Прибор с зарядовой связью

Номер патента: 963087

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: дополняющих, мдп-транзисторах, считывания, усилитель

...-канальных транзисторов 13 подключены к шине 23, истоки - сои истоками первого и второго управляю- ответственно к шинам 17 и 18, а. стокищих-канальных транзисторов второй соответственно к затворам транзисторовгруппы, стоки которых соединены соот и 2, затвор транзистора 1 подключенветственно с первой и второй разрядными к затворам транзисторов 7 и 8, стоки50шинами и со стоками соответственно пер- которых соединены с выходом 26, истоквого и второго управляющих и -каналь транзистора 8 связан с шиной 19, а исных транзисторов третьей группы, затво- ток транзистора 7 - с шиной 20, затворры первого и второго управляющих-ка- транзистора 2 подключен к затворамнальных транзисторов второй группы со- транзисторов 5 и 6,стоки которыхединены с...

Номер патента: 1062785

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Баранов, Григорьев, Исаев, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 11/4091, G11C 7/06

Метки: дополняющих, мдп-транзисторах, считывания, усилитель

...донапряжения переключения инверторов,которые открывают первый и второй разрядные транзисторы. При этом оба выхода усилителя обнуляются, причемэто состояние схемы сохраняется, что эквивалентно потере работоспособности запоминающего устройства.Поэтому известный усилитель неможет быть использован в случаепредъявления повышенных требований к разбросу пороговых напряжений-канальных транзисторов.1Цель изобретения - повышение надежности усилителя за счет устойчивости к изменению пороговых р-канальных транзисторов при сохранении высокого быстродействия.Поставленная цель достигается тем, что усилитель считывания для запоминающего устройства на дополняющих МДП-транзисторах, содержащий первый и второй переключающие р-канальные транзисторы,...

Номер патента: 1203594

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ильюшенков, Макаров, Мещанов, Телицын

МПК: G11C 8/10

Метки: дешифратор, мдп-транзисторах

...6 связи выбранного элемента 1 дешифратора конденсатора 17 произойдет уменьшение напряжения на затворах транзисторов 6 связи на величину ЛЬ=-К(Е - Б.р.), где К - коэффициент деления смкостного делителя, а Е - 11 р - цацр, ение на затворах выходцы транзисгоров 8 в исходном состоянии. Коэффициент деления равен- суммарная емкость затвор-канал транзисторов 6 связи невыбранных элементов 1 дешифратора;- емкость затвор - канал транзистора 6 связи выбранного элемента дешифратора;-емкость конденсатора 17. При напряжении на затворах транзисторов о связи 1)(Е - (.;пор откроется транзистор 19 заряда и соединительная шина 16 дозарядится до уровня, равного Е в (1 .рЕмкость конденсатора 17 препятствует понижению напряжения на затворах...

Номер патента: 1336112

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, моп-транзисторах

...входах 19 и 20 устройства, совпадает с ранее записанной в ячейку 1, то изменения состояния последней не происходит, и после того, как на выходе элементов 12 и 14 появится высокий потенциал, на выходе элемента 13 появится низкий потенциал, а затем на выходе инвертора 15 и выходе 21 устройства - высокий потенциал, что является признаком завершения переходных процессов. Если же информация, установленная на информационных входах 19 и 20 устройства, противоположна ранее записанной в ячейку 1, то происходит переключение последней. При этом, несмотря на высокий потенциал на выходе элементов 12 и 14, переключения элемента 13 не произойдет до тех пор, пока в ячейке 1 не установится требуемое состояние. В этом случае сначала на обеих шинах 16 и...

Номер патента: 516976

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Ашмонтас

МПК: G01R 31/00

Метки: заряда, между, напряженностью, нелокальной, носителей, подвижностью, полупроводниках, поля, связи, электрического

...исртОКОВ:= -(ам ф -9"9Однако при малых концентрациях чосителей1 цзаряда Ъ"д ( 10"- см-"- в Однородном эоразце дцф;,узпэнным током мохкно пренеоречь. Тогда полный ток,. текуц;ий черезобразец. будет равен Еггц. (к)3(л)(у -).сг,р: разность токов, текуших черезг; - ;, с-о:новый образец при двух прот - ,; 1 к 1,ых полярностях приложенного, .том уран: ения (3) определяют нело.:яльную связь между подвижностью носите.1 ей заряда и напряженностью электринеско 1и. ярНеравномерное распределение электрического поля можно получить, например:з бра;,е с несимметричным сужением всередине - см. фиг. 1, На фиг, 2 показано распределение напряженности электрическос о поля вдоль образца,Критерием, характеризуюшим исследуе:,чо структуру...