Способ изготовления элементов памяти

Номер патента: 1840837

Опубликовано: 27.07.2012

Авторы: Терехов, Юшина

МПК: H01C 13/00

Метки: аналоговой, памятью, резистивный, электроуправляемый, элемент

Электроуправляемый резистивный элемент с аналоговой памятью, содержащий управляющий электрод, твердый электролит гексааргенат-тетра иодид вольфрама и резистивный электрод, отличающийся тем, что, с целью улучшения резистивно-временных характеристик элемента и расширения диапазона токов управления, резистивный элемент выполнен из материала общей формулы(Ag1,7 Te)0,85(Ag4P2O7) 0,15

Номер патента: 1840852

Опубликовано: 20.01.2013

Авторы: Терехов, Юшина

МПК: H01C 7/13

Метки: аналоговой, памятью, резистивный, электроуправляемый, элемент

Электроуправляемый резистивный элемент с аналоговой памятью, содержащий управляющий электрод, выполненный из серебра, твердый серебро-проводящий электролит и резистивный электрод, отличающийся тем, что, с целью улучшения резистивно-временных характеристик с одновременным расширением диапазона токов управления, резистивный электрод выполнен из материала:(Ag2S) 0,45(Ag1,7Te)0,43(Ag3PO 4)0,12.

Номер патента: 377965

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Браверман

МПК: G02F 1/01

Метки: двухградационной, памятью, электролюминесцентного, элемента, яркостью

...напряжения 1.,г (Т=1 сопротивление р - гг перехода база-к тор, включенного в прямом направ много меньше Во=10 ком, то в момент пряжение на емкости равно Узанс, на иие на коллекторе транзистора равно Начиная с момента е, напряжение на коллекторе транзистора повышается и к моменту з достигает значения 2 Уасс, так как транзистор заперт и емкость Сг, практически не разряжается через большое обратное сопротивление р - п перехода база-коллектор (Роар= 10 мом). Вследствие того, что напряжение на электролюминофоре постоянно и равно ахало излучение света при запертом транзисторе отсутствует.Начиная с момента 1 в или позже, иа схему подается постоянное напряжение Еа. Так как темновое сопротивление фоторезистора много больше Рс, то напряжение на...

Номер патента: 1012704

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...