H01L 31/06 — характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
Преобразователь лучистой энергии в электрическую
Номер патента: 128539
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Быковский, Гридин, Козырев
МПК: H01L 31/06
Метки: лучистой, электрическую, энергии
...эффекта.Такое выполнение преобразователя позволяет увеличить его к.п.д. при преооразованш энергии излучения в электрическую энергию.На чертеже изображена пршципиальная схема предлагаемого преобразователя.Сущность предлаае 1 оо преооразователя соа на ом, ио прн установке плоского р - п перехода 1 в магнитное поле с напряженностью и освецеи; его лучами 2 возиикает разность потенциалов в направлении ЛЛ, перпенднкулярноз к направлениясветовых лу:е и магнитного поля. Эта дополнительная разность потенциалов, вызванная фотомагнитным эффектом, превышает разность потенциалов, обусловленную фотомагнитным эффектом, что позволяет существенно увеличить мощность, снизаемуо с р - и перехода.Применяемый в таком преобразователе р - и переход...
183844
Номер патента: 183844
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Адирович, Литори, Рождеств, Рубинов, Сиприкова, Тошзнля, Юабов
МПК: H01L 31/06
Метки: 183844
...проводимостью и датчиковдля получения многоэлементной информации.В качестве датчиков используются фотосопрвтивления, которые изменяют нод действиемрадид 10 в распределение потенциала, создд; 10)1 емого внешним источником ндпря)кения.В предлагаемом преобразователе датчикимногоэлементной информации выполнены изполупроводниковой плени с аномально больиим фотонанряжснием (афн-пленки), которые непосредственно преобразуют радиационный ноток и электрический нотенцияльн);ирельеф,В отличие от полупроводниковых фотоэлс.ментов, генерирующих фотондпря)кение по- Юрядка ширины запрещенной зоны (осс)ло 1 н)фн.пленки генерируют нрн тех же освсщенностях сотни вольт нд снтнмстр длины пленкиирн кОмнтнОЙ тсмпс 1)31 турс и нор 5 дкд тыс 1)ивольт ш)...
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор
Номер патента: 288159
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков
МПК: H01L 31/06
Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический
...последовательной, параллельноц или смешанной. При параллельном соединении (см. фцг. 1) коммутация микрофотопреобразователей 1 с р - а-переходамп 2 выполнена с помощью металлических контактов г по четырем граням мигсрофотопреобразователей, имеющих р - и- переходы, плоскости которых параллельны направлению излучения. Мнкрофотопресбразователи имеют р - а-переходы ца пяти гранях. Контакт 4 к базовой области нанесен на шестую, свободную от р - и-перехода сторону микрофотопресбразователей. 1 ля изоляции оазового контакта ст контакта к легированному слою часть легированного слоя всех р - а-переходов, прилегающих к базовому контакту, вытравлена и заполнена изолируюгцим веществом 5. Рабочей поверхностью-б Сдлп г Г 1 Г Г Г Г ГСоставитель...
Фоточувствительный элемент
Номер патента: 833119
Опубликовано: 07.11.1982
Авторы: Берковская, Кириллова, Муратиков, Подласкин, Суханов
МПК: H01L 31/06
Метки: фоточувствительный, элемент
...р-и - переходом регистрирующего элементаЭто достигается тем, что легированный наружный слой ЗО выступает над диэлектрической маской, а легированная экранирующая рамка нв имеет окантовки. Тем самым носители, рожденные слабопоглащаемым светом в основном разделяются р-и - переходом З 5 регистрирующего элемента. Носители, созданные глубокопоглощаемым светом в этом промежутке, либо рекомбинируют на тыльной стороне ив слоя, либо раэ" деляются обоигли р-и - переходами в 40 равной мере.Таким образом, в таком устройстве достигается уменьшение линейных размеров элемента, Ширина внешней диэлектрической рамки и экранирующей рамки может быть выбрана существенноменьше В.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором дано поперечное сечение...
Способ изготовления полупроводниковых фотопреобразователей
Номер патента: 1042541
Опубликовано: 23.11.1985
Авторы: Андреев, Егоров, Лантратов, Ларионов, Румянцев, Сулима, Федорова
МПК: H01L 31/06
Метки: полупроводниковых, фотопреобразователей
...величиной приложенного напряжения и временем, необходимым для прекращения протекания тока между структурой и электролитом. Экспериментально найденное значение времени составпяет 5-10 мин.М 50Следующая операция - создание полосковых окон в окисной пленке. Обычно эта операция осуществляется методом фотолитографии, так как ширинаполосковых окон устанавливается в интервале 5-30 мкм. Полосковые окна задают конфигурацию токоотводящих контактов и обеспе4110425чивают при такой форме надежность кон".тактов при малом контактном сопротивлении. Другая геометрия контактов,например точечные контакты, приводитк увеличению контактного сопротивления и усложнению способа, так как ккаждому локальному контакту необходи"мо в этом случае изготавливать...
Фоточувствительный элемент
Номер патента: 1141952
Опубликовано: 30.11.1985
Автор: Берковская
МПК: H01L 31/06
Метки: фоточувствительный, элемент
...смещения на Фоточувствительном элементе.Что касается выбора физическихпараметров трех слоев из условия (11,то решение этой задачи в общем видедля конкретнойневозможно. Однако, если задаться рядом физическихпарйметров,таких,как: й, р, Ь, Ьр ,, р, Р, Рр, положить известными ЫсЛ 1, р, то можно на ЭЦВМ рассчитать, например, И = Ид(М) и Юр == Ц р(1).Расчеты осложнены тем обстоятельством, что Ир и И не являются независимыми величинами Ю= У р (И ро)Выбор У и У также зависит от конрцентрации неосновных носителей в рслоях п и в п-нелегированном слоерДля расчетов положили: па1200 см В " С "; с = 250 см В фхС-; Ь= 0,04 см; Ьр 0,3 см;0 =31 см с "; Рр 6,5 смф С "1 смс. Мр/У для сокращения объема вычислений придавалисьследующие первые...
Солнечный фотоэлемент
Номер патента: 598470
Опубликовано: 23.12.1985
Авторы: Алферов, Андреев, Гарбузов, Каган, Корольков, Ларионов, Нуллер
МПК: H01L 31/06
Метки: солнечный, фотоэлемент
...поле за счет градиента концентрации алюминия в направлении, перпендикулярном к плоскости гетероперехода 3. Однако этот Фотоэлемент не обеспечивает значительного увеличения КПД вследствие большой скорости поверхностной рекомбинации носителей тока, генерированных коротковолновой частью спектра солнца, При типичном значении скорости поверхностной рекомбинации 1 Оьсм/с "тянущее" электрическое поле обеспечивает прирост Фототока лишь при толщине твердого раствора меньше 1 мкм, что делает приборы непригодными для эксплуатации из-за большого сопротивления растекания. Кроме того, при столь малом расстоянии р-и-перехода от облучаемой поверхности не обеспечивается надежная зашита р-л-перехода.Целью изобретения является увеличение КПД...
Фотодиод
Номер патента: 1256108
Опубликовано: 07.09.1986
Авторы: Андрюшин, Люстров, Таубкин
МПК: H01L 31/06
Метки: фотодиод
...Иосква, Ж, Рауш ПодписноеР омитета Соткрытийкая наб.,4/ Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная,Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения.Цель изобретения - улучшение пороговой чувствительности фотодиода 5 за счет снижения темнового тока,На чертеже изображена структура. предлагаемого фотодиода.Фотодиод содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором выполнен 10 р-и-переход 2, слой диэлектрика 3, кольцевой полевой электрод 4, выполненный в виде двух концентрических элементов 5 и 6, разделенных промежутком 7, электрическое выводы от 15 элементов полевых электродов 8 и 9, электрические выводы от р до и областей 10 и 11.1 1П р и м е р. В фотодиоде,...
Фотодиод
Номер патента: 1292075
Опубликовано: 23.02.1987
Автор: Хуберт
МПК: H01L 31/06
Метки: фотодиод
...того, непоглощающий слой,прилегающий к слою аморфного кремния, при четном ш имеет низкий показатель преломления, а при нечетномвысокий,Непоглощающий слой,.прилегающийк полупроводнику, состоит из электрически проводящего материала, прозрачного для получения с длинойволны М. На чертеже показан предлагаемыйфотодиод,П р и м е р. Фотодиод сформирован на основе аморфного кремниевогоперехода, созданного по одной из известных технологий изготовления, причем запирающий слой известным способом образуется рп-структурой,состоящей из области 1 проводимостир-типа с высокой степенью легирования, области 2 собственной проводимости полупроводника высокой чистотый легированной области 3 проводимости п-типа. Обнаруживаемое или измеряемое излучение 4...
Фотоприемник и способ управления его чувствительностью
Номер патента: 1102438
Опубликовано: 23.11.1987
Авторы: Вилиам, Карол, Колчанова, Мариан, Михайлова, Франтишек, Яссиевич
МПК: H01L 31/00, H01L 31/06
Метки: фотоприемник, чувствительностью
...которые могут принимать участие в процессе ударной ионизации.,В случае обратного соотношения между сечениями все имеющиеся на примеси электроны быстро будут переведены светом в зону проводимости, примесь опустошается, и с ационарный процесс ударной ионизации, приводящий к повышению чувствительности, прекращается.Примесь выбрана лежащей вблизи середины запрещенной зоны, а именно,уровня ферми Е в -области соотношением: Е +2 КТсЕЕ+61 сТ,а толщина 1-области М превышаетдлину ионизации примеси электронами,где Х - постоянная Больцмана,Т - температура в градусах Кельвина.Поставленная цель достигаетсятем, что в способе управления чувствительностью Ьотоприемника, включающем освещение 1-области светомиз спектрального интервала 1-1,4 мкмпри...
Фотоприемное устройство
Номер патента: 1427436
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Андрюшин, Лисейкин, Смолин, Таубкин, Тришенков
МПК: H01L 31/06
Метки: фотоприемное
...шума предусилителя, приведенное к входу, 20В Гцвг;С - удельная емкость фотодиодаопри единичном удельном сопротивлении подложки,Ф см Омсмог; 25граничная частота предусиолителя, Гц;а г, - шумовая полоса предусилителя при входном белом шуме,Гц; ЗОЬГ - шумовая полоса предусилителя при высокочастотном шумевида Г, Гц;А - геометрическая площадь Фотодиода, см ,г.,35заряд электрона, Кл;1 - удельная плотность темновоого тока фотодиода при еди=ничном удельном сопротивле нии подложки А см, Ом см 40П р и м е р, Для наиболее распространенных предусилителей соотношение шумовых полос и одинаково, 61 г//Ь 1, =4 Я, С учетом численных значеу 2ний С 1 о оптимальное удельное сопротивлениеопт=2,5 10+о 1 вА,(1)Для ФПУ с высокой...
Способ регистрации излучения фотодиодом
Номер патента: 1454178
Опубликовано: 28.02.1991
Автор: Чернов
МПК: H01L 31/06
Метки: излучения, регистрации, фотодиодом
...в способе - прототипе с длительность максимальна, и потоком излучения фм, равны. Применение способа повышает быстродействие более чем на 307 2 ил. С: чскс д ф мн (фиг. 1)Из фиг. 2 видно, что имеется значение ф при котором длительность переходного процесса максимальна (, ). Можно определить такое значение фнпри котором длительности переходных процессов при изменении от ф до Фи от фн до Фбудут равны. Тогда заряд емкости ФД перед измерением напряжения на нем до начального напряжения 0 , соответствующего Фн, дает дополнительный выигрыш в быстродействии.Переходной процесс на ФД после заряда его емкости и освещения описывается дифференциальным уравнениемС(0 Ц/дТ) + 1 ехр(Ч 11/1 Т) - 1 3= я Ф, где С - емкость ФД;14541 ц= (1 сТ/с 1)1 п 1 ю...
Фотоприемник
Номер патента: 1634065
Опубликовано: 15.10.1994
Авторы: Гольдберг, Дурдымурадова, Мелебаев, Царенков
МПК: H01L 31/06
Метки: фотоприемник
ФОТОПРИЕМНИК, состоящий из варизонной полупроводниковой пластины, расположенной между омическим и барьерным контактами, при этом ширина запрещенной зоны в пластине уменьшается в направлении от барьерного контакта к омическому, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности в ультрафиолетовой области спектра, между полупроводниковой пластиной и выпрямляющим контактом расположен слой диэлектрика толщиной 3 - 5 нм с шириной запрещенной зоны не менее 5 эВ.
Лавинный фотоприемник
Номер патента: 1702831
Опубликовано: 27.06.1997
Авторы: Гасанов, Головин, Садыгов, Юсипов
МПК: H01L 31/06
Метки: лавинный, фотоприемник
...полупроводниковой области не имеют возможности непосредственно инжектироваться в объем буферного слоя,На границе раздела полупроводниковая область - подложка достигается локальная отрицательная обратная связь между темпом лавинного процесса и величиной падения напряжения в буферной области. Эффективности отрицательных обратных связей, достигаемые на соседних границах раздела, не зависят друг от друга, за счет этого улучшается стабильность характеристик устройства, Расстояние 1 между полупроводниковыми областями находится в интервале д1(%макс + 1.д), где д - толщина буферного слоя, %макс - максимально возможное значение толщины обедненного1702831 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ слоя в полупроводниковой подложке при лавинном пробое, Ед -...
Лавинный фотоприемник
Номер патента: 1644708
Опубликовано: 20.04.1999
Авторы: Головин, Садыгов, Тарасов, Юсипов
МПК: H01L 31/06
Метки: лавинный, фотоприемник
Лавинный фотоприемник, содержащий последовательно расположенные полупроводниковую подложку, буферный слой, полевой электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства, на поверхности полупроводниковой подложки под буферным слоем сформированы области обратного по отношению к подложке типа проводимости, напряжение пробоя поверхности подложки внутри областей меньше, чем вне их, а расстояние между областями не меньше толщины буферного слоя.