- ды кристаллцческого элемснзл с Э,ГО 3 СЦТЛ 3 П 1)ПСЦ)НСЙ С .СМН.т 1 Л )ЦГУЛ: ПР 11 ВЕДСНЫ П;)ЦСоЯ 003 СС "13 "Стт ПРС.тЛОСяСТО 3 Ы Кт "ГС 115 Кт) Г, т.Ц 531;К ЭГСГСЦ.1 ПЛ )ЦГ.ЦттГЗ,.17) К".ЦГГС;1:Гс -,ЛС)СЦ Г(1, От 1:(цт 1,: 0 тт,10)ГГ,Г:Г,я Г.:пцс; Гл 6)пг.;Рспгсццс -лс)ЛГЯ 7 КС:1:Я - СГ Г 5: Гт) Л: С. Л ип.- РтГ. Гс 1 о э, с)сцГ(1. СО 11).о 110 е ОРС 1 1 5 1 Й воЙ части к криста;1 личсскому...

Номер патента: 116815

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Каленов, Стожаров

МПК: C30B 1/04

Метки: кристаллических, тел

...из соответствующей защитной атры близкой к температуре их ка кристалла. Для изготовления крупных кристаллических тел (изделий) выращивают обычно из соответствующих растворов крупные кри таллы, из которых затем вытачивают изделия требуемой величины,Недостатком такого способа является сложность и длительность выращивания кристаллов, а также значительнь 1 е технологические отходы при обработке их.По предлагаемому способу образованис крупного кристалла осуществляется спеканием мелких кусков кристаллического вещества. Процесс спекания заключается в следующем. Куски спекаемого кристалла полируются так, чтобы образовалась небольшая выпуклость, затем их накладываот друг на друга и нагревают в вакуумной или защитной атмосфере, например,...

Номер патента: 117320

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Фогт

МПК: G11C 11/41

Метки: высокочастотной, коррекции, кристаллических, плоскостных, схем, триггерных, триодах

...импульс тока ускоряет заряд паразитных емкостей и уменьшает время рассасывания неосновных носителей в материале базы закрывающегося триода. Предмет изобретения Способ высокочастотной коррекции триггерных схем на плоскостных кристаллических триодах, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения характеристик триггера, импульсный трансформатор включен непосредственно между коллекторными цепями противоположных плеч триггера, образуя дополнительную положительную обратную связь,рг 1УГ Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССРактор Е. Г. Гончар Гр, 17 Поди. к печ. 18.111-59 г,ираки 760 Цена 25 коп. нформационно.издательский отдел.бьем 0,17 п. л. Зак. 1585 ипографив Комитета по делам изобретений и открытий при...

Номер патента: 118905

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Куликов

МПК: H01H 47/32

Метки: кристаллических, поляризованное, реле, триодах

...9 - 15 и диоды 1 б - 19 образуют контур нелинейной обратной положительной связи, путем включения нелинейных участков эмиттерных и коллекторных цепей в контур основного моста. Таким образом, обратная связь вводится одновременно через эмиттерные и коллекторные цепи выходных каскадов и коэффициент передачи с выхода на вход при разных положениях ползунка остается постоянным,Термосопротивления 20 - 23 в совокупности с сопротивлениями 24 - 27 образуют контур термостабилизации, позволяющий компенсировать изменение напряжения источника питания при колебаниях температуры.Использование сдвоенных щеток на потенциометрах позволяет осуществить компенсацию равномерно по всему потенциометру, исключив погрешность от геометрического...

Номер патента: 121240

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Иоффе

МПК: G01B 11/06, G01B 9/02

Метки: доводки, интерференционно, кристаллических, пластин, поляризационных, процессе, фильтров

...4 и 5. Излучение с длиной волны , для которой изготовляется интерференционно-поляризационный фильтр, выделяется с помощью светофильтра б или монохроматора из пучка света, подаваемого от источника 7. Полученное излучение направляется в термостат через линзу 8 и поляризатор 9. Световой поток, выходящий из термостата, направляется через анализатор 10, врашаюшийся от электродвигателя 11, и линзу 12 на приемник излучения 13. Отсутствие модуляции достигается поворотом компенсатора 2; при этом угол поворота -;, отсчитываемый по шкале приемника излучения, дает значение дробной части порядка интерференции. Так как круговая поляризация получается, когда дроб121240 ная часть порядка интерференции при совместном действии пластин 1 и 2 равна 0,25 1...

Номер патента: 127997

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Мирский

МПК: C01B 33/26

Метки: адсорбентов, кристаллических, молекулярных, сит

...в 1 в течение 2 - 5 суток; наилучшие результаты получают при 85 - 99 и продолжительности кристаллизации 4 - 5 суток. Для приготовления гидрогеля щелочной раствор алюмината натрия с модулем 1,5 - 1,7 и содержанием А 1,0 з 100 - 110 г/л смешивают с 2 н. раствором силиката натрия с модуле.,1 3,0 - 3,3.После проведения процесса кристаллизации полученные кристаллы отмывают дистиллированной водой от избытка щелочи и после высушивания эти кристаллы представляют собою молекулярное сито с диамс ором пор 4 А.Для получения молекулярного сита с размером пор 5 А криста.тлы после промывки водой обрабатывают раствором хлористого кальцияМ 12997 Предмет изобретения Способ получения кристаллических адсорбентов - молекулярных сит для избирательной...

Номер патента: 132837

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Гегузин, Шпунт

МПК: B29D 11/00, G02B 1/02

Метки: кристаллических, оптически, пластинок, прозрачных, сцинтиллирующих, тонких

...порошков или путем шлифования монокрпсталла не позволяют получать качественных пластинок и весь. ма трудоемки,Описываемый способ дает возможность получить пластинку со стабильной оптической прозрачностью и сцинтиллирующими своиствами. Для этОГО монокристалл помещают мен(ду двумя параллельными плоскостями прессового устройства, имеющего ограничитель для обеспечения заданной толщины пластинки, Устройство подогревают до температуры, близкой к темпеоатуре плавления данного вещества, По достижении заданной температуры и монокристаллу прикладывают нагрузку, под действием которой происходит его пластическая деформация. После охлаждения прессового устройства из него извлекают образе 1, Полученный таким образом кристалл измененной формы...

Номер патента: 149153

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Пашкевич, Самохвалов

МПК: H01L 21/33

Метки: диффузионных, кристаллических, триодов

...р загружа Известен оподов типа р - и -вые сопротивленпряжения,Предлагаемских триодов отлной на ней рискобразования эмися в атмосферения диффузии клективное травлреходами.Такой спасо особ изготовления диффузионных кристалличе ся использованием пластинки германия с нанесен которую вносятся вещества, предназначенные для ого и базового контактов. Диффузия производит да при повышенной температуре, а после оконча одам припаиваются контакты и производится се ерманиевой пластинки с полученными на ней пе149153 Предмет из обретения Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р - и - р, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что для упрощения технологии производства на пластинку германия наносится риска, в которую вносятся...

Номер патента: 179077

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Голдинов, Горелов, Ефременков, Зверев

МПК: G01N 25/02

Метки: испытания, кристаллических, полимеров

...плотностизначно опреде аетнестьа с,н бразн зность температу о 4,4 4,6 5,2 2,172,1752,1752,18 5,3 5,3 5,5 5,55,8 6,1 6 7 2,185 2,185 2,19 2,19 2,21 тношенпе максир для образцовсти этих же обной ранее. В таблице приведено соо мальной разности температу данных испытаний и плотно разцов полимеров, определе Предлагаемый способ отличается тем, что степень кристалличнссти определяют по теплоте кристаллизации полимера. Для этого образец кристаллического полимера, например фторопласта, помешают в канал электронагревателя. После ьыдержки образца при 370 С его охлаждают со скоростью б град/мин, непрерывно регистрируя при этом на кривой охлаждения температуру образца. Оценку теплоты кристаллизации устанавливают по величине максимального отклонения...

Номер патента: 219553

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Асылгареева, Глушков, Сафин

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, действия, кристаллических, непрерывного, осадков

...рического корпуса, К каждому ряду каналовприсоединяются концентрично трубы: внутренняя 11 и наружная 12, Соответственно через эти трубы и подаются растворы, Труба 12 служит одновременно валом для вращения раз брызгивателя и мешалки 7, Их вращение осуществляется через шкив 18, а вращение трубы 3 с мешалкой 2 - через шкив 14. Внутренняя полость нижней трубы 3 через переливные окна 15 соединяется с кольцевым пространством, образованным этой трубой и корпусом аппарата. В верхней части корпуса расположен разгрузочный патрубок 1 б. Для периодической очистки и промывки аппарата от содержимого служит патрубок с краном 17, а для отвода образующихся в процессе осаждения газов (углекислый газ) - воздушники 18 и 19. Корпус аппарата снабжен...

Номер патента: 265550

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Всесоюзный, Корчагин

МПК: G01N 3/32

Метки: испытания, кристаллических, прочность, сыпучих

...иотражателем, последний можно установить сзазором, превышающим максимальный размер 0 кристаллов.На чертеже изображено предлагаемое уст.ройство, разрез.Устройство состоит из капсулы 1, крышки2, зафиксированной на капсуле штырями 8, 5 отражателя 4 и привода, с которым капсуласвязана при помощи полого вала б и звездочки б. Внизу вал 5 входит в обойму 7 с подшипниками 8. Отражатель 4 закреплен на оси9, имеющей квадратный хвостовик 10, кото рый фиксируется в основании 11. Там, гдеось входит в капсулу, установлен подшипник12 с фетровой уплотнительной прокладкой18 и прижимным кольцом 14.Для предотвращения раздавливания кри сталлов между цилиндрической частью капсулы и кромкой отражателя 4 образован зазор, превышающий размер кристаллов.Для...

Номер патента: 268374

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Махновский, Новиков, Панов, Пивнева, Прис

МПК: B01D 9/00, C01C 1/16

Метки: кристаллических, солей

...продукта после центрифугования(10 мк Без добавки0,0050,010,0250,05 0,09 0,19 0,24 0,28 0,28 44,4 41,4 40,8 39,2 37,5 0 5 15 15 17 60 20 16 10 8 40 75 69 75 75 3Из приведенной таблицы видно, что отношение твердой и жидкой фазы в сгущенной суспензии при применении продукта щелочного гидролиза полиакрилонитрила значительно выше, чем,с применением тетратиосульфатокадмиоата натрия или без добавок, что характеризует увеличение скорости кристаллизации; Понижается также влажность продукта, изменяется фракционный состав, что выражается При кристаллизации бикарбоната натрия тетратиосульфатокадмиоат натрия не оказывает модифицирующего действия. Анализы показывают, что в присутствии модификатора- продукта щелочного гидролиза полиакрилонитрила...

Номер патента: 288880

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вольфганг, Гюнтер, Клаус, Хайнц, Ханс

МПК: B01D 9/02

Метки: водных, кристаллических, растворов, солей

...остается в пределах, допустимых для предотвращения самопроизвольной кристаллизации, а кристаллизацией можно управлять, Перссыщснпс уменьшается в процессе кристаллизации за счет роста уже имеющихся или немногих образующихся кристаллов, как это известно из принципов кристаллизации, основанных па охлаждении или испарении. Получаются хорошо оформленные крупные кристаллы или агломераты кристаллов, которые легко можно отделять от раствора, содержащего органический компонент,Кристаллический продукт, образующийся на отдельных ступенях кристаллизации, удаляют на той ступени кристаллизационной аппаратуры, на которой самая низкая концентрация органического компонента и на которую подают свежий раствор и выходящий кристаллический продукт в...

Номер патента: 295067

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Хацернов

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллических, образцов, рентгеновского

...пучка целесообразно увеличивать соотношение расстояний фокус - образец, образец - пленка,В случае поликристаллического крупнозернистого образца от каждого кристаллита, находящегося в просвечиваемом объеме, формируется отдельная лауэграмма, размеры пятен которой зависят от размеров кристаллита н геометрии съемки. Полная дифракционная картина, возникающая при этом, состоит из наложенных одна на другую10 15 20 25 30 35 лауэграмм, число которых равно числу крпсталлитов в просвечиваемом объеме.Контроль мопокристалличности образца предложенным способом проводят, сопоставляя форму и размеры лауэ-пятен рентгенограммы с формой и размерами освещенной площади образца. В случае соответствия этих параметров образец является...

Номер патента: 300481

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Америк, Иванюков, Крендель, Крымов, Петрова, Штейнбак, Якобсон

МПК: C08F 297/02

Метки: блок-сополимеров, кристаллических

...мономера 80 вес, %), повышают температуру до 70 С и вводят каталитический комплекс, состоящий из 0,4511 г Т 1 С 1 з) (б-формы алюмотермического восстановления) и 1,2703 г Е 1 гА 1 С 1 (98%) . Начальное давление 30 атлт. Полимеризацию пропилена ведут при перемешивании в течение 120 лтин, затем вводят 0,9 л этилена и продолжают полибтеризацию еще 30 лшн. При этом звенья этилена присоединяются к живым концам макромолекул полипропилена, и образуется блок-сополимер. Реакцию прекращают подачей 500 мл сухого изопропилового спирта. Суспензию выгружают из автоклава, отфиль300481 Предмет изобретения Составитель В. Г, филимоновРедактор Л. К. Ушакова Техред Е, Борисова Корректор Т. А. Абрамова Заказ 1356/10 Изд. Уо 595 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ...

Номер патента: 314121

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Головин, Мансуров, Михайлов, Поленов, Рычков, Федоров

МПК: B07C 5/16, G01N 15/02

Метки: агрегирования, кристаллических, продуктов, степени

...продукта до и после разрушения агрегатов подвергают разделению на фракции, например, в восходящем потоке дисперсионной среды. Колебание в размерах частиц фракции составляют 10 лк. Это позволяет характеризовать каждую фракцию среднеарифметическоп величиной граничных значений.Сравнение гранулометрического состава продукта до и после селективного разрушения агрегатов дает возможность судить о степени агрегирования. По уменьшению вчса крупных и увеличению веса мелких фракций можно представить характер агрегатов продукта: построены они из множества кристаллов или из единичных.Расчет степени агрегирования производятующнм образом. Определяют фактор аг- рования314121 3с 1, 1 Г - среднеарифметическая крупностьчастиц во фракциях до и после...

Номер патента: 344265

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ионосферы, Распространени, Сибирский, Скоморовский

МПК: G01B 11/06

Метки: кристаллических, толщины

...действии. На чертеже представлена схема, реализующая предлагаемый способ.Опорную пластину 1 и подгоняемую пластину 2 помещают между поляроидами 8 в 10 параллельный пучок света, создаваемый источником 4 монохроматического света и коллиматором б. Если толщины пластин приблизительно отличаются в два раза, их частично взаимно перекрывают, а оптические оси раз ворачивают на 90. С помощью кристаллического клина 6 получают интерференционные полосы на клине, на опорной пластине при совместном действии с клином и на общей части опорной и подгоняемой пластине 20 с клином при совместном действии с клином.Интерференционные полосы наблюдают через объектив 7. Доводку пластины ведут до тех пор, пока интер ференционные полосы на опорной пластине и...

Номер патента: 384228

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: C07C 405/00

Метки: кристаллических, трис

...менее полярнымрастворителем, высушивают.В случае необходимости перекристаллизации полученные соли можно растворять в воде (от 1 до 3 мл на 1 г соли) при добавленииэтого раствора,к нагретому до 65 - 85 С полярному растворителю с последующим охлаждением до 20 - 30 С. Кроме того, при перекристаллизации полученные соли можно растворять в полярном растворителе при добавлении менее полярного растворителя при температуре от - 20 до 40 СПолученные кристаллические соли негигроскопичны, быстро и полностью растворяются вводе и обычных растворителях.Данное изобретение иллюстрируется примерами,П р,и м е,р 1. Кристаллическая трис-(оксиметил) -аминометановая соль РОРгРаствор трис- (оксиметил) - аминометана(1,645 г) в 3,0 мл воды при 60 С...

Номер патента: 391452

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 23/207

Метки: изогнутых, кривизны, кристаллических, образцов, однородно, радиуса

...в параллельной установке (г - а) с использованием линейного фокуса. Для освещения двух точек поверхности образца из первичного мо нохроматизированного пучка выделяют двакак показано на чертеже. На ертежеприведены схемы гсометрии съемки и кривой отражения (Р - фокус рентгеновской -,рубки, М - монохроматор, О - образец, 5 - щелсвая 10 система, С - счетчик квантов, У - интенсивность отражсных рет сновскпх луче, 8 --г,овое положение образца).При съемке изопутого образца отдельныеучастки его освещенной поверхности последовательно входят в отражающее положение.В результате, точки 1 и 2 образца (см, чертеж) сформируют два дифракционных гика, разделенных по угловой оси на угол сх, равный центральному,гл, екд радисами-вектора ми, идущими от...

Номер патента: 396604

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01N 23/225

Метки: исследования, кристаллических, поверхностей

...100 С,100 А имер. На наносят т еского исл 1 л рт. с х 1 аС 1 терм ич 1 10 - 10 А/с к, Темп толщина пленк лагород декорир ература у 5 р 3 оци обл ью по о личным вероятно дцых м ерхности ые металль овать только(400 в 5 С сследуемой п дают слабо в тношению к по своей п ть осажден таллов ца сспосооцыпри ловы, что часто оверхности.ыраженной активным рироде. Не я кристаловер шенныхх Картина декорировация представлена ца электронной м икрофотографци, цз которой видно, что поверхность КаС лекорцруется кристалликами трех типов, резко различаю. щимися по форме и размерам: мелкими кристалликами А и Б треугольцой формы; более крупными нлоскцмц кристалликами В с тексагональным габцтусом ц цглообразцымц кристалликами Г, ориентированными ца пло:- кости...

Номер патента: 364608

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бузун, Джемухадзе, Милешко, Хочолава

МПК: C07D 311/78

Метки: выделения, катехинов, кристаллических

...( - ) э пигаллокатехин, ( - ) галлат и ( - ) эпикатехингал.П р и м е р. Порошок пол руют в дистиллированной в стеклянную или изготовлен материала колонку до соотн164608 11 р с д:)1 е т 11 3 О О з с 1 с н 1 я Соса:)Ос,)ь Л, Крючкова )к)с.; 3. т)рапенко Коррекорки Е. Сапунова и Г, Запорожец 1 лскО;) 3.о)о нова Зкаа 5 ЗР 1 11:с .)Ъ 141)прс)к 523 По;п;)с:)ос111111:111; хис)а по дс.);1; пеоирсспп 1 и откры па прп Сопс)с .ппстрс)в СССР.)оскп). /Ь,.зд. 1 ) п)скан нс)Г)., д, 4 а)0 Р)5), Р. Сс)п)Ов, 2 товлешуо таким образом колонку нроа)ыв- ЮТ 96 О)О-Ь) ЧИСТЫМ ЭтНЛОВЫМ сппртОМ дО тСК пор, пока Вытекающий из колонки спирт не перестает погло)цать:ри 280 л.к. Колоьу оп 51 ть наполи)От Водой и ПЯПОс 51 т ВОныЙ ЭКСГРЯКТ ЧЯЙНОГО ЛИСТЯ ИЛН Рс 1...

Номер патента: 368870

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: B01D 1/30

Метки: кристаллических, продуктов, процесса

...3 расхода свежего раствора, датчик 4 концентрации свежего раствора, вычислительное устройство 5, регулятор б расхода свежего раствора и корпус 7 многокорпусной вакуумно-выпарной установки,Производительность по выпаренной водекаждого корпуса измеряется датчиком 1, сигнал которого подается на вход вычислительного устройства 5.5 Кроме этого, на вход вычислительного устройства подается сигнал от датчика 4, измеряющего концентрацию исходного раствора.Вычислетельное устройство осуществляет расчет необходимой добавки свежего раствора и 10 выдает соответствующее задание регулирующему органу 2 подачи раствора.Когда при постоянном положении регулирующего органа расход свежего раствора не изменяется (отсутствуют возмущения по рас ходу...