Эмексузян

Номер патента: 1649974

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Болотов, Камаев, Эмексузян

МПК: H01L 31/18

Метки: инфракрасной, области, спектра, фоточувствительного, элемента

Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра, включающий легирование кремния донорной примесью с мелкими уровнями и создание омических контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения обнаружительной способности элемента за счет уменьшения шумов, после создания омических контактов проводят обработку в среде, содержащей свободные ионы водорода, до создания на границе раздела среда кремний концентрации водорода NH 4 1015 см-2 при 320 600 К в течение времени, необходимого для проникновения ионов водорода на всю...

Номер патента: 1649975

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Болотов, Камаев, Эмексузян

МПК: H01L 31/18

Метки: инфракрасной, области, спектра, фоточувствительного, элемента

1. Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра, включающий формирование в подложке на основе сильно легированного мелкой примесью кремния слоя с подавленной прыжковой проводимостью и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности за счет снижения темнового тока, подложку выдерживают при 320 470 К в течение 0,5 10,0 ч в среде, содержащей свободные ионы водорода в количестве, достаточном для создания на границе раздела среда полупроводник концентрации водорода 3 1016 см-3.

Номер патента: 1313254

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Ахметов, Болотов, Гаврошевски, Рихтер, Смирнов, Шмальц, Эмексузян

МПК: H01L 21/263

Метки: атомов, геттерирования, дефектов, металлов, полупроводниках, тяжелых

...мкм, Облучение при 350 К в течение 300 с электронами с энергиейЕ = 3,5 МэВ, дозой Ф = 10 смБ - 2.поверхность окисляют травлением вСРс последуюцей выдержкой на воздухе в течение 70 ч.в -эБдц =7 10 см прий=2 2 мкм,Термообработка 570 К в течение1 ,8 -эБ= 7 10 см при Ь = 2,2 мкм.Облучение при 300 К электронами5 Яс энергией 3,5 МэВ дозой 510 эл/смс последующим отжигом при 570 К в течение 1 ч.БА 1,410 см при Й =- 2,2 мкм,Аналогичный результат получен ипри температуре облучения 280 К.П р и м е р 3. Материал и условия 40приготовления поверхности как и впредыдущих примерах.Б ц = (1,4-15) 1 О см при= 3,4 мкм,Термообработка 770 К в течение д1 ч,941 О см при й =: 394 мкмОблучение при 300 К электронамис энергией 3,5 МэВ дозой 5 10 смс последуюцим...