Описание

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Заявка

4116699/25, 11.09.1986

Верин В. М, Гаськов А. М, Генералов Н. А, Гласко В. Б, Губарь А. Ю, Зимаков В. П, Коршунов А. Б, Петровнин Н. М, Сарайкин В. В, Соловьев Н. Г, Старикова Л. Е, Тимашева Т. П, Щербина С. М

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Опубликовано: 20.09.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1442004-sposob-polucheniya-vklyuchenijj-geksaborida-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения включений гексаборида кремния</a>

Похожие патенты