Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание



n = CT3/2f(


где С - константа для анализируемого полупроводника;
Т - температура образца К;
f - функция от измеренной длины световой волны


Заявка
2349267/25, 21.04.1976
Коршунов А. Б, Постников И. В, Тихонов В. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов
Опубликовано: 10.11.2001
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-631015-sposob-opredeleniya-koncentracii-ehlektronov-v-poluprovodnikovom-materiale.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале</a>
Предыдущий патент: Регистратор ионизирующего излучения
Следующий патент: Ядерный реактор
Случайный патент: Прибор для подачи сигнала о достижении максимальной температуры