Способ определения степени амортизации кристаллических материалов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что образцы кремния легируют до концентрации носителей заряда от 1012 до 1021 см-3.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что образцы германия легируют до концентрации носителей заряда от 1011 до 1021 см-3.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что образцы антимонида индия легируют до концентрации носителей заряда от 1012 до 6

Заявка
2349259/25, 21.04.1976
Коршунов А. Б, Постников И. В, Тихонов В. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: амортизации, кристаллических, степени
Опубликовано: 20.09.2001
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-597291-sposob-opredeleniya-stepeni-amortizacii-kristallicheskikh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения степени амортизации кристаллических материалов</a>
Предыдущий патент: Способ получения самофокусирующихся элементов
Следующий патент: Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов
Случайный патент: Двухдисковый двухстрочный сошник