Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале

Номер патента: 631015

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

Описание

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения анализируемого материала, и концентрацию электронов определяют по формуле
n = CT3/2f( кр, o ,T),
где С - константа для анализируемого полупроводника;
Т - температура образца К;
f - функция от измеренной длины световой волны кр и длины световой волны c, отвечающей энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения невырожденного полупроводникового материала.

Заявка

2349267/25, 21.04.1976

Коршунов А. Б, Постников И. В, Тихонов В. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов

Опубликовано: 10.11.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-631015-sposob-opredeleniya-koncentracii-ehlektronov-v-poluprovodnikovom-materiale.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале</a>

Похожие патенты