Патенты с меткой «полупроводниковом»

Номер патента: 120855

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Симонов

МПК: H03F 1/14

Метки: выходом, нейтрализации, полупроводниковом, симметричным, схема, триоде, усилителя

Номер патента: 127872

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Башнаков

МПК: G05D 23/22, G05D 23/275

Метки: полупроводниковом, реверсивном, температуры, термостате

...и открытий при Совете Минисров СССР едактор Н. С. Кутафина Гр. ПЬИефорлациоппо.издательский отдел. 1)б 5 ьсм 0,17 и. л. Лак. 368 Подп. к пеи. 23.1 Ъ-б 0 г.Гиратк 1050 Геня 20 кои. Гипографии Коми)ся по делам изобретений и открытий при Говете .Ъ 1 пстр)в ГГСРС.,ПОСОб )СГ.11 РОВЕНИ 5 ТСЫПС)ТУ)В В:)ОГ)П 1)ОВОДППКВОЪ )СВС 1)СПВОм тсрыОстятс, ОспОВянны 1 ня НОЗициОнпОь НОдкг 110 чс 111 иН 1)51)кс 1 и 101 тсии к тюэыООятя)сс, ъГГ)е 1 В,5.ъ 10 ъ 1 дятчпкОь тмпс)тъ)11, )Ис) )- )КСНЕЫМ В КЯМС)С ТС)МОСЯТЯ, 0 Т; И Ч Е 10 ГЦ ПС 51 ГСЪ, 10, С СГЬО ЪЪСП ШСНИИ ВЕ)СМСНИ ПСРСЪ;ОДНОГО Г,)ОЦСССЯ И ПОБЫ 1 ПС.1151 ГОПОСТ )01 ъ ЛИ)ОВЯНИЯ, ВВСДСНО ДОПОЛЕ 1 ИТСЛЫ 10 С )СГ 5"И)ОВЕ 1 НИС ВС.Р 1 ЧП 11 ПЕ 1 П)51)КСН 51 011 И 1 и 51с 1)МООРтя)сР ИО )...

Номер патента: 133126

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Щетилин

МПК: A61N 1/44, B03C 3/32, B03C 3/38 ...

Метки: аэроионизатор, карманный, полупроводниковом, триоде

...преобразователя на полупроводниковом триоде с питанием от батареи карманного фонаря и состоит из генератора аэроионов, ионизационной камеры ИК и пульверизатора (на чертеже не показано). Генератор аэроионов, преобразующий напряжение батареи Б в импульсы высокой частоты, включает в себя полупроводниковый триод О и трансформатор Т, с повышающей обмотки которого импульсы высокого напряжения (1500 в) подаются на иглу и ионизационной камеры ИК через выпрямитель В, пропускающий только отрицательные импульсы. В качестве ионизационной иглы используется инъекционная медицинская Тодящийся в оаллоне (на чертеже не показан) сжатый воздух, из отверстия иглы, ионизируется, расширяется и увлекает за астицы воздуха, находящегося вокруг...

Номер патента: 133495

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Лощинин

МПК: H03F 1/34, H03F 3/50

Метки: полупроводниковом, триоде, усилитель

Номер патента: 136780

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Симонов

МПК: H03F 3/04

Метки: каскад, полупроводниковом, триоде, усилительный

...согласно изобретениюстатка, Он отличается от известных усилителей прного диода, включенного между базой и эмиттеромгается увеличение входного сопротивления усилитеНа чертеже изображена принципиальная схемалителя.СопротР 1 влен 11 я Ь 1 Р Л 2 слжат днельного диода, обеспечивающего рабперной характеристики.Для обеспечения смещения на участке баэмиттера включено сопротивление Я 4На схеме конденсатор С 1 - разСопротивление Рз является нагГ , - входное напряжение.Уа. - выходное напряжение.Мв - милливольтметр.Подбирая сопротивления Й 1 и тс можно обеспсчю входную проводимость схемы.Усилитель может быть использован в качестдвух) каскадов УНЧ (усилителей низкой частотынием, а также в операционных усилителях, где требнос...

Номер патента: 141000

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Кудрявцев, Липман

МПК: G06G 7/162

Метки: множительно-делительное, нелинейном, нпс, полупроводниковом, сопротивлении

...операционного звена, и модулятор 4 - устройство для преобразования электрических напряжений по"тоянного тока в сигналы переменного тока.НПС имеет три пары электродов 1 а - а, Ь - Ь, с - с), располож ные во взаимно-перпендикулярных плоскостях. и охвачено цспно от нательной обратной связи.В силу изотропности материала НПС сопротивление между электродами а - а 1 Яа) пропорционально сопротивлению между электродамиРаЬ - Ь 1 д(Ь), ==- и = сопзт 11) и это атно;пенне не зависит оЯЬ141000Е 2 Е 2-- = О,Р 1 Л, РИз выражений (1), (2) и (3) следует1 Е1доЕоЙд Ео 11 о ЙяГ 1 риа Едо 1 дд 2-- =1 = сопз 1Ео 1 ддополучаюто. Яр Ед Е 2от. е. выходное напряжение Е (точка 7) пропорционально сомножителям Е, и Е, (входы 8 и 9 соответственно).Напряжения Ео...

Номер патента: 142696

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гедике, Колчин

МПК: H03G 3/10

Метки: видеоусилителя, каскада, коэффициента, полупроводниковом, регулировки, триоде, усиления

...транзистора 1, включенного по схеме с общей базой. Регулирующее напряжение подают на зажим 2, а входное напряжение - на зажим 3. Известно, что входное сопротивление полупроводникового триода, включенного по схеме с обшей базой, для триодов с большим коэффициентом переноса (порядка 0,97) определяется, в основном, сопротивлнисм промежутка эмиттер-база. Это сопротивление, в свою очередь, зависит от тока эмиттера. Таким образом, для осуществления р- гулировки коэффициента усиления по описываемому способу достаточно управлять с зажима 2 током эмиттера триода,При применении способа не следует использовать каскады усиления с частотной коррекцией по току,так как при изменении нагрузки необхо2димо одновременноеизменение корректирую 1 цих...

Номер патента: 146801

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Трохименко

МПК: H03D 1/18

Метки: детектор, полупроводниковом, триоде

...собой большое сопротивление для сигнала высокой частоты. Рабочую точку схемы выбирают на коллекпорных характеристиках триода 1 в области максимального усиления высокочастотного сигнала в непосредственной близости к линии критического режима, т. е. при малом напряжении на коллекторе, Выбор рабочей точки осуществляют путем подбора соответствующих значений согротивлений 3, 4, находящихся в цели питания триода 1. Величину индуктивности 2 выбирают так, чтобы она представляла большое сопротивление для низкочастотной составляющей вы. прямленного детектором напряжения. Фильтрацию высокочастотной со. ставляющей на нагрузке детектора осуществ.пяют посредством включения емкости 5.Детектирование в схеме происходит в основном в цепи коллектооа...

Номер патента: 151995

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Альтшуллер, Вайцеховский

МПК: H03B 5/04, H03B 5/36

Метки: автогенератора, кварцевого, компенсации, полупроводниковом, температурной, триоде, частоты

...коэффициент частоты кварца был скомпенсирован отрицательным температурным коэффициентом частоты, обусловленным температурным режимом триода.Принципиальная схема кварцевого генератора с температурной компенсацией частотыизображена на чертеже.Кварцевый резонатор 1 включен между базой и коллектором 2 полупроводникового триода, Включение триода по постоянному току осуществляется методом трех сопротивлений 3, 4, Б.Обратная связь обеспечивается делителем, образованным емкостями б и 7. Для ослабления связи кварцевого резонатора с полупроводниковым триодом включена емкость 8 связи, регулировкой которой обеспечивается изменение влияния режима полупроводникового триода на частоту кварцевого резонатора,151995 Предмет изобретения оставитель Б....

Номер патента: 168339

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Дерр

МПК: H03D 1/10

Метки: детектор, диоде, полупроводниковом

...1 Детектонагрузкифильтра,вышениянья в качго источн 1го диоданый диод. диоде, цепьемкостью с целью по- использовабез внешне- упомянутой туннельодписная гру гга И 89 Описываемый детектор на полупроводниковом диоде по сравнению с известными обладает повышенной чувствительностью и может быть также использован в качестве второго детектора без внешнего источника смещения, Это достигается тем, что в качестве детектора используется обращенный туннельный диод (ОТД).На фиг. 1 изображена эквивалентная схема описываемого детектора; на фпг, 2 - характеристика туннельного диода: а - обычного (ТД), б - обращенного (ОТД),Входной сигнал подается на катод обращенного туннельного диода 1, анод которого подключен и сопротпвленшо нагрузки 2, шупгнровапной...

Номер патента: 168759

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Фесенко

МПК: H01L 29/68

Метки: выпрямитель, полупроводниковом, триоде, управляемый

...соединенных диодов,На фиг, 1 и 2 изображеныпериодного и двухполупериотеля. Управление тем регулиро изменяется с нением сопро ряда сигналов быть снабжен чертеже не п противления триодом ания уппомощью ивленпя на входе управляказан).О нагруз схемы однополудного выпряминия включе а (фиг, 1) и конденса и управляе а из огранич диого огра довби 7,элементо подключенно яжение той подается на жение фазопериодной схеме ращатель через ие (на чертеже дным ограничисостоит из двух ащих по два олу азо В нереверсивнои дву25 выпрямителя (фиг. 2)ограничивающее сопротне показано) соединентелем, который в этом спараллельных ветвей,30 диода б и 7 (или больш ивлен с ди лучае одерж ) Подписная группаВ цепи управле1 мостового...

Номер патента: 173268

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Новогрудский, Осишвили, Чес

МПК: H03B 5/12

Метки: генератор, колебаний, плоскостном, полупроводниковом, синусоидальных, триоде

...2 цепь эмитодписнпя группаГЕНЕРАТОР СИНУСОИДА ПЛОСКОСТНОМ ПОЛУ Известны генераторы на плоскостных попроводниковых триодах.Для повышения стабильностиратора на низких частотах ином питающем напряжении вгенераторе средняя точка послколебательного контура соедитриода через реактивное сопротНа фиг, 1 и 2 изображены прсхемы генератора с заземленньна фиг. 3 - схема генератора сколлектором.Генератор выполнен на плоскопроводниковом триоде 1. Колебаттур, состоящий из индуктивностистей 3 и 4, как это показано наиз индуктивности 2 и емкости 3и 3), включен последовательно в ЛЬНЬ 1 Х КОЛЕБАНИЙОВОДН ИКОВОМ ТРИОДЕ тер - коллектор, язтриода подается со ирез индуктивное со 5 (ил,и емкостное сопр кана фиг,2 и 3,11 р ед м ет изобретенияГенератор...

Номер патента: 177533

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Голованов, Сапожников

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, падения, полупроводниковом, прямого, управляемом

...статических и динамических режимах и измерять величину этого падения в любой момент полупериода. Предлагаемый способ отличается от известных тем, что измерительную цепь подключают к выпрямителю на олин и тот же момент времени, соответствующий заранее выбранному значению фазы испытательного напряжения и установившемуся режиму выпрямителя в проводящий полупериод, причем время подкл 1 очения значительно меньше, чем время установления режима выпрямителя,На чертеже показано изменение прямого падения напряже 11 и 11 в зав 1 симости от испытательного напряжения. Предложенный способ заключается в том,что измерительную цепь конденсатор - вольтметр подключают параллельно испытуемому выпрямителю в определенные заданные мо менты, во время...

Номер патента: 190944

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Гармаш

МПК: H03B 5/12

Метки: автогенератор, полупроводниковом, триоде

...уста. ром имеет В известных 1.С-генераторах периодического напряжения на полупроводниковых триодах емкость и активная проводимость коллекторного перехода оказывает существенное влияние на резонансную частоту и добротность колебательного контура. Это приводит к заметной зависимости частоты генерации от параметров триода. Кроме того, устойчивый режим в таких схемах получается при коллекторном ограничении, а в этом случае частота генерируемых колебаний еще больше отличается от резонансной частоты контура.Предлагаемый генератор отличается тем, что первичная обмотка высокочастотного трансформатора зашунтирована двухсторонним диодным ограничителем, а напряжение обратной связи подано на эмиттер триода со вторичной обмотки трансформатора через...

Номер патента: 299014

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зильбер, Пит

МПК: H03G 3/00

Метки: аттенюатор, диоде, полупроводниковом

...характеристики достигается уменьшением глубины регулирования аттенюатора, что приводит к увеличению обшего количества аттенюаторов в тракте усиления.Цель изобретения - расширение полосы регулируемых частот и увеличение глубины регулирования аттенюатора.Это достигается тем, что последовательно 20 с полупроводниковыхт диодом включена КС- цепьпостоянная времени которой выбрана равной времени жизни неооновных носителей така р - и-перехола полуправолникового диода.25 постояиная Больцмана,абсолютная температура,заряд электрона,так насыщения лиода,постоянный ток в прямом напр а в лении,падение напряжения на р - и-переходе по постоянному току,енцируя по К после преобразовают выражение лля дифференциальтивления, как функцию прямогающего через р...

Номер патента: 490368

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Галяутдинов, Зарипов, Туриянский, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03C 9/08

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...отражения в экспоиированных и неэкспо нироганных областях голограммного материала, как известно, зависит контраст голографической решетки, а, следовательно, к,п.д, то есть дифракционная эффектив ность голограммы бРазность коэффициента отражения дляэкспонированных и неэкспонированныхобластей увеличивается путем повышения,концентрации свободных носителей в результате электрической активации внедренной примеси в экспонированных областях, которая определяет величину коэффициента отражения электромагнитных волнв ИК-диапазоне длин волн,П р и м е р, Высокоомный полупроводник, например, кремний , -типа сисходной концентрацией электроновф 10см з после соответствуюшей обработки(шлифовка, полировка) бомбардируюг наионном ускорителе...

Номер патента: 440368

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Галяутдинов, Зарипов, Туриянский, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03H 1/04

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 мешивании при 135 - 140 С дополнительно добавляют порциями также гидроокись бария.Для лучшего отделения не растворимых в масле составных частей продукт реакции может быть разбавлен, например, рафинированными фракциями минеральных масел, растительными, животными и синтетическими маслами.Пример 1. В сосуде с мешалкой смеши. вают 100 ч, технической сульфокислоты с мол. в. 520, смешанной в соотношении 1:2 с веретенным маслом при 50 С, с 10 ч. нонилфенола, 2 ч. 37%-ного водного раствора формальдегида, 10 ч. окиси кальция и 22 ч. воды при температурах между 50 и 60 С; смесь насыщается при перемешивании в...

Номер патента: 534731

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Кикинеши, Симак, Чепур

МПК: G03C 5/22

Метки: записи, изображения, полупроводниковом, слое

...- галоида - нагре- С. Известен спо на полупроводни получения изобр спектра в процес основе полупров вают до 80 - 200 В результате экспонирования светом интенсивностью порядка 10 МВт(см в течение 40 - 50 с получается изображение, которое наблюдается в отраженном свете, а при больших экспозициях хорошо про. сматривается и в проходящем свете. Дли. тельность экспонирования зависит от ин. тенсивности и спектрального состава освещения. Величина экспозиции может быть значительно сокращена в случае применения лазерного освещения, например в голографии. Однако такой способ имеет низкую фоточувствительность полупроводникового слоя и высокую температуру процесса экс понирования. Предлагаемый способ о т л и ч а е т с я тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 621239

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Милевский, Ткачева

МПК: H01L 21/02

Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного

...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...

Номер патента: 578784

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Галяутдинов, Закиров, Зарипов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03H 1/18

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...записи интерференционной картины от объектного и опорного пучков излучения на полированной поверхности германиевого монокристалла после того, как эту поверхность бомбардируют быстрьки ионами электроактивной примеси,При произвольном выборе режима бомбардировки (т.е. дозы облучения и энергии внедряемых ионов) этот способ эффективен лишь в длинноволновой области спектра за частотой ШР плазменного резонанса и не позволяет получить достаточно хорошую дифракцион ную эффективность при восстановленииобласти спектра и прилегаю области ближнего ИК-диапабуллин, М,Ф,Галяутдино о, при этом способе для и могут быть использова ектроактивные ионы, что сужает возможности спооказана дозовая завициента отражения моноания, облученного ионаией 80 кэВ...

Номер патента: 930160

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Конин, Приходько, Репшас

МПК: G01R 29/08

Метки: образце, полупроводниковом, поля, распределения, сверхвысокочастотного

...уста новлены концентраторы 6 и 7 электрического поля из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью, при этом в дополнительном отрезке 2 волновода на расстоянии Х/1(2 п ф 1) от концентратора 7 электрического поля размещен зонд 8 связи с индика" тором, а в отрезке 1 волновода концентратор 6 электрического поля установлен с зазором по отношению к общей широкой стенке для размещения . в нем полупроводникового образца 9.Устройство работает следующим образом.Волна ТЕ, распространяющаясяпо отрезку 1 волновода, создает СВЧ электрическое поле в исследуемомполупроводниковом образце 9. Областьполупроводникового образца 9, расположенная под щелью 5 связи, воз- буждает в ней, а следовательно, и в перестраиваемом резонаторе, образованном...

Номер патента: 934320

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Грибников, Козловский, Романов

МПК: G01N 21/59

Метки: концентрации, нескомпенсированной, образце, одномерного, полупроводниковом, примеси, распределения

...ными либо иниектированными через контактили светом. Величина протекающего токадолжна быть такой, чтобы связанное с нимлокальное электрическое поле было значи тельно больше встроенного концентра ционного поля, связанного с неоднородным распределением нескомпенсированной примеси Ж (х), т.е. распределение неравновесных носителей р(х)должно быть дрейфовым. В этом случае З 0 .между локальными концентрациямир(х) и ДЕ (х) существует связь В связи с тем, что функция 2 медленно изменяется с координатой х, из формулы1) вытекает соотношение(3) гдеЬЭЮх) - локальная амплитуда отклонения концентрациинескомпенсированной при.меси от ее усредненнойвеличины,р(х) - усредненная на длиненескольких периодов неоднородности величинаконцентрации...

Номер патента: 1046714

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Жилинскас, Лазовский

МПК: G01R 29/12

Метки: поверхностного, полупроводниковом, потенциала, распределения, слое, электрического

...7 неподвижных сигнальныхэлектродов, анализатор 8 скоростиизменения потенциала, блок 9 логического совпадения и генератор 10тактовых импульсов.юУстройство работает следующимобразом. На проводящей подложке 2 располагается предварительно заряженный исследуемый образец (полупроводниковый слой). В результате взаимодействия заряда исследуемого образца с одним из сигнальных электродов матрицы 7 неподвижных сигнальных электродов напряжение на выхо, де интегратора 3 заряда становится пропорциональным количеству заряда, прошедшему по входной цепи меж ду проводящей подложкой 2. и,сигнальным электродом матрицы 7, неподвижных сигнальных электродов. Матрица 7 неподвижных сигнальных электродов представляет собой плоскость, сос тоящую из и отдельных...

Номер патента: 990031

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Грудин, Заргарьянц

МПК: H01L 29/66

Метки: полупроводниковом, приборе, сигнала, усиления, электрического

...по мере отклонения направ;. леиия движения носителей от направления электрического поля энергия носителя на длине свободного пробега 15 будет снижаться и расходоваться при столкновении с фононами. В то же время для тяжелых носителей изменение температуры Тр будет существенно меньшим. В области лавинного умноже ния коэффициенты ионизации для электронов и дырок равны ааР (- еаОе 76 (410 Н) Ееие Аналогичным образом для дырок отноше-,ние коэффициентов иониэации равно: Отсюда. видно, что влияние магнит-. ного поля, приводящее к изменению коэффициента ионизации, проявляется наиболее сильно для более легких носителей. При больших коэффициентах усиления (например, М Ъ 10) коэффициент собственного шума области лавинного усиления в случае...

Номер патента: 1415956

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Рябушкин, Сергеев

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, монокристаллическом, низкотемпературным, носителе, полупроводниковом, примесным, пробоем

...интенсивность света, достаточнаядля пробоя. Носитель записи, используемый для реализации предлагаемогоспособа, представляет собой однородную монокристаллическую пленку нлипластину компенсированного полупроводника, легированного мелкими примесями. На йленку (пластину) полупроводника нанесены два омических контакта. Способ записи осуществляютследующим образом. Полупроводник охлаждают до температуры Т, удовлетворяющей условию ТЕ/К где К - постоянная Больцмана воздействуют нанего постоянным электрическим полемс напряженностью Ер ниже темновойнапряженности Е т цизкотемпературногопримесного пробоя и облучают светомс частотой 1 и интенсивностью, соответствующей записываемой информации. Напряженность Ер электрическогополя выбираютисходя из...

Номер патента: 1614056

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Васильев, Голдобин

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: генерации, излучения, импульсов, лазере, полупроводниковом

...должно быть направлено наоборот, т.е. из поглощающей части в усиливающую). Ширина поглощающей области равна 40 мкм, зазор б между поглощающей и усиливающими частями равен 30 мкм, электрическое сопротивление утечки - 510 Ом. В усиливающие части (между электродами 4 и 5 и1614056 О.Кравцова Составитель О,Куреннаядактор А,Ревин Техред М.Моргентал . Корре 3)каз 3895 ВНИИПИ Го Тираж 395 Подписноеарственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 электродом 6) подают импульсы тока величиной 2 А, к поглощающей части (между электродами 8 и 6) прикладывают постоянное отрицательное напряжение О от 1 В до 20 В. При данных...

Номер патента: 1671046

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бадер, Рябушкин

МПК: G11C 13/04

Метки: информации, носителе, оптической, оптоэлектронный, полупроводниковом, регистрации

1. Оптоэлектронный способ регистрации оптической информации в полупроводниковом носителе, заключающийся в переводе полупроводникового носителя из низкопроводящего в высокопроводящее состояние в результате одновременного воздействия на полупроводниковый носитель при температуре Т, удовлетворяющей условию T < D/K электрическим полем и светом с энергией квантов h > D, где D - энергия ионизации...

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...

Номер патента: 631015

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения...