Патенты с меткой «нейристор»

Номер патента: 395862

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кандыба, Комаровских, Фурсин

МПК: G06G 7/60

Метки: 5-образной, вольтамперной, нейристор, основе, приборов, характеристикой

...1 должно быть не менее100 сл слг.Величина сопротивления резистора 9, шунтирующего р - и переход б, выбирается изтребуемого напряжения включения активныхэлементов.Величина сопротивления резистора 11 выбирается такой, чтобы активныс элементы 20находились в одном устойчивом состоянии.Напряжение источника 13 выбирается таким, чтобы падение напряжения на активныхэлементах было меньше напряжения их включения. 25Нейристор работает следующим образом.Подключим к резистору 11 и металлическому слою 3 источник И постоянного напряжения так, чтобы полярность его соответствовала смещению р - а-переходов в прямом на- ЗОправлении. Так как базовая область 1 имеетвысокое сопротивление, то напряжение питания будет в основном падать на высокоомномслое....

Номер патента: 509918

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Шпади

МПК: H01L 49/00

Метки: нейристор

...возбуждения форлшрует вокруг,себя дополнительное магнитное поле, которое слева от зоны возбуждения склвлнвв 5 ется с полем тока реверса, в спрвив - вы с;дрс 1 рчитается из него. Поэтому магнитная индукция в пленке "качкообраэно изменяетсятолько справа от эоны возбуждения.Како известно, такое изменение индукции , магнитного поля сопровождается возникноекцб вением электрического поля, которое в соответствии с законом электромагнитной индукции стремится вызвать электрический ток, направленный навстречу исходному.Но после исчезновения токопроводяшего 1 О канала в этой же точке ферритовой пленки восстанавливается первоначальное зна чение электромагнитной индукции и наводится электрическое поле противоположного направления. 15 1Если...

Номер патента: 596973

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Беляков, Левченко, Синицын

МПК: G06G 7/60

Метки: нейристор

...преобразователь соответствующего.каскада оптически связан с фоль- топриемником следующего каскада.Источники ннформации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР167319, Сг 06 С 7/60, 1963,2. Журнал "Электроника, Мир", т. 40,25, стр. 28-34, фиг. 8. 3ключеиня на фиг. 2 обозначены точками а, б, в, г). В результате непрерывный световой поток, падающий на .сегнетоэлектрический элемент, преобразуется в прямоугольные импульсы света с резкими фронтами, так как петля электрооптического гистерезиса имеет практически прямоугольную форму (см. фиг. 2).Нейристор работает следующим образом. 1 ОВ исходном состоянии фотоприемник 4 не освещен, напряжение Ц в диагонали моста первого каскада схемй таково, что преобразователь 5 не...

Номер патента: 631943

Опубликовано: 05.11.1978

Автор: Баранцева

МПК: G06G 7/60

Метки: нейристор

...образом.Перед приходом входного сигналавсе отражательные клистроны 10 импуль сами напряжения тактовой частоты, подаваемыми в цепи отражатепя, выводятся в состояние отсутствия генерации.Напряжения смещения на отражателяхкпистронов 10 устанавливают такой вели- фчины, как показано на фиг. 2 где Е -, Е"7напряжения смещения на клистронах10 - 10, Е Е -напряжения на кпистронах 10 - 10 к и Е -Е -напряжениеМна клистронах 10 пп(изменение величины напряжений смещения на отражатепях кпистронов 10 достигается с помощью резисторов 8, вкпюченных в цепи отажате лей),РЯъПод действием входного сигнала преФвышающего его порогового значение, по нейристорной пинии 1 распространяется импульс, амплитуда и форма которого независят от формы входного...

Номер патента: 744982

Опубликовано: 30.06.1980

Автор: Гурин

МПК: H03K 17/567, H03K 17/78

Метки: нейристор

...с подачей импульса питания,вдоль цейристора будет распространятьсязона возбуэкдецпя и, соответственно, "светящийся столбик", длительность и длинакоторых пропорциональна длительности импульса питания,11 рп выполнении Оцтроь 1 ов Открытымцдля входа цзлучсши возможно управленцевременами включения и выключешьч ячеек, т.е. З 11скоростью распространения цейристорцого импульса или фронта зоцы возбуэкдецця, а такжеамплитудой цейристорного импульса прц подаче внешней подсветки за счет изменениясопротивлеьцья фоточувствительных элементов оцтроцов и положения лицин нагрузки,что приведет к измененщо тока дозарядкисобственной емкости фоточувствительныхэлементов, протекающего через светоизлучаюцие элементы, протекающего через све-,тоизлучающие...

Номер патента: 1018131

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Деркач, Климентович, Леонтьев

МПК: G06G 7/60

Метки: нейристор

...линий соединены между собой, резонаторы соответствующих клистронов соответствующих нейристорных линий соединены между собой, каждый катод четного клистрона через резистор смещения подключен к первой шине питания катодов, введены разделительные диоды и зарядные конденсаторы в каждой нейристорной линии отражатели 1-го (1=1,3,5и)и (+3).гб клистронов объединены между собой и подключены.через резистор смещения к шине. питания отража.телей, катод 1-го клистрона через резистор смещения и включенный параллельно резистору смещения зарядный конденсатор соединен с второй шиной питания катодов, катод (1+1)-го клистрона через включенный в прямом направлении разделительный диод соединен с катодом (Х)-ГО клистрона.На чертеже приведена...

Номер патента: 1137490

Опубликовано: 30.01.1985

Автор: Баранцева

МПК: G06G 7/60

Метки: нейристор

...являются входами нейристора, резонаторы всех СВЧ-приборов подсоединены к шине нулевого потенциала, их отражатели и катоды в каждой группе СВЧ-приборов соединены между собой и подключены соответственно к источникам отрицательного и положительного напряжений, выходы резонаторов третьего и пятого СВЧ- приборов второй группы подключены соответственно к выходам резонаторов третьего и пятого СВЧ-приборов первой и третьей групп, выходы резо.наторов 0 -х СВЧ-приборов являются соответствующими выходами нейристора.На фиг.1 представлена принципиаль- ная электрическая схема нейристорных линий; на фиг.2 - зависимость мощности СВЧ-приборов Р от напряжения на отражателе ор и напряже,ния смещения на отражателях СВЧ-приборов; на фиг.З - зависимость...

Номер патента: 743550

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H04N 5/30

Метки: нейристор

Нейристор, содержащий полупроводник с S-образной характеристикой, выполненный светоизлучающим и разделенный на дискретные области, промежутки между которыми заполнены светопроницаемой средой, отличающийся тем, что, с целью получения информации о включенных ячейках нейристора в виде электрического сигнала, на полупроводник с S-образной характеристикой со стороны дискретных областей нанесен резистивный слой.

Номер патента: 1072684

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H01L 27/144

Метки: нейристор

Нейристор, содержащий два проводящих электрода, по крайней мере один из которых светопроницаемый, между которыми размещены слой светоизлучающего полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением, разделенный на дискретные области, промежутки между которыми заполнены светопроницаемым материалом, и нагрузочный слой, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, нагрузочный слой выполнен из электролюминесцентного материала, преимущественно на основе ZnS, а светоизлучающий полупроводник с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеет ширину запрещенной зоны по крайней мере больше 1,6 эВ и выполнен преимущественно на основе твердых растворов...