Хотянов

Номер патента: 1384129

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Вето, Хотянов, Шилин

МПК: H01L 27/04

Метки: логический, элемент

Логический элемент НЕ, содержащий полупроводниковую подложку, в которой сформирован n-канальный МДП-транзистор, затвор которого является входом, а сток выходом элемента, и шину питания, подключенную к положительному полюсу источника питания, другим полюсом подключенного к подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компоновки, с обратной стороны подложки создан дополнительный n+-слой, подключенный к шине питания, причем расстояние l1 между дополнительным n+-слоем и областью стока МДП-транзистора удовлетворяет соотношениюгде п-...

Номер патента: 734877

Опубликовано: 15.05.1980

Автор: Хотянов

МПК: H03K 19/08

Метки: задержки, элемент

...б была в несколько раэбольше времени спада входного сигнала (который йа практике может отличаться от ступенчатого). Потенциалзатвора транзистора 5 спадает за счетемкостной связи до уровня 0 макс.С)по о - (Пб., -П 8.О.);Ц ( нижеуровня Е этот потенциал упасть не моижет, так как за счет прямого смещенияр-п-перехода, соответствующего диффузионной области истока МДП-транзистора б, подключенного к затвору прибора 5, произошло бы ограничЕние потенциала) . После окончания спада входногосигнала (момент С) напряжение назатворе транзистора 5 начинает нара-. " стать за счет перезаряда кондейсатЬра 8 через последовательно соединен" ныетранзисторы б, 2, стремяськ уровню Е - У . При этом до тех пор,-покаэто напряжение остается меньше йорога1) (т. е,...

Номер патента: 696540

Опубликовано: 05.11.1979

Авторы: Скуратов, Хотянов, Шилин

МПК: G11C 7/06

Метки: зарядовой, регистра, связью, считывания, усилитель

...издиффузионной области 1 в полупроводниковой подложке 2 регистра с зарядовой связью, на поверхности подложкирасположены тактовые электроды регистра 3,4,5,6 и электрод считывания 7, Кроме этого устройство содержит первый 8, второй 9 итретий 10МДП-транзисторы, а также шины питания Е, управления Фв, смещения Ес,тактовые шины Т -Т и дополнительную1 Э .шину питания Еп,В исходном состоянии, при низкомуровне напряжения на тактовой шинеТ транзистор 10 .закрыт, а транзистор 9 открыт, поэтому напряжение наэлектроде считывания 7 равно нулю,а в диффузионной области 1 локализован считываемый заряд. При поступлении импульса на тактовую шину Т Изсоседнего элемента памяти поступаетследующий заряд, транзистор 10 откры"вается и напряжение на...

Номер патента: 640371

Опубликовано: 30.12.1978

Автор: Хотянов

МПК: G11C 11/35

Метки: запоминающее, зарядовой, регистрах, связью

...приборах все напряжения - отрицательные), Применение разделительных затворов позволяет при обеспечении непрерывного режима работы СР (без остановок высокочастотных тактовых генераторов Фф, Ф,) использовать для управления внутренней матрицей стандартные трехфазные тактовые импульсы низкой частоты Фрф, Фэ смдлиной плоской части р 1 и пологими37фронтами, слабо синхронизированные с высокочастотными тактовьми импульсами Ф Ф Ф, (жесткая синхронизация требуется лишь для разделительных импульсов Ф,р, Фр). За счет этого существенно уменьшаются потери заряда при передаче во внутренней матрице и ослабляются требования к быстродействию генераторов низкочастотньх импульсов Фм, ф 2 м фзм, нагруженных на значительно большие емкости по сравнению с...

Номер патента: 600615

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Хотянов

МПК: G11C 19/00

Метки: зарядовой, регистр, связью, сдвиговый, цифровой

...потенциалу под- ложки (для определенности рассматривается ПЗС с каналом гг-типа; в случае канала р-типа все напряжения - отрицательные), после3чего МДП-транзистор 8 закрывается (момент 2)При записи в сдвиговый регистр логического нуля МДП-транзистор 7 закрыт и диффузионная область 1, начиная с момента времени 1 работает в плавающем режиме, После поступления тактовых импульсов Ф, (момент Ез) и Ф (момент 1) часть заряда из диффузионной области 1 передается в ПЗС-элементы 3, 4. Во время заднего фронта Ф, (начиная с момента 1) глубина потенциальной ямы ПЗС-элемента 3 уменьшается до нуля и хранившийся в ней заряд распределяется между диффузионной областью 1 и ПЗС-элементом 4, при этом сохраняется равенство их поверхностных потенциалов, В...

Номер патента: 587937

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Гусаров, Евстафьев, Пен, Райхман, Хотянов

МПК: A61H 33/14

Метки: воздушнорадоновой, лечебной, смеси

...и соединенный с ним промежуточныйсосуд, патрубок подачи радоновой воды оснащен узлом автоматического регулированияподачи воды, а патрубок подвода воздуха установлен в днище радоноотделителя и имеетбарботирующее приспособление, выполненное Евстафьев, Е, С. РайхманяновГеоминвод Центрального курортологии и физиотерапи587937 У Аус ичголрлорам щего фланцевого клапана 14 и исполнительного механизма 15.Устройство работает следующим образом.Вакуум-насос 5 создает в радоноотделителеразрежение порядка 300 мм рт. ст., в результате чего через узел автоматического регулирования (14 и 15) подается радоновая водаиз естественного источника. Одновременно сэтим через барботирующее приспособлениеподается воздух через патрубок 3 с постоянным расходом;...

Номер патента: 573884

Опубликовано: 25.09.1977

Автор: Хотянов

МПК: H03K 19/40

Метки: логический, не, элемент

...отрицательные),При поступлении ступенчатого отпирающего входного сигнала МДП-транзистор 4 запирается. Поскольку МДП-транзистор 5 обладает определенным сопротивлением, фронт нарастания напряжения на затворах МДП-транзисторов 1, боказывается задержанным относительноположительного фронта входного сигнала, Поэтому на начальном этапе переходно.го:процесса разность потенциалов между обкладками конденсатора 3сохраняется неизменной (равной Е - О ) 45о 1и все приращение напряжения на входепередается, так как разряжающий МДПтранзистор б закрыт, аемкость конденсатора 3 выбирается значительнобольшей паразитных емкостей схемы.Поскольку активный МДП-транзистор 1вначале также закрыт, напряжение навыходе повышается после увеличениянапряжения на...

Номер патента: 573882

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Хотянов, Шилин

МПК: H03K 19/28

Метки: интегральный, логический, пороговый, разрядовой, связью, элемент

...на каком-либо входе 23-25действет сигнал Логической едини- ЗОцы, го соответствующий входной затвор (3, 4 или 5) открыт и в соответствующем затворе 10, 11 или 12 накапливается заряд, пропорциональныйплощади затвора. Если на вход поступает сигнал Логического нуля, товходной затвор (3-5) закрыт и зарядовый пакет в соответствующем затворе 10, 11 или 12 будет отсутствовать.В момент времени 1 разделительные затворы б, 7 и 8 закрываются изаряды в затворах 10, 11 и 12 изолируются от входных цепей. С приходомимпульса подготовки (в момент 1 З )открывается цодготавливающий КДП-тран зистор с затвором 19 стоком 21 иобластью 16 и выходная диффузионнаяобласть 16 заряжается до исходногонапряжения Е, По окончании импульсадиффузионная область 16 и...