Зимаков

Номер патента: 1417563

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Адлер, Зимаков, Миронов, Орлов

МПК: F25B 11/00

Метки: турбохолодильника

Способ регулирования турбохолодильника с компрессором, имеющим направляющий аппарат, и турбиной, имеющей сопловой аппарат, путем изменения площади сечения последнего, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности при работе турбохолодильника с переменным расходом газового потока, при уменьшении расхода сначала изменяют площадь соплового аппарата турбины в сторону уменьшения, а затем увеличивают закрутку газового потока в направляющем аппарате компрессора, а при увеличении расхода сначала уменьшают закрутку потока в направляющем аппарате, а затем изменяют площадь сечения соплового аппарата в сторону увеличения.

Номер патента: 1394848

Опубликовано: 27.07.2006

Авторы: Баранов, Зимаков, Миронов, Орлов

МПК: F25B 11/00

Метки: турбохолодильник

Турбохолодильник, содержащий турбину с сопловым аппаратом, снабженным поворотными лопатками, кинематически связанный посредством исполнительного механизма с валом привода, и компрессор с лопаточным направляющим аппаратом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности регулирования, направляющий аппарат компрессора снабжен своим исполнительным механизмом изменения угла наклона лопаток, а турбохолодильник дополнительно содержит распределительное устройство, содержащее установленный на валу привода диск с профилированной прямоугольной канавкой, два рычага, соединенные с обоими исполнительными механизмами и снабженные цилиндрическими роликами, размещенными в канавке, причем последняя...

Номер патента: 896966

Опубликовано: 20.03.2006

Авторы: Бабичев, Брагин, Зимаков, Кобулашвили

МПК: F16C 17/00, F25B 11/00

Метки: вала, микротурбодетандера, опора

1. Опора вала микротурбодетандера, содержащая упругие подшипники скольжения в виде втулки с опорными пластинами, отличающаяся тем, что, с целью упрощения ее изготовления, каждая пластина закреплена на втулке своей средней частью, и по крайней мере один из свободных участков пластины установлен в контакте с валом и служит опорной поверхностью.2. Опора по п.1, отличающаяся тем, что свободные участки смежных пластин установлены с перекрытием друг друга для образования двухслойных опорных поверхностей. 3. Опора по п.1, отличающаяся тем, что пластины выполнены различной длины, причем закрепленные во втулке средние части каждой пары коротких и длинных пластин совмещены друг с...

Номер патента: 864905

Опубликовано: 20.03.2006

Авторы: Баранов, Брагин, Зимаков, Миронов

МПК: F25B 11/00

Метки: микротурбохолодильник

Микротурбохолодильник, преимущественно для системы кондиционирования воздуха, содержащий корпус и установленные в нем на валу на газовых опорах рабочие колеса турбины и компрессора, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности и уменьшения габаритов, рабочие колеса снабжены конусными покрывными дисками, расположенными под углом 30-50° к оси вала и образующими с корпусом зазоры, имеющие ширину, равную 0,002-0,004 наружного диаметра колес, и служащие газовыми опорами.

Номер патента: 871578

Опубликовано: 10.03.2006

Авторы: Баранов, Зимаков, Миронов

МПК: F16C 27/02, F16C 33/04

Метки: демпферный, подшипник, скольжения

1. Демпферный подшипник скольжения, содержащий смонтированный в корпусе вкладыш с внутренним конусом и упругую спиральную ленту, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и ресурса работы на резонансных режимах, вкладыш установлен в корпусе с возможностью радиального перемещения и выполнен составным, по меньшей мере, из двух подпружиненных втулок, последовательно расположенных вдоль оси, при этом концы спиральной ленты закреплены в крайних втулках.2. Демпферный подшипник скольжения по п.1, отличающийся тем, что вкладыш выполнен, по меньшей мере, с одним отверстием, ось которого параллельна его продольной оси, и снабжен размещенным в этом отверстии, по меньшей мере, одним...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1058256

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Гортышова, Зимаков, Ошкин, Пучковский, Сметов, Шермергорн

МПК: A61K 31/66, C07F 9/32

Метки: n-пиперидилэтилтиолового, гидрохлорид, животных, инволюцию, кислоты, матки, органов, половых, послеродовую, сокращение, стимулирующий, ускоряющий, фенил(хлорметил, фосфиновой, эфира

Гидрохлорид N-пиперидилэтилтиолового эфира фенил(хлорметил)фосфиновой кислоты формулыстимулирующий сокращение матки животных и ускоряющий послеродовую инволюцию половых органов.

Номер патента: 1542376

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Бузин, Жаринов, Зимаков, Казаков, Чернышев

МПК: H02N 11/00

Метки: взрывомагнитного, генератора, нагрузке, передачи, электрической, энергии

1. Устройство для передачи электрической энергии от взрывомагнитного генератора к нагрузке, содержащее коаксиально расположенные наружный и внутренний проводники, разделенные диэлектриком, и элементы соединения этих проводников с взрывомагнитным генератором и нагрузкой, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и увеличения коэффициента передачи энергии, наружный и внутренний проводники разделены на первый и второй участки таким образом, что на первом участке со стороны взрывомагнитного генератора проводники имеют больший диаметр, а внутренний проводник выполнен в виде сплошного металлического диска, на втором участке проводника имеют меньший диаметр, причем наружный диаметр...

Номер патента: 1828316

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Бузин, Гриневич, Жаринов, Зимаков, Ионов, Куделькин, Травкин

МПК: H01H 39/00

Метки: импульса, плазменный, формирователь, электродинамический

Электродинамический плазменный формирователь импульса тока, содержащий вакуумную передающую линию, ограниченную двумя коаксиальными электродами, плазмообразующий элемент, расположенный между ними, и камеру нагрузки с входным отверстием, расположенную на внутреннем электроде, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности путем предотвращения преждевременного затухания тока, он снабжен замыкателем тока, последний состоит из кольцевого заряда ВВ, равномерно расположенных на внешней поверхности заряда ВВ электродетонаторов и диэлектрического элемента, причем диэлектрический элемент выполнен в виде двух соединенных между собой частей, цилиндрической и плоской кольцевой, указанная...

Номер патента: 1808353

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бородин, Гичев, Гуринович, Зимаков, Катеринич, Пузанков, Самодуров

МПК: B01D 35/16

Метки: воды

...подачи ее в эжекционно-смесительный узел 2 установлен насос 19. При необходимости повышения давления воды после очистки может быть использован насос 20,2 з.п. Ф-лы, 1 ил,Работа установки осуществляется следующим образом.Исходная вода из водоисточника насосом 19 подается в эжекционно-смесительный узел 2 к соплу 21. Из сопла 21 вода выходит с большой скоростью и образует зону пониженного давления, что приводит к подсасыванию воздуха из атмосферы через блок очистки и обогащения 4, выполненный в виде мембранно-селективного фильтра, Согласованность работы эжекционно-смесительного узла и блока очистки и обогащения осуществляется вентилем 5. Вышедшая из эжекционно-смесительного узла обогащенная кислородом вода поступает в вихревой реактор 3,...

Номер патента: 1767301

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Гайдукевич, Зимаков

МПК: F26B 13/08, F26B 13/16

Метки: листовых, сушилка

...и выгрузки полос и сборку кноля после его сушки, а также повысить надежность перехода шпона с одного вальца на другой. 2 ил,сасываемый через перфорацию вальца воздух нагнетается через калориферы 5 в камеру сопловых коробов 6 и отсекающий сектор 7, образующий нагнетательный короб 8 и перекрывающий часть отверстий барабана на тех участках, где не п роисходит транспортирование шпона. Снаружи каркас покрыт теплоизоляцией, выполненной в виде щитов и дверей, Сушилка также снабжена транспортерами загрузки 9 и выгрузки 10,Сушилка работает Шпон подается в рами загрузки 9 с напр локон вдоль оси суш первому нижнему вр лист шпона присасыв поверхности, В зоне нижнего вальца с верхна верхний валец, затем при дальнейшемвращении на третий...

Номер патента: 1763359

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Зимаков, Зимогорский, Ильина, Караванов

МПК: C01B 17/02

Метки: примесей, серы, углерода

...и лазерной технике, Способ очистки серы заключается в пропускании сернистого газа через расплав серы при 250 - 440 С, Содержание углерода в сере после очистки составляет 10 - 10, 1 табл,Целью изобретения является повышение степени очистки серы,Поставленная цель достигается пропусканием через расплавленную серу сернистого газа при температуре 250-440 С. При более низкой температуре не происходит удаление углерода, а верхний температурный предел ограничен температурой кипения серы (444 С).В основе предл го способа очистки серы от примесн рода лежит реакция;С+Я 02 - С 02+ЯПри большом содержании углерода можно осуществить контроль за составом отходящих газов с помощью двух поглоти- тельных склянок, первая их которых заполняется...

Номер патента: 1715597

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Зимаков, Титов

МПК: B27L 5/08

Метки: станок, шпонопочиночный

...в стопу 26.Станок работает следующигл образом,На стол станка 5 укладывается для починки лист 25 шпона, Включается привод 24оператором). Просечкой 2 вырубается дефектное ялесто в листе 25 и вставляется заплата, вырубаемая из ленточки 13установщиком 6, После возврата установщика 6 в исходное положение, ленточка 13псремещается кулачком 9 на один шаг, размер которого зависит от размера прияленяемых режущих инструментов штампов).Таким образом продолжается починка листов шпоаа.После использования ленточи последнего вынимают, а на ее место досылаютследующую из стопы 26, например, путем нажатия кнопки пуска магазина или автоматически, При этом подьемный столик 14 состопкой 26 ленточек поднимаются до касания ими валика 16, вкгпочается привод...

Номер патента: 1690076

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Блинов, Зимаков, Пупынин

МПК: B60M 3/00, H02H 7/26

Метки: замыканий, защиты, коротких, постоянного, сетей, тяговых, фидеров

...коротких замыканий работает следующим образом.При коротком замыкании увеличивается ток фидера (фиг.4, где Оср - напряжениесрабатывания и напряжение масштабногоусилителя тока 10) и уменьшается напряжение на выходе второго блока адаптации17. Дифференциатор 11 выделяет дифференциал приращения тока, второй пороговый элемент 12 фиксирует превышениебфпроизводной тока ф- некоторого заданно- бт го уровня,.С некоторым расширением на небольшое время задержки заднего фронта импульса, определяемого частотой основной высшей гармоники напряжения 300 Гц, отрицательный сигнал с выхода элемента 14 поступает на управляющий вход интегратора 13, и он начинает интегрировать входной сигнал, поступающий с дифференциаторэ 11 на его управляющий вход.Как только...

Номер патента: 1675599

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бобиков, Большаков, Зимаков, Куранов, Саков

МПК: F15B 21/04

Метки: гидропередача

...к механизму 2 управления и через обратные клапаны 11 и 12 - в силовые гидролинии 4 и 5. При работе гидропередачи в диапазоне допустимых значений температуры рабочей жидкости и при допустимом количестве рабочей жидкости в гидропередаче рабочая жидкость, поступающая в полости корпусов насоса 1 и гидро- мотора 3 по дренажной гидролинии 13 через теплообменник в дополнительную полость 24, а из нее через отверстие 28 в полость 21, попадает из последней по всасывающей гидролинии 7 через фильтр 15 на вход вспомогательного насоса 6. Изменения объема рабочей жидкости в гидропередаче из-за изменений температуры рабочей жидкости и наружных утечек компенсируются перемещениями поршня 19, изменяющего обьем полости 21.При недопустимом увеличении обьема...

Номер патента: 1583992

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Белов, Зимаков, Овласюк

МПК: H01H 69/01

Метки: блоком, защиты, исправности, многоступенчатой

...импульсы отключения определенной заданной длительности, Через элемент ИЛИ 9 срабатывает исполнительный элемент 10 и выключатель отключается. Срабатывание ступеней защит фиксируется элементами 12 сигнализации. После отключения выключателя 11 ток короткого замыкания пропадает, напряжение сети восстанавливается и измерительные пороговые элементы 6, элементы 7 выдержки времени, формирователи 8 длительности импульса отключения и исполнительный элемент 10 возвращаются в исходное несработанное состояние.При проверке работоспособности защиты при нажатии кнопки проверки через замыкающий контакт 25 сигнал от источника 26 контрольного сигнала (фиг. 3) подается на обмотку 3 контроля промежуточного трансформатора тока. Ток проверки в обмотке...

Номер патента: 1525800

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Белов, Зимаков

МПК: H02H 3/40

Метки: замыканий, защиты, контактной, коротких, оси, постоянного

...за счет энергии, накопленной в конденсаторе 26даже несмотря на резкую посадку напряжения питания, например при близкомк тяговой подстанции коротком замыкании, Поскольку ток короткого замыкания нарастает быстро, конденсатор 18не успевает зарядиться и уставка защиты не изменяется,При нормальной нагрузке и припуске электроподвижного состава токФидера нарастает медленно по мереразгона поезда ( кривая 34), На выходедифференциального масштабного усилителя 15 по мере возрастания тока увеличивается положительное напряжение.,которое заряжает конденсатор 18 (кривая 35)Это напряжение через эмиттерный повторитель 22 поступает на прямой вход компаратора 10, и он уже может сработать лишь гри большем токеФидера, т,е, при меньшем сопротивлении,...

Номер патента: 1504712

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Белов, Зимаков

МПК: H02H 3/40

Метки: дистанционной, защиты, постоянного, сети, тяговой

...10 и тока через резистор 11. На выходе компаратора 9 появляется сигнал (кривая 37), запускающий элемент 12 выдержки времени, последний срабатывает спустя заданную выдержку времени равную ступени для обеспечения селективности (кривая 38), и появляется сигнал отключения на выходе усилителя 13, приводящий к срабатыванию исполнительного блока 14 и отключению быстродействуюцего выключателя 3.При этом также срабатывают компараторы 16 - 18, однако элементы выдержки времени 19 - 21 не успевают сработать и положительный сигнал на их выходе не появляется, Уставка на срабатывание компаратора 9 не изменяется.МПри нормальной тяговой нагрузке и при пуске электроподвижного соста1504712 5ва ток Фидера нарастает медленно по мере разгона поезда...

Номер патента: 1481106

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Белов, Березуцкий, Зимаков, Пупынин

МПК: B60M 3/00

Метки: замыкания, защиты, короткого, постоянного, сетей, тяговых

...создавая на нем падение напряжения, пропорционально току шинь 2. Отрицательное напряжение рй (6,- - минимальный ток короткого замыкания) подается на прямой вход компаратора 8, Когда падение напряжения на шунте 1 сравнивается с падением напряжения на потенциометре 10 регулировки уставки, на выходе компаратора 8 появляется отрицательный сигнал, приводящий к срабатыванию нуль- орган 7 элемента 6 выдержки времени усилителя 5 и исполнительного элемента 4 отключения выключателя, в этом случае реализуют уставку срабатывания, определяемуго соотношением5 1 О откуда7,р ЙФ 4 7 р Йг Йр где Й 4 - сопротивление резистора 14;Йз - сопротивление резистора 15.Уставка по сопротивлению уменьшается с ростом нагрузки. Если правильно выбрано г, то ( ,...

Номер патента: 1466969

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Белов, Зимаков, Овласюк, Пупынин

МПК: B60M 3/00

Метки: дорог, железных, защиты, фидеров, электрических

...сети. Автоматическая подстройка уставки осуществляется с помощью инерционного блока 6, запоминающего предшествукнций3 14669режим. Такой блок может быть, например, выполнен с использованием операционного усилителя 8, резистора 10обратной связи и инерционного звена5в виде конденсатора 9, Инерционныйблок 6 формирует на своем выходе сигнал, интегрально учитывающий предшествующий режим, т.е. состояние защищаемого объекта до момента короткого замыкания. В качестве сигналов,характеризующих состояние объекта,могут быть использованы сигналы,пропорциональные первичному току,напряжению, их фазовым соотношениям, 15мощности, потребляемой фидером, сопротивлению, и другие сигналы, зависящие от первичных тока и напряженияили их соотношений. Величину...