Способ изготовления тиристорных структур

Номер патента: 184423

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Антонов, Пионтковский, Резников

МПК: B29D 30/06, B29D 30/10

Метки: велошин, каркасов, слоев

...8, по которойперемещается механизм 9 срезки слоев каркаса, состоящий из смонтированного на каретке 10 электропривода 11 дискового ножа 12,Клеепромазочный механизм 2 содержит О установленную на направляющей 3 каретку13, на которой расположены клеевая ванна 14 с промазочным фигурным патрубком 15, уплотняющие полукольца 16 и прижимной ролик 17, расположенный под углом к оси дорна б. На клеевой ванне 14 размещено натяжное приспособление 18 и скребок 19. Устройство снабжено вытяжной вентиляцией 20.Устройство работает следующим образом.В шпулярник 4 устанавливаются бобины с 20 нитями, которые пропускаются через натяжное приспособление 18, фигурный патрубок 15 и закрепляются на дорне б. При вращении дорна б одновременно наматывается несколько...

Номер патента: 973006

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Альберт

МПК: B29J 5/08

Метки: волокнистой, волокнистых, действия, изготовлении, массы, непрерывного, плит, подпрессовки, пресс, слоя, стружечных

...пластинчатых гусениц 2размещены валки высокого давления 6,которые установлены в одной вертикальной плоскости, прицем как минимум один. валок высокого давления 6явллетсл приводным, а од.,н валок высокого давления 6 установлен с возможностью перемещения в направлениик другому. Каждый валок высокого давлснил 6 охвачен расположенной междуним и бесконечной лентой 5 полиамид"ной лентой 7, имеющей направляющиевалки 8 с натяжными устройствами 9,направляющие валки 0 смонтированыдруг над другом снизу и сверху рабоцих40ветвей 10 бесконечных лент 5,Кандая полиамидная лента 7 снабжена вторым направляющим валком 11 срегулирующим механизмом 12 противбокового смещенил полиамидной ленты 7, а также третьим направляющимвалком 13, который расположен...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Номер патента: 986229

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/22

Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур

...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...