Булышев

Номер патента: 1342288

Опубликовано: 20.06.2011

Авторы: Андриевский, Балабанов, Бельский, Булышев, Дюмаев, Каширский, Клоков, Поплавский, Попова, Четкина

МПК: G03G 5/09

Метки: поли-n-винилкарбазола, поли-n-эпоксипропилкарбазола, сенсибилизатор, фотопроводимости, электрофотографических

Применение нитрозамещенных бифенилкарбоновых кислот общей формулы где R=R1=R4=NO 2, R2=R3=H;R=R 1=R3=R4=NO2, R2 =H;R=R1=R2=R3 =R4=NO2;R=R1=R 4=NO2, R2=COOH, R3=H; R=R1=R3=R4=NO 2, R2=COOHв качестве сенсибилизатора фотопроводимости поли-N-винилкарбазола и поли-N-эпоксипропилкарбазола...

Номер патента: 1783940

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Булышев, Иванов, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, покрытий, сверхпроводящих

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 - 1200oС в течение 5 - 20 мин с последующей закалкой при комнатной температуре.

Номер патента: 1826462

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Булышев, Селявко, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...на дифрактометреДРОН-ЗМ Д Сц-К Ка) показывает, что онина 95 состоят из фазы В 1-2223,20 По сравнению с прототипом, предлагаемый способ позволяет оптимизировать процесс и получить сверхпроводящий материал, содержанием до 95 офазу В 1-2223.25 Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО 30 МАТЕРИАЛА В 11,вРЬ 0,4 Са 2 Яг 2 Сц 2 010, включающий приготовление шихты из исходных соединений, синтез, охлаждение и последующий отжиг и ри 840- 860 С, отличающийся тем, что, с целью35 Составитель С. ПашковаТехред М.Моргентал Корректор О. Густи Редактор С, Кулакова Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 83 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород,...

Номер патента: 1826463

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Булышев, Селявко, Серых, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с максимальным количеством фазы В 1-2223 методом твердофаэного синтеза. Поставленная цель достигается тем, что в способе, включающем приготовление исходного состава из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Зг, Са, синтез и отжиг при 840-850 С в течение 50 ч, используют шихту, в стехиометрическом соотношении соответствующую составу ВИ,еРЬо,Саг+5 гг-хСцзОю, где 0,35 х0,4.Способ осуществляют следующим образом.Используется исходный состав шихты В,оРЬ 0,4 Саг+хЗгг-хСцэ 01 о, где 0,35 х (0,4,Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающего фазу В 1- 2223, путем приготовления шихты из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Яг, Са, синтеза и отжига при 840 - 850 С. который предваригельно...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1680532

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Булышев, Никифоров, Осипова

МПК: B29C 35/02, B29D 31/00

Метки: колец, круглого, резиновых, сечения, уплотнительных

...А В 29 С 35/02, В 29 О 31/00//В 291 31;26После вулканизации готовое кольцо 4извлекают из пресс-формы 3,П р и м е р 1. Были изготовлены уплотнительные кольца 4 диаметром 116 мм и сечением 10 мм из резины ФСУна основе 5комбинации каучуков СКТ ФТ+ СКТФТ 100.На шприц-машине выпускали шнур диаметром 7,2,7,3 мм (что составляло0,72,0,73 диаметра радиального сечения 10формующего гнезда 2 пресс-формы 3). Отшнура отрезали заготовку 1 длиной800,850 мм, равной удвоенной длине окружности формующего гнезда 2. Заготовкуукладывали в формующее гнездо 2 в виде 15спирали, первый виток а которой располагали в нижней половине формующего гнезда,а второй виток Ь - на первом витке а. Притакой укладке между внутренней поверхности гнезда пресс-формы и...

Номер патента: 1593965

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Булышев, Никифоров, Салитан, Шурупова

МПК: B29C 43/56

Метки: вакууме, полимерных, формования

...закрепляетсяфиксаторами 8 относительно металлической обоймы 2 таким образом, чтобы верхний край пресс-формы был выше верхнегокрая металлического цилиндра, но не вышерезинового кожуха 1. Затем укладываетсязаготовка из сырой резиновой смеси 10 врабочую полость нижней плиты пресс-формы 9 и закрывается верхней плитой последней с закрепленным кожухом 1, при этомверхняя плита пресс-формы 9 не касаетсязаготовки иэ сырой резиновой смеси 10. Далее кожух 1 с пресс-формой 9 помещаетсяна нижнюю плиту 12 пресса, производитсяподъем нижней плиты 12 до того момента,когда верхний край резинового кожуха 1коснется верхней плиты 1 пресса и образуетсязамкнутая полость, начинается отсосвоздуха иэ внутренней лолости ожуха 1 ирабочей полости пресс-Формы 9 через...

Номер патента: 1320428

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Булышев, Казанский, Каптейн, Комиссаров

МПК: E21D 11/36

Метки: крепь, сопряжения

...поворотной опоры 16, ось 17 вращения которой закреплена на боковом основании 6 со стороны центральной секции крепи.Цилиндры дополнительных гидростоек 15 при помощи сферических шарниров 18 установлены в направляющих 19, выполненных на центральном основании 9 по его длине. На основании 9 установлен гидродомкрат 20 передвижки, соединенный кронштейном 21 с основаниями 6.Крель работает следующим образом, Для передвижки центрального верхняка 7 и основания 9 разгружаются гидростойки 8 с одновременным подпором дополнительных гидростоек 15, после чего центральная часть крепи передвигается гидродомкра том 20 передвижки, в этот момент боковые гидростойки 5 и дополнительные 15 остаются распертыми. После передвижки центральной части крепи...

Номер патента: 1111127

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Булышев, Каширский, Синицкий

МПК: G03G 5/06

Метки: органического, фотополупроводникового

...дихлорэтан, диметилФормамид, тетрагидрофуран.Жидкую композицию освещают светом,включающий спектральный диапазон 200500 нм,Исходными химическими компонентами в этом синтезе служат сам полупроводник и растворитель. Под действиемсвета мЕжду полупроводником и растворителем происходит Фотохимическая реакция, продукты которой являются сенсибилиэатором, т.е, расширяют спектральную область чувствительности фотополупроводникового материала в сторону длинных волн и увеличивают егоинтегральную чувствительность,Продукты Фотохимической реакцииМитропроиэводных флуоренона с растворителем улучшают механические свойстваматериала, его адгезию к подложке иподавляют процессы кристаллизациив ием. Поэтому органический фотополупроводниковый материал Может...