Описание

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Заявка

4235475/25, 27.04.1987

Коршунов А. Б, Генералов Н. А, Зимаков В. П, Соловьев Н. Г, Газуко И. В, Гласко В. Б, Губарь А. Ю, Верин В. М, Старикова Л. Е, Петровнин Н. М, Щербина С. М, Зыканова И. В

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Опубликовано: 20.09.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1523000-sposob-obrabotki-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты