Патенты опубликованные 27.05.2002

Пьезоэлектрический генератор

Номер патента: 1600597

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Борисенок, Новицкий, Толстиков

МПК: H01L 41/08, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

1. Пьезоэлектрический генератор, включающий генератор ударной волны, выполненный плосковолновым, пьезоэлектрический преобразователь, выполненный в виде набора основных пьезопластин с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенных электрически параллельно, а грани их, обращенные к генератору ударной волны, расположены в одной плоскости, пороговый элемент, блок пьезопластин, подключенный параллельно к пьезоэлектрическому преобразователю и через пороговый элемент - к выходным клеммам пьезоэлектрического генератора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия...

Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Устройство для исследования поверхности планет солнечной системы

Номер патента: 1307735

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Камышный

МПК: B64G 1/16

Метки: исследования, планет, поверхности, системы, солнечной

1. Устройство для исследования поверхности планет солнечной системы, содержащее исследовательские приборы, привод перемещения и шасси, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат на исследования и упрощения конструкции, привод перемещения выполнен в виде термобиметаллической пластины, на углах которой установлены шасси, выполненные в виде изогнутых в одну сторону заостренных опор.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что заостренные опоры с одной стороны пластины выполнены короче, чем заостренные опоры с другой стороны пластины.3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено жесткой рамкой, поджимающей термобиметаллическую пластину.

Устройство для определения положения линии горизонта в полете

Номер патента: 1307972

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Пленцов

МПК: G01C 19/34

Метки: горизонта, линии, полете, положения

Устройство для определения положения линии горизонта в полете, содержащее датчики тангажа и крена самолета, соединенные каждый со своим приводом, генератор оптических сигналов, включающий источник света с линией искусственного горизонта и внешним и внутренним корпусами, соответственно соединенными с приводами, а также блок индикации с отражающей поверхностью и датчик курса самолета, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения положения линии горизонта при разворотах самолета в условиях отсутствия видимости естественного горизонта, в него введены привод и кронштейн, при этом источник света установлен на кронштейне и кинематически связан с приводом, вход которого подключен к...

Устройство для последовательного формирования импульсов в нагрузках

Номер патента: 1551029

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Толстиков

МПК: F42C 11/00

Метки: импульсов, нагрузках, последовательного, формирования

Устройство для последовательного формирования импульсов в нагрузках, содержащее источник питания и N цепей, каждая из которых содержит последовательно соединенные пороговый элемент и нагрузку, причем один вывод порогового элемента первой цепи соединен с первым выводом источника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в нем в каждую цепь, начиная с N-1, включен между пороговым элементом и нагрузкой по крайней мере один поляризованный пьезоэлемент, причем вывод пьезоэлемента, полярность которого противоположна полярности первого вывода источника питания, подключен к второму выводу порогового элемента, второй вывод пьезоэлемента подключен к первому выводу...

Устройство для выращивания кристаллов по методу вернейля

Номер патента: 805667

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Сытин, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу

Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.

Устройство для изготовления ленты из проволоки

Номер патента: 1441576

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Боженков, Васянович, Кундас, Нефедов, Семенов, Сятковский, Тявловский, Черняев

МПК: B21F 21/00

Метки: ленты, проволоки

Устройство для изготовления ленты из проволоки, содержащее два соосно размещенных бойка, по крайней мере один из которых соединен с источником ультразвуковых колебаний, а деформирующие и калибрующие поверхности бойков расположены под углом одна к другой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности устройства за счет увеличения степени единичных обжатий, каждый боек выполнен с углом между деформирующей и калибрующей поверхностями, равным 10-18o, а длина L калибрующей поверхности выбрана из условиягде 2A - расстояние между крайними положениями калибрующей поверхности бойка;

Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля

Номер патента: 403236

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов

Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.

Способ импульсной поляризации сегнетокерамики

Номер патента: 1814465

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Агаларов, Новицкий, Садунов, Садыков, Толстиков

МПК: H01L 41/24

Метки: импульсной, поляризации, сегнетокерамики

Способ импульсной поляризации сегнетокерамики, заключающийся в приложении к образцу из сегнетокерамики, помещенному в диэлектрическую среду, при комнатной температуре однополярного электрического импульса, отличающийся тем, что, с целью обеспечения заданного уровня поляризации, электрический импульс прикладывают к цепи из последовательно соединенных образца из сегнетокерамики и дополнительного образца из сегнетотоэлектрика, а поляризацию прекращают по достижении дополнительным образцом состояния насыщения, причем характеристики материала и площадь электродов Sдоп дополнительного образца выбирают из соотношения

Координатный коммутатор

Номер патента: 1389587

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Камышный, Рукман

МПК: H01H 67/00

Метки: коммутатор, координатный

1. Координатный коммутатор, содержащий контактные исполнительные механизмы в точках пересечения шин коммутатора, контакты которых соединены с указанными шинами, и источник управления, отличающийся тем, что, с целью снижения габаритов и стоимости и повышения быстродействия, в качестве указанных контактных исполнительных механизмов использованы датчики давления, а в качестве источника управления использован источник когерентных ультразвуковых колебаний, предварительно пропущенных через акустическую голограмму.2. Коммутатор по п.1, отличающийся тем, что каждый указанный датчик давления снабжен фиксатором замкнутого состояния его контактов после снятия воздействия указанного источника...

Устройство для выращивания кристаллов по вернейлю

Номер патента: 522567

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 - 4) : (15 - 32).

Способ получения литейных магниевых сплавов

Номер патента: 693984

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Белкин, Вяткин, Голованова, Дмитриева, Катухова, Костин, Лебедев, Мухина, Росанова, Сарычихин

МПК: C22B 26/22, C22C 1/02

Метки: литейных, магниевых, сплавов

Способ получения литейных магниевых сплавов путем расплавления магния, легирования его другими компонентами сплава, выстаивания и разливки в чушки, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты и коррозионной стойкости сплавов систем Mg - Al - Zn, Mg - Zn - Zr и Mg - РЗМ - Zr, сначала готовят предварительный сплав введением в расплавленный магний не менее двух переходных металлов с ограниченной растворимостью в магнии, после чего расплавленные чушки предварительного сплава легируют металлами, по крайней мере один из которых несовместим с одним из компонентов предварительного сплава.

Индукторная машина

Номер патента: 1510670

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Истомин, Пронин, Смирнов

МПК: H02K 19/18

Метки: индукторная

Индукторная машина, содержащая зубчатый безобмоточный магнитопровод ротора, размещенный внутри статора с установленной на статоре обмоткой управления, два кольцевых магнита, намагниченных в осевом направлении встречно один другому и расположенных по обе стороны безобмоточного ротора, внешне замкнутый магнитопровод, установленный с нерабочими воздушными зазорами по отношению к ротору, герметизирующий обмотку управления экран, выполненный из немагнитного материала с магнитномягкими вставками в местах примыкания экрана к полюсам статора, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения габаритов машины, на роторе установлены два гладких цилиндрических магнитопровода, каждый из которых ограничивает...

Состав для полирования монокристаллов

Номер патента: 1450438

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Арзуманян, Журавлева, Нестерова, Павлов, Циглер

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полирования, состав

Состав для полирования монокристаллов, включающий этиленгликоль и неорганическую кислоту, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности полирования монокристаллов -йодноватой кислоты с высоким классом чистоты поверхности, в качестве неорганической кислоты он содержит 24,5-25,7%-ную азотную кислоту, а дополнительно включает раствор насыщенной йодноватой кислоты и алмазный микропорошок при следующем количественном соотношении ингредиентов, %:Этиленгликоль - 9-1124,5-25,7%-ная азотная кислота - 65,5-69,5Раствор насыщенной йодноватой кислоты - 6-8Алмазный микропорошок - Остальное

Способ настройки межрезонансного промежутка пьезокерамических резонаторов

Номер патента: 1679941

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Батьянов, Надолинский, Новицкий, Черных

МПК: H03H 3/04

Метки: межрезонансного, настройки, промежутка, пьезокерамических, резонаторов

Способ настройки межрезонансного промежутка пьезокерамических резонаторов, включающий воздействие на предварительно поляризованный пьезокерамический резонатор электрическим полем с периодически изменяющейся частотой, измерение резонансной и антирезонансной частот, определение разности этих частот и сравнение ее с заданной, отличающийся тем, что, с целью упрощения, амплитуда напряжения электрического поля с периодически изменяющейся частотой выбрана в пределах 0,1-0,3 Ec, где Ec - амплитуда напряжения коэрцитивного поля доменов материала пьезокерамического резонатора.

Пьезоэлектрический генератор

Номер патента: 1777532

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Толстиков, Трищенко

МПК: H01L 41/113, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

Пьезоэлектрический генератор, содержащий конвертор для генерации ударной волны, пьезоэлектрический преобразователь, выполненный в виде набора пьезопластин с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения ударной волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенным электрически параллельно, цепь из последовательно соединенных порогового элемента и нагрузки, подключенную к выводам пьезоэлектрического преобразователя, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности пьезогенератора вблизи порога его срабатывания, параметры конвертора и пьезоэлектрического преобразователя выбраны из соотношенийZn/D>

Пьезоэлектрический генератор

Номер патента: 1835977

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пучкова, Симаков, Толстиков

МПК: H01L 31/113, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

Пьезоэлектрический генератор, содержащий конвертор для генерации ударной волны, пьезопреобразователь, выполненный в виде набора пластин из сегнетоэлектрика с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения ударной волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенных электрических параллельно, пороговый элемент, блок пластин из сегнетоэлектрика, подключенный параллельно пьезопреобразователю и через пороговый элемент - к выводам пьезогенератора, при этом толщина пластин блока выбрана из соотношения X2 = Vпр/E*co, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и энергии выходного...

Устройство для выращивания монокристаллов по способу вернейля

Номер патента: 304784

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Ильин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, монокристаллов, способу

Устройство для выращивания монокристаллов по способу Вернейля, включающее кристаллизатор, систему подачи газа, бункер с дозатором, шихтопровод, входящий в полость горелки, и кристаллодержатель с приводом для его вращения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного градиента вдоль выращиваемого кристалла, горелка с шихтопроводом и бункером с дозатором размещена на каретке, перемещающейся по вертикальным направляющим при помощи привода, между шихтопроводом и верхней частью кристаллизатора выполнено уплотнение, а кристаллодержатель закреплен на одном уровне с кристаллизатором.

Устройство для получения ленты из проволоки

Номер патента: 1349079

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Батьков, Боженков, Колтович, Крюков, Кудрявцев, Кундас, Лось, Семенов, Сергеев, Степанов, Сятковский, Тявловский

МПК: B21F 21/00

Метки: ленты, проволоки

Устройство для получения ленты из проволоки, содержащее вакуумную камеру, два источника ультразвуковых колебаний, размещенные в вакуумной камере деформирующие инструменты-бойки, жестко соединенные с источниками ультразвуковых колебаний, лентопротяжный механизм, уплотнение для ввода проволоки в вакуумную камеру, механизм противонатяжения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества ленты из тугоплавких и труднообрабатываемых металлов и сплавов и обеспечения возможности плющения проволоки большого диаметра, оно дополнительно содержит токопроводящие контакты для взаимодействия с проволокой-лентой, установленные в вакуумной камере по обе стороны от деформирующих инструментов-бойков,...

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом вернейля

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Взрывной пьезогенератор

Номер патента: 1533612

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Толстиков

МПК: H01L 41/08, H02N 2/00

Метки: взрывной, пъезогенератор

Взрывной пьезогенератор по авт. св. 1119564 (вариант 1), отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы и мощности в условиях внешних механических воздействий, в него дополнительно введены пороговый элемент и блок неполяризованных пьезопластин, подключенный параллельно пьезоэлектрическому преобразователю и через пороговый элемент к выходным клеммам, при этом блок неполяризованных пьезопластин состоит из двух частей, каждая из которых содержит набор одинаковых пьезопластин, материал и толщина которых выбраны из соотношенияX(21)E(21)K<X<sup>(22)E(22)K,где X(21), X(22) - толщина...

Многоэлементный твердотельный разрядник

Номер патента: 925218

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Трищенко

МПК: H01H 57/00, H01T 1/00

Метки: многоэлементный, разрядник, твердотельный

Многоэлементный твердотельный разрядник, содержащий генератор ударной волны, на выходной поверхности которого установлены последовательно соединенные пластины из материала, обладающего свойством спонтанной поляризации, векторы поляризации которых перпендикулярны выходной поверхности генератора ударной волны и взаимно противоположны в соседних пластинах и электроды, расположенные на параллельных поверхностях указанных пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы, электроды расположены на параллельных выходной поверхности генератора ударной волны поверхностях указанных пластин, число которых выбрано...

Устройство для определения положения самолета в пространстве

Номер патента: 1119406

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Пленцов

МПК: G01C 23/00

Метки: положения, пространстве, самолета

Устройство для определения положения самолета в пространстве, содержащее корпус с прозрачным экраном световой индикации, закрепленным на его внешней стороне, с нанесенными на нем шкалами крена, тангажа, указателем условного горизонта и шкалой высотомера, ноль которой совпадает с линией условного горизонта, подвижные указатели крена и тангажа, соединенные посредством электромеханических приводов с гироагрегатом, и высотомер, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения положения самолета в пространстве при отсутствии видимости естественного горизонта при маневрировании с большими углами тангажа, в него введены подвижная шторка, объемный макет самолета, три привода, тросовая...

Способ плакирования металлических деталей

Номер патента: 1120562

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бусалаев, Кузьмин, Седых, Соннов, Шморгун

МПК: B23K 20/08

Метки: металлических, плакирования

Способ плакирования металлических деталей путем сварки взрывом плакируемой детали с расположенным над ней плакирующим листом, при котором инициируют заряд взрывчатого вещества, расположенный на плакирующем листе в зоне перед уступом на кромке плакируемого листа шириной, равной ширине этого листа, высотой, равной амплитуде образующихся волн, и из материалов с твердостью не менее твердости материала плакируемой детали, отличающийся тем, что, с целью повышения качества сварного соединения путем исключения непровара и деформации деталей на начальном участке соударения, уступ изготавливают из пластины толщиной не менее трех толщин плакирующего листа.

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом

Номер патента: 1294032

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин

МПК: C30B 11/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.

Способ обработки тугоплавких металлов

Номер патента: 1356520

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Боженков, Кундас, Мутовин, Печатников, Рощин, Семенов, Сятковский, Тявловский

МПК: C22F 1/18

Метки: металлов, тугоплавких

Способ обработки тугоплавких металлов, включающий нагрев, пластическое деформирование силовыми импульсами при одновременной подаче на деформируемый металл упругих колебаний и охлаждение в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения деформируемости и физико-механических свойств металла, в процессе нагрева перед пластическим деформированием силовыми импульсами металл деформируют растяжением до степени деформации 6 - 12%, при этом нагрев ведут при температуре, определяемой из соотношениягде - степень деформации металла растяжением;

Индукторная машина

Номер патента: 1591709

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Смирнов

МПК: H02K 1/27, H02K 19/06, H02K 19/18 ...

Метки: индукторная

Индукторная машина, содержащая пакет статора, на полюсах которого размещена обмотка управления, герметизирующий обмотку управления кольцевой экран, выполненный из немагнитного материала с магнитомягкими вставками, примыкающими к полюсам статора, ротор, имеющий зубчатый безобмоточный магнитопровод и аксиально намагниченный кольцевой постоянный магнит, охваченный немагнитной частью экрана, внешнезамкнутый магнитопровод, охватывающий пакет статора, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия путем уменьшения момента инерции ротора, зубчатый безобмоточный магнитопровод ротора состоит в аксиальном направлении из двух частей, а кольцевой постоянный магнит расположен между ними, при...

Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат

Номер патента: 1070954

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Каргин, Сытин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: аппарат, кристаллизационный, подачи, шихты

Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат, содержащее корпус, имеющий патрубки для присоединения к аппарату, установки бункера с шихтой и подачи газа, поворотную пробку, в которой выполнены перпендикулярно ее оси сквозные отверстия для подачи газа и шихты и два соединенных каналом паза, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени смены бункеров и повышения за счет этого качества монокристаллов, устройство снабжено поворотным кронштейном для закрепления по меньшей мере двух бункеров, установленным на вертикальной оси с возможностью вертикального перемещения и взаимодействующим с кронштейном кулачком, закрепленным на оси поворотной пробки, а в патрубке для установки...

Способ правки катаных плит из алюминиевых сплавов

Номер патента: 1594788

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Баканов, Быков, Головлева, Липовой, Слюсаренко, Телешов

МПК: B21D 1/00

Метки: алюминиевых, катаных, плит, правки, сплавов

Способ правки катаных плит из алюминиевых сплавов, включающий растяжение изделия и последующий поперечный изгиб, отличающийся тем, что, с целью повышения качества за счет снижения разброса механических свойств плит, изгиб производят с максимальным значением прогиба, определяемым из соотношениягде W - значение прогиба;макс - максимально допустимая величина остаточной деформации при растяжении;раст - величина фактической остаточной деформации при...

Устройство для формирования управляющего воздействия

Номер патента: 1596879

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Пучкова, Садунов, Толстиков

МПК: F42C 11/00

Метки: воздействия, управляющего, формирования

Устройство для формирования управляющего воздействия, содержащее источник питания и N цепей, состоящих из электрически соединенных конвертируемого модуля и нагрузки, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства путем организации управления модулем в отсутствие питания и повышения стойкости модуля к воздействию проникающего излучения, в устройство введены N блоков управления, а конвертируемые модули выполнены в виде твердотельных разрядников, содержащих каждый К пластин электрически активного материала, обладающего свойством спонтанной поляризации, с двумя токовыводами на противоположных поверхностях каждой пластины, сопряженных между собой поверхностями,...