Способ получения п-слоев в антимониде индия

Номер патента: 1149822

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

Описание

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с, общей длительностью процесса 0,05 - 1,5 с и плотностью энергии в импульсе 3,5 - 6,5 Дж/см2.

Заявка

3609306/25, 22.06.1983

Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М. В. Ломоносова, Институт проблем механики АН СССР, Институт общей физики АН СССР

Коршунов А. Б, Генералов Н. А, Зимаков В. П, Соловьев Н. Г, Орликовский А. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Опубликовано: 20.09.2001

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1149822-sposob-polucheniya-p-sloev-v-antimonide-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения п-слоев в антимониде индия</a>

Похожие патенты