Газуко

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...

Номер патента: 1726411

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Вагапова, Газуко, Жуликов, Пономарев, Прохоров, Прохорская, Струнин

МПК: C03C 13/06

Метки: волокно, минеральное

...Т 10 г: 1,98 - 2,21 ЕаОз; 5,30-5,87 РеО;20,47 - 29,28 СаО; 4,38 - 5,89 М 90; 1,10 - 1,20 ЯОз; 1,24 - 1,40 КгО: 1,13-1,18 йагО. Минеральное волокно имеет диаметр 4,00 - 5,93 мкм, плотность 75 - 78 кг/мз, водостойкость (рН) 3,61 - 3,72; температуроустойчивость 750-770 С, теплопроводность при 27 С 0,036-0,040 Вт/(мК), содержание неволокнистых включений размером 0,25 - 1 мм колеблется в пределах 9,04 - 12;6, коэффициент поверхностного натяжения расплава 377-389 дин/см, 1 табл,локно достигается уменьшение количества неволокнистых включений, а также уменьшение их размеров. Эти включения представлены в виде частиц размером 0,25-1 мм, а тогда как во всех известных волокнах раз- с мер частиц, как правило, составляет 0,25 - 3 мм, Уменьшение...

Номер патента: 758751

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Газуко, Горлов, Зацепин, Меркин, Румянцев, Фирскин, Чвилева, Шапошников

МПК: C08J 9/06

Метки: композиция, пенопласта

...агентФурпловый спиртПеиополистиролВспученный стеклопор Крсмиефторпстый натрий Поверкиост о-активное вещество ф 53 42 1 О 1 79 8,о , 7, 26 42 104 1406 5,4 5,0 590,2 0.4П р и м е ч а и и е. В композиции состава 1 использована добавкаГК)К, в композициях составов 111, Ю - ОП. Таблиь,а 2 Пока.атели составов предел прочности при сжатии,кг/см1 11 111 1 У Как видно,из таблиц, пенопласт, изго- кость его в два раза превышает огнестойтавливаемый из предлагаемой композиции, 30 кость известного пеносплава. Температурообладает рядом преимуществ. Огнестой- стойкость повышается до 250 С, что споря повышенной прочности стеклопора и его высокой адгезии к связующему, материал, изготавливаемый из предлагаемой композиции, имеет повышенные прочностные...