Патенты с меткой «купрата»

Номер патента: 1557950

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Антонова, Загоскин, Квичко, Литвиненко, Могилко, Помазунов, Семиноженко

МПК: C04B 35/64

Метки: бариевого, керамики, купрата, основе, сверхпроводящей

...способа по срав нению с прототипом и уровень достигнутыхсвойств представлены в таблице.(56) А Авег, Сегаа. Зос., 1987, 70, Ь 12, с. 388-390.20 Хим, состав Способ СвойстваОотн, 3 Тс,к Технологическиепа амет ы С 1,ч Т 2, ОС Т 1, С ЬТс, К Р, МПа 12,Ч 99 1,0 1,0 960 450 3 аяв- УВжСцз 07- ляе 96,1 800 0,8 960 450 1,0 1,0 92,3 92,2 958 988 850 1,2 960 10 910 450 10 09 960 10 10 933 880 300 978 960 600 880 1,0 10 960 989 0,8 960 3 аяв- УВа 2 Сцз 07- ляе 05 1,0 880 450 92,8 92,1 96,0 98.6 94,2 96,5 1,3 960 450 880 1,5 880 960 0,5 1,0 450 1,2 960 450 1,0 15 . 958 98,8 880 0,9 1000 10 94,2 98,2 880 450 1,0 а 1,0 1000 1,0 92,8 450 810 1,0 9,3 1,0 1000 45010-40 870 1,0 94,5 97,197- 99 90 - 92 1/360 - 2,7 1,8 - 2,2 По УВФСцз 07 спосо.бу прототип...

Номер патента: 1833659

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Азизов, Белицкий, Гончаренко, Селезнева, Урсуляк, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: висмут-свинец-стронций, кальциевого, купрата, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СВИНЕЦ-СТРОНЦИЙ-КАЛЬЦИЕВОГО КУПРАТА с кристаллической структурой фазы 2:2:1:2, включающий нагрев шихты, содержащей Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3 и CuO, выдержку для гомогенизации расплава и кристаллизацию при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины перехода в сверхпроводящее состояние T и увеличения плотности критического тока, компоненты шихты берут в следующем соотношении, мол.Bi2O3 19,85 20,62PbO 4,41 4,58SrCO3 31,71 32,24CaCO3 13,56 13,82CuO Остальноекристаллизацию проводят на платиновом...

Номер патента: 1820797

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12, H01L 39/24 ...

Метки: yba2cu3o, иттрий-бариевого, купрата, оксидного, основе, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата (YBa2Cu3O7- ), включающий приготовление шихты путем смешения оксидов иттрия и меди, карбоната бария и оксидной титансодержащей добавки, измельчение смеси, термообработку на воздухе, помол, формование, спекание на воздухе и охлаждение с изотермической выдержкой при 400oC в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности критического тока и уменьшения ширины перехода материала в сверхпроводящее состояние при упрощении технологического процесса, в качестве оксидной титансодержащей...