Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентраций электронов в упрочненном слое до 8
1019 см-3, антимонид индия легируют германием, облучают ионами аргона и проводят лазерный отжиг плотностью мощности от 6 до 56 квт/см2 при длительности импульса от 6 10-3 до 0,8 10-3 с.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что антимонид индия легируют германием, облучают ионами аргона и проводят лазерный отжиг с плотностью мощности от 4 до 300 мвт/см2 при длительности импульса от 5
10-8 до 0,3 10-8 с.4. Способ по п.1, 2 и 3, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации электронов в упрочненном слое от 1,1
1020 до 2,5 1021 см-3, подложку облучают ионами теллура.5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью управления глубиной n-слоя в структурах n+-n-p от 10 до 500 мкм, антимонид индия легируют германием до получения концентрации дырок от 1
1012 до 5 1013 см-3, а облучение осуществляют ионами теллура в течение времени от 20 до 2 103 с. Заявка
2509320/25, 18.07.1977
Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М. В. Ломоносова
Коршунов А. Б, Миркин Л. И, Тихонов В. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: антимониде, индия, структур, электронно-дырочных
Опубликовано: 20.09.2001
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-665611-sposob-polucheniya-ehlektronno-dyrochnykh-struktur-v-antimonide-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия</a>
Способ ионно-лучевой обработки режущего инструмента из твердых сплавов
Номер патента: 1707997
Опубликовано: 20.01.1997
Авторы: Полетика, Полещенко, Пучкарева
МПК: C23C 14/48
Метки: инструмента, ионно-лучевой, режущего, сплавов, твердых
...диапазоне скоростей резания (подача 5 = 0,14 мм/об, глубина резания= 1,5 мм). Снижение адгезионно-диффузионных процессов после+ +, +упрочнения ионами г фд г подтверждается результатами исследования изношенных поверхностей режущего инструмента. Изношенная площадка контакта имплантированного инструмента характеризуется меньшим количеством адгезионных вырывов.Исследование режимов имплантации и испытаний обработанных твердосплавных пластин позволило выбрать оптимальные режимы облучения по дозе и энергии ионов (см. табл. 1). Указанный нижний порог дозы 510 ион/см при энергии свыше 30 кэВ1 б 2обеспечивает некоторое повышение износостойкости. Однако уже при этой дозе при низких энергиях (25 кэВ) эффекта не наблюдается, поэтому снижение дозы...
Элемент памяти
Номер патента: 1153768
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев
МПК: H01L 27/11
1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...
Способ создания интегральных микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1589932
Опубликовано: 20.12.1995
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/306
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки
1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...
Способ электрофоретического разделения частиц
Номер патента: 577447
Опубликовано: 25.10.1977
МПК: G01N 27/26
Метки: разделения, частиц, электрофоретического
...потока жидкости; стрелками Е показано направлениеэлектрического поля.Процесс разделения осуществляется следующим образом. Разделяемая смесь 2 в видетонкой полосы инжектируется в централь-уиый слой 1 ламинарного потока несущей жидкости, заключенный между двумя соседнимислоями - верхним 3 и нижним 4. Электропроводность центрального слоя устанавливают(путем добавления соответствующих количе- ЗОств буферных солей) такой, чтобы обеспечитьтребуемые рабочие условия для разделения-2даной смеси частиц. (обычно 8,10 омм ). Электропроводность верхнего и нижнего слоя устанавливают много меньшей %(обычно 10 ом м), чем и центральном слое, что уменьшает величину протекающего через них электрического тока, а значит, уменьшает...
Способ изготовления биполярных транзисторов
Номер патента: 1800501
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий
МПК: H01L 21/263
Метки: биполярных, транзисторов
...типа (А,Е-центры, комплексы. С 5-Сь дивакансии), в процессе пассивации происходит электрическое взаимодействие между отрицательно заряженными РД и положительно заряженными атомами водорода, В результате процесса комплексообразования отрицательно заряженные центры теряют рекомбинационную активность, Атомы водорода пассивируют также разорванные радиацией связи в решетке на границе 51-302, уменьшая плотность поверхностных состояний. Следствием этого является уменьшение механических напряжений на границе Я-З 02 и улучшение электрических параметров транзисторов, При эксплуатации приборов в полях ионозирующих излучений атомы водорода в решетке Йснижают вероятность устойчивых радиационных дефектов за счет взаимодействия с первичными...
Предыдущий патент: Способ определения типа проводимости полупроводникового материала
Следующий патент: Установка для очистки и удаления газообразных отходов ядерного реактора
Случайный патент: Роторная машина