Генералов

Способ легирования кремниевых пластин

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Соколов, Шестериков, Гласко, Коршунов, Соловьев, Петровнин, Зимаков, Авдеев, Сарайкин, Тимашева, Старикова, Щербина, Генералов, Верин, Губарь, Гаськов, Зыканова

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, легирования

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Способ легирования кремниевых пластин

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Губарь, Гаськов, Зимаков, Генералов, Сарайкин, Шестериков, Соколов, Коршунов, Тимашева, Авдеев, Щербина, Верин, Гласко, Старикова, Петровнин, Зыканова, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, легирования

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Коршунов, Тихонова, Соловьев, Зимаков

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, ионно-имплантированных, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Старикова, Губарь, Зимаков, Соловьев, Щербина, Петровнин, Гласко, Газуко, Зыканова, Верин, Генералов

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых, инверсных, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Способ обработки полупроводниковых материалов

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Губарь, Гласко, Зимаков, Газуко, Верин, Старикова, Генералов, Петровнин, Соловьев, Зыканова, Коршунов, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Шестериков, Соловьев, Коршунов, Зимаков, Генералов, Астахов, Прохоров, Аверьянова, Зыканова, Камушкин, Верин, Щербина, Петровнин, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Способ получения п-слоев в антимониде индия

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Орликовский, Соловьев, Зимаков, Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: п-слоев, индия, антимониде

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Способ обработки поверхности кремния

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Губарь, Тимашева, Коршунов, Петровнин, Аверьянова, Зимаков, Генералов, Прохоров, Павлов, Верин, Щербина, Старикова, Соловьев, Козлов, Гласко, Шестериков

МПК: H01L 21/26

Метки: поверхности, кремния

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Способ легирования пластин кремния

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Старикова, Гаськов, Коршунов, Щербина, Верин, Лисина, Зимаков, Зыканова, Соловьев, Соколов, Авдеев, Сарайкин, Петровнин, Генералов, Тимашева

МПК: H01L 21/268

Метки: легирования, пластин, кремния

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Способ получения включений гексаборида кремния

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Гласко, Старикова, Петровнин, Коршунов, Соловьев, Зимаков, Щербина, Тимашева, Генералов, Гаськов, Губарь, Верин, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: гексаборида, кремния, включений

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Генералов, Коршунов, Старикова, Зыканова, Прохоров, Сазонов, Аверьянова, Зимаков, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых, отжига, слоев, пластин, ионно-имплантированных

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Способ переработки галоидсодержащих пылей свинцового производства

Номер патента: 754872

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Гель, Генералов, Ходов, Давыдов, Ярославцев, Харадуров, Фирман

МПК: C22B 7/02, C22B 13/00

Метки: свинцового, галоидсодержащих, переработки, пылей, производства

Способ переработки галоидсодержащих пылей свинцового производства, включающий высокотемпературную переработку их в присутствии окислов щелочных металлов в стехиометрическом количестве по отношению к содержанию галоидов в пыли, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения свинца в компактный металл, высокотемпературную переработку пылей ведут на шлаковой ванне сначала при 900 - 1040oC с углеродсодержащим восстановителем и окислами щелочных металлов, а затем температуру расплава доводят до 1250oC и обрабатывают его смесью твердого углеродсодержащего восстановителя и металла с большим средством к сере, чем цинк и свинец.

Способ получения эластичных и негорючих пенополиимидов

Загрузка...

Номер патента: 1824886

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Захаров, Кукаркина, Строганова, Малков, Кукаркин, Чупанс, Кудрявцев, Артемьева, Вельц, Генералов

МПК: C08J 9/00

Метки: эластичных, пенополиимидов, негорючих

...примере 1 - 4,4-диаминодифенилсульфона, в примере 7 - 4,4-диаминодифенилметана.В примерах 8-10 в раствор вводят 0,1 0,54 и 2,04 ПАВ ЧАСсоответственно и поэтому перед вспениванием порошок нагревают при 80 С 10 мин,В примерах 11 и 12 используют 10, и 20 ПАВ ЧАСсоответственно.Примеры 16, 17 (базовый аначог) выполнены с использованием 0,5 и 2 мас. ЧАС; примеры 18, 19 (базовый аналог) выполнены с использованием 4 и 10 мас., ЧАС.Структура полученных пенополиимидов подтверждена с помощью ИК-спектроскопии ( - 1780 и 725 см, имидный цикл).Элементный аначиз образцов пенополиимидов показал соответствие полученных экспериментачьных данных теории.Физико-механические характеристики пенополиимидов (кажущуюся плотность, прочность при 25 и 65;, сжатия,...

Способ получения эластичных и негорючих пенополиимидов

Загрузка...

Номер патента: 1824885

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Захаров, Строганова, Кукаркина, Малков, Чупанс, Артемьева, Вельц, Кудрявцев, Кукаркин, Генералов

МПК: C08J 9/00

Метки: пенополиимидов, эластичных, негорючих

...вспениванием порошок прогревают при 80 С 1 О мин.П р и м е р 16. 3,2224 г (О 01 моля) диангидрида 3,3, 4,4-бензофенонтетракарбоновой кислоты при перемешивании и кипячении в течение 4 ч растворяют в 4,5 мл метанола, содержащего 10 об.воды. После охлаждения до комнатной температуры в раствор порциями добавляют 1,5840 г (0,008 моля) 4,4-диаминодифенилметана и после полного растворения добавляют 0,4000 г (0,002 моля) 4,4-диаминодифенилоксида до полного растворения, Эта операция занимает 40-50 мин. В полученный раствор добавляют 0,2080 г (4 мас.,/ ) ЧАСи продолжают перемешивание 15 мин, После сушки в вакууме при комнатной температуре выход продукта 5,2500 г (98 от теорет.).Твердый остаток измельчают, помешают в форму и вспенивают при...

Способ переработки сульфидных медьсодержащих полидисперсных материалов

Номер патента: 1471439

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Генералов, Тарасов, Кошелев, Арзуманян, Равданис, Аранович, Маслов, Чахотин, Шахназарян, Капитонов, Селиванов, Парецкий, Трифонов, Окунев, Мечев

МПК: C22B 15/02

Метки: полидисперсных, переработки, сульфидных, медьсодержащих

Использование: изобретение относится к области цветной металлургии и может быть использовано для переработки медного сульфидного сырья. Сущность способа заключается в том, что для окислительной плавки с получением сульфидно-металлического сплава с содержанием меди более 70% подачу сырья осуществляют одновременно двумя раздельными потоками, один из которых плавят в факеле, а плавку второго осуществляют в расплаве, при этом в факеле ведут бесфлюсовую плавку сырья крупностью менее 1 мм на штейн при температуре 1550-1620oС, которую регулируют подачей кислорода в факел в пределах 36-52% от суммы массы серы и железа материала, подаваемого в факел, а остальную часть сырья крупностью...

Способ переработки сульфидных медьсодержащих полидисперсных материалов

Номер патента: 1741439

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Окунев, Трифонов, Мечев, Генералов, Чахотин, Маслов, Шахназарян, Тарасов, Равданис, Парецкий, Аранович, Кошелев, Селиванов, Капитонов, Арзуманян

МПК: C22B 15/02

Метки: сульфидных, полидисперсных, медьсодержащих, переработки

Изобретение относится к цветной металлургии и может быть использовано для переработки медного сульфидного сырья.Известен способ кислородно-факельной плавки медной сульфидной шихты на штейн с перемешиванием ванны расплава газообразным агентом, при котором содержание меди в шлаке достигает 0,94% при содержании меди в штейне до 70%Основным недостатком этого способа является резкое возрастание потерь меди со шлаками при получении штейнов, содержащих более 70% меди.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является способ переработки сульфидных медьсодержащих полидисперсных материалов, включающий окислительную плавку с получением сульфидно-металлического...

Тиристор

Номер патента: 908198

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Рухамкин, Ковров, Граужинис, Кузьмин, Думаневич, Генералов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...

Способ переработки сульфидных материалов

Номер патента: 1811705

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Серебренников, Птицын, Капитонов, Генералов

МПК: C22B 15/00

Метки: сульфидных, переработки

СПОСОБ ПЕРЕРАБОТКИ СУЛЬФИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий загрузку шихты на ванну расплава и комбинированную подачу кислородсодержащего дутья через боковые погружные и верхние фурмы, отличающийся тем, что, с целью снижения капитальных и эксплуатационных расходов, дутье через боковые погружные фурмы подают в количестве, обеспечивающем соотношение кислорода в дутье к сумме железа и серы в загружаемой шихте, равное - количество кислорода в боковом дутье, кг/ч;MFe - количество железа в шихте, кг/ч;Ms - количество серы в шихте, кг/ч;причем верхнее дутье...

Привод регулирующего органа ядерного реактора

Номер патента: 1693998

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Ларионов, Баев, Генералов, Аникин, Николаев, Масленок

МПК: G21C 7/12

Метки: привод, реактора, органа, ядерного, регулирующего

ПРИВОД РЕГУЛИРУЮЩЕГО ОРГАНА ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий исполнительный орган соединенный посредством захвата с регулирующим органом реактора, и расположенный параллельно исполнительному органу шток, управляющий захватом и связанный с датчиком положения, включающим элементы индикации и инициирования, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля сцепления исполнительного и регулирующего органов на всей длине, инициирующий элемент выполнен из двух частей, одна из которых соединена с исполнительным органом, а другая - со штоком, при этом в расцепленном состоянии инициирующие элементы установлены друг относительно друга с зазором, величина которого определяется чувствительностью элемента индикации.

Привод регулирующего органа ядерного реактора

Номер патента: 1748544

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Генералов, Баев, Богданов

МПК: G21C 7/12

Метки: регулирующего, реактора, органа, ядерного, привод

1. ПРИВОД РЕГУЛИРУЮЩЕГО ОРГАНА ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий двигатель, кинематически связанный через редуктор и обгонную муфту с исполнительным органом, расположенные в корпусе, с которым соединена обойма обгонной муфты посредством упругого элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и стабильности характеристик обгонной муфты, упругий элемент выполнен в виде упругой муфты, одна из полумуфт которой закреплена на обойме, а другая на корпусе, причем на обеих полумуфтах установлены взаимодействующие друг с другом элементы, имеющие возможность перемещения друг относительно друга в окружном и осевом направлениях, а элементы одной из полумуфт подпружинены в осевом направлении, при этом в муфте выполнены упоры, ограничивающие...

Привод регулирующего органа ядерного реактора

Номер патента: 1290931

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Генералов, Баев

МПК: G21C 7/14

Метки: привод, органа, ядерного, регулирующего, реактора

ПРИВОД РЕГУЛИРУЮЩЕГО ОРГАНА ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий электродвигатель, ротор которого соединен через полый вал с преобразователем вращательного движения ротора в поступательное перемещение исполнительного органа, соединенного с регулирующим органом, и датчик положения, включающий индуктивные обмотки, расположенные вокруг выполненной на полом валу винтовой нарезки, с которой взаимодействует шунт, зафиксированный от вращения, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности электродвигателя направление винтовой нарезки выбрано таким, что исполнительный орган и шунт имеют возможность перемещения во взаимообратных направлениях.

Регулятор скорости аварийного сброса механизма управления ядерного реактора

Номер патента: 1515949

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Баев, Масленок, Генералов

МПК: G21C 7/20

Метки: скорости, реактора, сброса, механизма, аварийного, регулятор, ядерного

РЕГУЛЯТОР СКОРОСТИ АВАРИЙНОГО СБРОСА МЕХАНИЗМА УПРАВЛЕНИЯ ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий взаимодействующие с тормозной втулкой тормозные колодки, каждая из которых шарнирно установлена на двух осях, параллельных оси приводного вала, при этом одна ось неподвижно закреплена на валу, а другая ось установлена с возможностью перемещения и соединена с неподвижной осью смежной колодки подпружиненными тягой и резьбовым элементом, обеспечивающим регулировку усилия пружины, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования скорости аварийного сброса, увеличения запаса хода пружины при обеспечении надежной фиксации, в подвижной оси перпендикулярно ей выполнено сквозное резьбовое отверстие, через которое пропущена подпружиненная тяга,...

Механизм управления ядерного реактора

Номер патента: 1514160

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Аникин, Масленок, Николаев, Генералов, Ларионов, Баев

МПК: G21C 7/12

Метки: ядерного, механизм, реактора

МЕХАНИЗМ УПРАВЛЕНИЯ ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий двигатель, исполнительный орган, соединенный с регулирующим органом посредством элемента захвата, выполненного из материала, обладающего обратимым эффектом памяти формы, и выполненных на элементе захвата и регулирующем органе, взаимодействующих диаметральных выступов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности активной зоны за счет снижения динамических нагрузок на элементы конструкции активной зоны при аварийном сбросе регулирующего органа, исполнительный орган в крайнем нижнем положении установлен на упор, элемент из материала с эффектом памяти формы выполнен изменяющим длину при температурном мартенситном превращении, при этом длина элемента при температуре ниже температуры...

Гидрораспределитель системы управления и смазки гидроподжимных фрикционов

Загрузка...

Номер патента: 1827460

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Константинов, Генералов, Новиков

МПК: F16D 25/10

Метки: гидрораспределитель, фрикционов, смазки, гидроподжимных, системы

...и охлаждения, поэтому из отводящей полости 5 по каналу 17 масло направляется в полость.12, От давления масла на правый торец клапана плавности 10 последний перемещается влево, сжимая расслабленные пружины 7 и сообщая через паз 20 отверстия 22 в переходной втулке 21 и полость 12, из которой осуществляется дополнительная интенсивная смазка управляемого фрикциона 23. Причем этого давления еще недостаточно для нача- "5 ла включения фрикциона 23, Сопротивление отверстий 22 в переходной втулке 21 обеспечивает в полости 12 давление, значительно меньшее номинального давления в полости 5, но достаточное для удержания 20 клапана плавности 10 в крайнем левом положении. В это же время через канал 18 и дроссель 19 происходит наполнение полости 13 и...

Привод регулирующего стержня ядерного реактора

Загрузка...

Номер патента: 1364099

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Генералов, Ларионов, Баев

МПК: G21C 7/14

Метки: стержня, ядерного, привод, регулирующего, реактора

...8, на наружных зубьях 9 втулки 8 установлена шестерня 10, взаимодействующая с шестерней 1 ре-.дуктора 12. Выходной элемент редуктора - реечная шестерня 13 взаимодействует с рейкой 4, соединенной с регулирующим стержнем.Втулка 9 отжата пружиной 15 от упора 16, выполненного в нижней части вала 3 и зафиксирована кольцом 17.В нижней части гайки 5 выполнена расточка 18, диаметр которой больше диаметра кольца 17, а глубина больше ширины втулки 9, Привод снабжен также демпфер ной пружиной, ня которую опускается рейка при аварийном сбросе,Работает привод следующим образом.Вращение ротора 2 электродвигателя 1 через вал 3, цилиндрическую пару шестерен 1 О, 11, редуктор 12, реечную шестерню 13 преобразуется в переменение рейки14, соединенной с...

Привод регулирующего органа ядерного реактора

Загрузка...

Номер патента: 1498274

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Генералов, Ларионов, Баев

МПК: G21C 7/14

Метки: реактора, органа, привод, регулирующего, ядерного

...К, в зацеплении.При работе привода вращения ротора 2 и шестерни 3 преобразуются в линейное переиещение рейки 4. При этои независимо от того, происходит перемещение вверх или вниз, взаимодействуют иежду собой только профи" ли 6 и 8, твк как усилие отвеса регулирующего органа Р , направлено всегда вниз, При этом вэаимодейст" вне профилей 6 и 8 происходит по закономерностям обычного эвольвеитного зацепления,В случае возникновения азартной ситуации, когда на рейку и регулирующий орган начинает действовать выталкивающая сила Р , (при разуплотнении крышки реактора нли чехла, сейсмическом воздействии, взрыве), рейка поднимается вверх и ее зубья 7 профилями 10 начинают взаимодействовать с профилями 1 зубьев 9. Вели бы зубья были выполнены...

Привод регулирующего органа ядерного реактора (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1135357

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Генералов, Баев

МПК: G21C 7/14

Метки: ядерного, привод, регулирующего, варианты, реактора, органа, его

...17 пружины 6.Шаг витков пружины 6 может быть выполненным переменным по высоте, причем величина шага убывает сверху вниз (в ту сторону, где расположен регулируощий орган 16 (5132)Сборка зубчатой рейки 14 с полым ва лом 5 осуществляется в нижнем положении рейки, при этом нижняя часть пружины 6 сжимается рейкой на некоторуо величину.Число витков пружины 6, сжимаемых зубчатой рейкой 14, в этом случае мало. При З 5 перемещении рейки вверх в случае постоянства величины сжатия число витков под зубчатой рейкой 14 увеличивается, следовательно, сила, с которой рейка сжимает пружину, будет уменьшаться, Поскольку 40 предполагается, что пружина 6 при монтаже предварительно поджата, то усилие растяжения пружины 6, действующее в ее верхней части,...

Заборное устройство винтового конвейера

Загрузка...

Номер патента: 1808797

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Хижняков, Генералов, Серилко, Татьянин

МПК: B65G 33/24

Метки: винтового, заборное, конвейера

...состоит из бесконечной ленты 1 с установленными на ней подгребающими лопастями 2, Лента огибает вал винта 3 и натяжной барабан 4. Ось барабана 4 установлена с возможностью свободного вращения в опорах кронштейнов 5 и б, жестко связанных с кожухом 7 винтового конвейера.С целью предотвращения проскальзывания ленты относительно вала 3 его поверхность выполнена рифленой в месте соприкоСновения с лентой 1, Угол наклона и шаг транспортирующей лопасти 2 равен углу наклона и шагу винтовой поверхности 8 винтового конвейера.Устройство работает следующим образом. При вращении вала 3 приходит в движение лента 1 с лопастями 2, погруженными в транспортируемый сыпучий материал, который заполняет пространство между лопастями 2 под действием...

Устройство для определения оптимального периода технического обслуживания изделий

Загрузка...

Номер патента: 1803924

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Лысенков, Арефьев, Кондратьев, Генералов

МПК: G07C 3/08

Метки: обслуживания, технического, оптимального, периода

...блоков: Ь - в блок 23; а - в блоки 21 и 24; А 2 - в блоки 19 и 20;0 - в блоки 17 и 19, Й - в блоки 17 и 18,В блоке 17 умножения происходит вычисление произведения Ь 6. результат поступает в блок 23 умножения, В блоке 19 умножения происходит вычисление произведения А О, результат поступает в сумматор 21, где вычисляется сума 120+ а, Результат из сумматора 21 поступает на первый вход 22 деления, на второй вход которого из блока 23 умножения поступает произведения Л 1 9 Ь, В блоке 22 деления происходит вычисление частного л 10 Ь/(Ж О+а), которое поступает в блок 25, где производится вычисления квадратного корня от частного, т,е, 1803924сигнала происходит подготовка ключей 27 и 28 для выдачи кодов операндов Т 1 и Т 2 на выходы...

Печь для непрерывной плавки металлургического сырья

Загрузка...

Номер патента: 1801196

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Серебренников, Птицын, Капитонов, Коган, Генералов, Равданис

МПК: F27B 17/00

Метки: плавки, непрерывной, сырья, печь, металлургического

...к печам для непрерывной плавки металлургического сырья в жидкой ванне (процесс Ванюкова) для производства тяжелых цветных металлов. Печь включает шахту, кессонированный пояс с фурмами, свод, подину, газоход, , шлаковый и штейновый сифоны, Сопряжение свода с газоходом печи выполнено по радиусу, составляющему 0,05-0,15 эквивалентного диаметра газохода печи, 2 ил,гидравлического диаметра газохода4 Р(О= - , где Р - площадь сечения; Р - иРметр внутренней поверхности),Процесс плавки в печи осуществляетсяследующим образом.Расплав, заполняющий шахту 1 печи,продувается через фурмы 3, Газы, образующиеся в результате химических реакцийпроцесса, и инертная часть дутья после барботажа расплава эвакуируются в газоход 5,Газовый поток содержит до...