Полупроводниковый свч-диод

Номер патента: 119271

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Носов

МПК: H01L 29/861

Метки: базой, диод, плоскостной, полупроводниковый, тонкой

...с уменьшением У.Однако такому диоду свойственны два существенных недостатка. Уменьшение % приводит к росту обратного тока и не всегда удается получить омический контакт с Яр -х, в результате чего уменьшение толщины базы не будет приводить к падению Рр и 1,.Для устранения указанных недостатков прй сохранении остальных параметров, свойственных диодам с тонкой базой, предлагается заменить омический невыпрямляющий контакт 3 дополнительным р - и переходом. При этом новая конструкция диода с тонкой базой в разрезе будет выглядеть так, как показано на фиг. 3. Здесь омический контакт 3 заменен дополнительным р - и переходом б, расположенным от основного р - п перехода на расстоянии Р, меньшем, чем диффузионная длина 1,Б базового...

Номер патента: 1226201

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Казаков, Кузнецов, Лисицын, Путилин

МПК: G01N 21/55

Метки: прочности, соединения

...величина зазора междуконтактирующими поверхностями, с учетом наклонного падения луча,где К - угол падения луча; 9 - длина волны излучения. Ба фиг.изображена блок-схемаустройства, реализующего способ;на фиг, 2 - экспериментальная зависимость, связывающая величинь расро стояниямежду поверхностями вконтакте и прочности р контактногосоединения,Устройство содержит источникмонохроматического когерентного излучения, предметный столик 2, дающийвозможность сканирования зоны контакта, направляющие зеркала 3 и 4,приемник 5 светового излучения, диафрагму б с объективом, нейтральныйЗо светофильтр , измерительный прибор 8.Способ Осуществляется следующимобразом.Световой поток от источникаиз 55 лучения направляется с помощью зеркала 3 на испытуемый...

Номер патента: 1579340

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Битюрин, Миронов, Петров, Чириманов

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, лавино-пролетных, матрицы, мезаструктур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МЕЗАСТРУКТУР ЛАВИНО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ, включающий формирование на подложке германиевой или арсенидгаллиевой структуры типа n+-p-p+ (n+-n-p+), нанесение металлизации на структуру и ее разделение на отдельные активные элементы, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона генерации и повышения КПД диодов, в качестве материалв подложки используют медь, трехслойную структуру формируют путем нанесения на подложку слоев типа n+-p(n+-n), их рекристаллизации при 400 500oС, а p+-слои формируют на рекристаллизованной двухслойной структуре методом низкотемпературной диффузии.

Номер патента: 173849

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сестрорецкий, Синьков, Якубень

МПК: H01L 29/06

Метки: переключательный, полупроводниковый, свч, элемент

...осуществляется диэлектрическим покрытием.Толщина -области в элементе берется чительно больше, чем толщина р -ипереходов. В этом случае р - с и- пходы непосредственно не участвуют в у ленин сигналом СВЧ. Управление осуществляется за счет изменения проводимости области высокоомного полупроводникового криДля уменьшения мощности управления, атакже повышения стабильности параметров 10 рабочими напряжениями на элементе берутнулевое напряжение и положительное напряжение, равное примерно одномувольту. Так как элемент не используется при отрицательных напряжениях, то форма вольт-амперной 15 характеристики при обратных смещениях неимеет существенного значения, в результате внешние факторы (водяные пары) значительно слабее влияют на...

Номер патента: 364050

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Иванов, Кириллов, Половцев, Старик

МПК: H01P 1/15

Метки: полупроводниковое, свч, управляющее

...наружным проводником шлейфа 14 и втулкой б, а индуктивность - участком короткозамкнутого коаксиального шлейфа длиной О между втулкой б и короткозамыкателем 9.Для увеличения емкости применена диэлектрическая втулка 8.Собственная резонансная частота коротко- замкнутого шлейфа ниже средней рабочей частоты устройства, т. е. шлейф на частоте о эквивалентен некоторой регулируемой емкости, которая используется при настройке, Изменение величины этой емкости осуществляется перемещением корткозамыкателя 9,Собственная резонансная частота индуктивно-емкостной диафрагмы, наоборот, выше средней рабочей частоты устройства, т. е. диафрагма эквивалентна некоторой регулируемой индуктивности, причем изменение величины индуктивности осуществляется...