Юсипов

Номер патента: 1644708

Опубликовано: 20.04.1999

Авторы: Головин, Садыгов, Тарасов, Юсипов

МПК: H01L 31/06

Метки: лавинный, фотоприемник

Лавинный фотоприемник, содержащий последовательно расположенные полупроводниковую подложку, буферный слой, полевой электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства, на поверхности полупроводниковой подложки под буферным слоем сформированы области обратного по отношению к подложке типа проводимости, напряжение пробоя поверхности подложки внутри областей меньше, чем вне их, а расстояние между областями не меньше толщины буферного слоя.

Номер патента: 1702831

Опубликовано: 27.06.1997

Авторы: Гасанов, Головин, Садыгов, Юсипов

МПК: H01L 31/06

Метки: лавинный, фотоприемник

...полупроводниковой области не имеют возможности непосредственно инжектироваться в объем буферного слоя,На границе раздела полупроводниковая область - подложка достигается локальная отрицательная обратная связь между темпом лавинного процесса и величиной падения напряжения в буферной области. Эффективности отрицательных обратных связей, достигаемые на соседних границах раздела, не зависят друг от друга, за счет этого улучшается стабильность характеристик устройства, Расстояние 1 между полупроводниковыми областями находится в интервале д1(%макс + 1.д), где д - толщина буферного слоя, %макс - максимально возможное значение толщины обедненного1702831 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ слоя в полупроводниковой подложке при лавинном пробое, Ед -...

Номер патента: 1795339

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Ерусалимский, Юсипов

МПК: G01N 3/08

Метки: двухосном, испытания, образца, растяжении

...параллельные их оси и попарно симметричные относительно нее разрезы 7, разделяющие каждую из частей 3, 5 на участки 8-10 и проходящие от осей надрезов 6 до торцов соответствующих захватных частей. Нагрукение образца осуществляют в две стадии поэтапно. На первом этапе первой стадии нагружают захватные части 2,4 усилием Я и участки 8 захватных частей 3,5 усилием Р 1 до разрушения образца по участкам надрезов 6. Усилия Я 1 и Р 1 могут в соответствии с задачами исследований меняться по определенной программе, позволяющей обеспечить заданный закон изменения во времени компонент напряженного состояния (нормальных и касательных напряжений) в рабочих сечениях с надрезами 6, что необходимо, например, при определении усталостной прочности...

Номер патента: 1609897

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Алексеев, Сисюкин, Юсипов

МПК: E03B 5/00

Метки: насосная, станция, типа, фуникулерного

...раме 2 в ее среднеи части, соединенного с тяговым тросом 11 лебедки 10 посредством упругого элемента 17 в виде Опружины и имеющего возможность взаимодействия со стопорной балкой 13.Гибкий элемент 15 пропушен черезблоки 18 - 20, Всасываюший трубопровод 7 каждого насоса имеет рыбозащцтцое устройство 21. Напорный трубопровод 8 подсоединяют к коллектору 22посредством трубопровода 23.Насосная станция работает следующим образом.50Исходное положение насосной станции находится в верхней части откоса.При необходимости включения насоснойстанции она посредством лебедки 1 Оначинает опускаться, при подходе кзаданной точке стоянки гибкий элемент15 и упругий элемент 17 отсоедицяются от тягового троса 11. Тормозныеколодки 14 опускаются на направляющие...

Номер патента: 1572674

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Беломытцев, Бондарь, Калмычков, Свердлин, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...контуром циркуляции суспензии, ЗОУстройство работает следующим образом. Исходный раствор перед введением в кристаллизатор 1 смешивают с суспензией, отбираемой из промежуточной зоны кристаллизатора, и полученную смесь, содержащую большое число мелких кристаллов, на поверхности которых снимается пересьпцение, создаваемое при охлаждении смеси, последовательно пропускают через все междисковые полости, охлаждая ее с помощью поверхности теппообмена до конечной температуры хладоносителя, движущегося по каналам дисков в противотоке с указанной смесью, после чего направляют через переливной фонарь 3 в центрифугу или фильтр 8для разделения на твердую и жидкую составляющие. При отклонении от заданных значений пересыщения смеси исходного и...

Номер патента: 1472085

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Беломытцев, Бондарь, Калмычков, Свердлин, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...7. Сигнал от датчика расхода 4 поступает на регулятор расхода 1, связанный с исполнительным механизмом 12. Корректирующий сигнал от датчика температуры 1 О поступает на исполнительный механизм 12 также через регулятор расхода 11. Данное изобретение позволяет увеличить объем зоны кристаллизации и интенсифицировать тепломассообменные процессы. 2 з. п. ф-лы, 1 ил. 2газожидкостный разделитель 6, где происходит разделение воздуха и суспензии. Воздух отводится через воздушник 17, а суспензия поступает на смеситель 7, в котором смешивается с непрерывно поступаюшим исходным раствором, а затем в кристаллизатор 1. Для улучшения разделения воздуха и суспензии ввод в разделитель 6 выполнен по касательной к стенке, при этом разделитель 6 имеет...

Номер патента: 1331610

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Макеев, Рыбкин, Юсипов

МПК: B22C 9/04

Метки: выплавляемым, моделям, форм

...и частичное или полноевыплавление модели, в зависимости отсложности или массы формы. П р и м е р, При проведении эксперимента используют модель детали гидроаппаратуры. Модель и литниковую систему выполняют из пористого модельного состава (30-402), например из модельного состава РЗ или МВС, Затем модель погружают в суспенэию, состоящую из гидролизованного малым количеством воды этилсиликата и пыпевидного кварца. В качестве растворителя используют эфироальдегидную фракцию. После погружения блоки обсыпают кварцевым песком зернистостью 0,2 и затем сразу помещают в камеру с парами аммиака на 2-3 мин, Это время достаточно для удаления иэ нанесенного слоя небольшого количества растворителя (10-153), затем слой обдувают воздухом 1-2 мин, в...

Номер патента: 1186361

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Белов, Емельянов, Рыбкин, Юсипов

МПК: B22C 9/04

Метки: выплавляемым, литья, моделям, размеров, форм

...преобразователи 10 переЭмещений соединяют с керамическойоболочковой формой 19 кварцевымистержнями 13, которые перед установкой для измерения пропускают черезотверстия в заслонках 6.После включения измерительногои регистрирующего устройств производится установка нуля на регистрирующем приборе 22. Это выполняется перемещением преобразователей 10 перемещений в горизонтальном направлениипри совместной работе с преобразова-,телями 12 перемещений, предварительно выставленными на ннольС помощью механизма 2 перемещенияверхняя подвижная часть печи 1 понаправляющим колоннам 3 опускаетсявниз до соприкосновения с поддоном 5,Заслонки при этом перекрывают проемыв печи 1. В результате образуетсянагревательная камера, закрытая совсех сторон...

Номер патента: 1056976

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Жантиев, Чуканов, Юсипов

МПК: A01M 1/08

Метки: насекомых, отлова, прямокрылых

...недолговечность магнитных записей, которые транслирует динамик10ограничивает продолжительность работыустройства, Привлекающая способностьустройства неэффективна, вследствие оьсугствия подстройки транслируемого сигнала в зависимости от температурывоздуха. 15Бель изобретения - повышение эффективности отцова насекомых.Поставленная цель достигается тем;, что устройство снабжено датчиком темпе-ратуры, а звуковая приманка содержит генератор импульсно-модулированных сигналов, вход которого соединен с датчикомтемпературы,На чертеже показана схема предлагаемого устройства. 25Устройство состоит иэ воронки .1, коснованию которой прикреплен контейнер2 с фиксетором. На воронке 1 установлены стойки 3, на которых закреплен динамик 4, Динамик 4 связан с...

Номер патента: 1056281

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...изпредлагаемого материала, обладаютжаростойкостью при эксплуатациина воздухе вплоть до температурыплюс 280 С и термостабильностью завремя 10000 ч, т,е, изменение величины сопротивления резистора от номинала составляет +7% при температуреокружающей среды плюс 280 С,оПовышение жаростойкости и термостабильности в предложенном материале происходит за счет того, что молибден образует с легирующими добавками гамма-фазу и твердые растворы,обладающие повышенной жаростойкостьюи териостойкостью. Введение лантаноидов в приведенном процентном1056281 Уменьшение содержания легирующихдобавок ниже указанных пределов приводит к резкому снижению жаростойкости и термостабильности при длительной эксплуатации.увеличение содержаний л гируюших...

Номер патента: 1045996

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Косицын, Рыбкин, Степанов, Юсипов

МПК: B22C 7/00

Метки: выплавляемых, моделей

...нижнюю часть смеситепя. В этой зоне вертикапь996 Копичествеяаае покаэатепи точностей модепи 8161 8181 8198 0080 8,171 8,1 91 8,210 0,101 8,174 8,174, .8,203 0,073 а. г а. ъ0 48,04 48,092 . 48,119 0,138 в 3 1045 ная составляющая скорости потока (модепьный состав + воэцух) резко увепичивается и через центраоьную часть смесителя поток направляется вверх, тем самым обеспечивается интенсивная цирку пяция модепьного состава, а диспергирование пузырей воздуха обеспечивается высокой дпя данного кпасса устройства скоростью вращения лопастей смеситепя.Время подготовки моцепьного состава 10к запрессовке (время введения в модельный состав 40-70% воздуха и его циспергирование) составпяет 15 с - 1 0 мин в зависимости от типа модельного состава.При...

Номер патента: 1027768

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Гогия, Дроздова, Качарава, Корзо, Кубрин, Салия, Юсипов

МПК: G11B 5/42

Метки: головки, магнитной, поверхности

...головки, что ограничиваетмоэможность ее использования в услоЭМях повышенной температуры.Цель изобретения - повышение термической стойкости магнитной головки,укаэанная цель достигается тем,что согласно способу обработки поверхности магнитной головки путемнапыления нитрида кремния на поверхность магнитной головки, перед напылением ынтрида кремния производятаэоткрованне поверхности магнитнойголовки в тлеющем разряде в вакуумепри 100-150 С в течение 1-3 мин, апосле напыления нитрида кремния производят осаждение нитрида бора приоблучении гаье 1 а-квантами с интенсивностью облучения 5,2 10 - 8,5 хх 10 Е см-с ".В предлагаемом способе предварительное аэотирование поверхностимагнитной головки и осаждение нитрнда бора при облучении...

Номер патента: 1014045

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Кузнецов, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...для низкоомных тонкопле.ночных резисторов, содержащий ниобий и легирующие добавки, в качестве легирующих добавок содержит ванадий, молибден, хром и углерод при следующем количественном соотношении ком понентов, вес.%: 0,55,00,010,3 МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 5,25 10,0 0,1 б,б 2. Ванадий МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 3. Ванадий 11,0 Молибден 15,0Углерод 0,2 Хром 13,0 0,5-11,0 ВанадийМолибден Углерод Хром Ниобий 5.0-15,0О, 01-0,2. 40 0,3-13,0 Остальное Приведены конкре ные примеры 45 приготовления реэистивного материала предложенного сплава с различным содержанием исходных компонентов и их характеристики.Методом вакуумной дуговой плавки получали мишени из предложенного Численные значения параметров материала Рабочий...

Номер патента: 974407

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Геворкян, Дроздова, Корзо, Мгебришвили, Юсипов

МПК: G11B 5/712

Метки: аморфных, лент, магнитных, поверхности, сплавов

...1), Лента подается барабаном или конвейерным устройством (непоказаны), В зоне 1 облучается ультрафиолетовым излучением реакционный объем (показано стрелками), в зоне Й- объем и поверхность ленты, в зоне )япреимушественно поверхность ленты.Способ осуществляется следующим образом,Типовую ленту из аморфного магнитного сплава состава железо - кремний - алюминий с помощью барабанного или конвейерного устройства пропускают через зону распыления, в которой в рабочем вакууме 10 4 -10мм рт.ст, одновременно осуществляют катодное распыление мишеней из нитрида кремния и нитрида алюминия и взрывное испарение порошка полимера трифторхлорэтилена, а реакционный объем облучают широкополосным ультрафиолетовым излучением. В результате в объеме происходит...

Номер патента: 895949

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Семченко, Юсипов

МПК: C04B 7/38

Метки: клинкера, портландцементного, смесь, сырьевая

...ССБ 1,0Отход угледобычи 60,0П р и м е р 2. Готовят сырьевую смесь следующего состава,ЕИзвестняк 74,0 Глинистый компонент 15,0 Поверхностно-активнаядобавка 0,1 Отход угледобычи 10,9 П р и м е р 3. Готовят сырьевую смесь следующего состава, Х:Известняк 41,5 Глинистый компонент 22,5 Поверхностно-активная добавкаОтход угледобычи 0,535,5 Сырьевые смеси готовят путем дозид рования усредненных проб исходныхкомпонентов. Отдозированные компоненты подвергают совместному помолу до остатка на ситах Р 008 107, Р 02 до 1 Х. Приготовленные и откорректировану 11 ные смеси обжигают во вращающейся печи.Результаты испытаний представленыв таблице.щЮф9 л МЪ 1 И й ФЕЪ ф о сч Олм ИодЯВ Е .л о м а к лО л о ус ф, Ф о о иЪ юЪ л о о л О елл ф...

Номер патента: 895948

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Семченко, Юсипов

МПК: C04B 7/38

Метки: клинкера, портландцементного, смесь, сырьевая

...Фракций не превышает 5-103, органическая часть в основном представлена присадкой угля менее 1 Х. ЭГотовят три сырьевые смеси, каждая из которых содержит в определенном процентном соотношении исходные компоненты: известняк Приокского месторождения, глину Латненского место рождения, огарки Воскресенского химического комбината, отход угледобычи Тульского угольного бассейна и поверх. постно-активную добавку.8 4Поверхностно-активная добавка 0,55П р и м е р 3. Готовят сырьевую смесь следующего состава, мас.Х:Известняковый 85,0 10,0 4,4 0,5 компонентГлинаОтход угледобычиОгаркиПоверхностно-активная добавка 0,1Сырьевые смеси готовят путем доэирования усредненных проб исходных компонентов. После усреднения и дозировки сырьевые смеси подвергают...

Номер патента: 890459

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Мальцев, Прагер, Субботина, Юсипов

МПК: H01G 4/00, H01G 4/33

Метки: конденсатор, пленочный

...толщиной 0,3-0,5 мкм,4 - тонкопленочный электрод изтугоплавкого металла,5 - контактные площадки электрода1, выполненные из того же металла, что и электрод 4 и полученные методом фотолитографии;б - диэлектрическая подложка.Предлагаемая конструкция пленочного конденсатора проверена в лабораторных условиях в процессе изготовления и испытания опытной партии.Электроды предлагаемого ПК, расположенные на диэлектрической подложке, изготовляют из пленок молибденаили никеля с подслоем титана. Пленки молибдена осаждаются ионно-плазменным распылением мишени, пленкиникеля " электронно;лучевым испарением штабиков, титан осаждается резистивным испарением из молибденовых лодочек. Толщина электродов 0,50,8 мкм. В качестве...

Номер патента: 882542

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Бей, Беломытцев, Виценко, Гончаров, Калмычков, Курлянд, Онуфриев, Пономаренко, Ткаченко, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: вальцовый, кристаллизатор

...8 электромагнитного индуктора вихревых токов,выполненная по форме образующей вальцаи расположенная с минимальным зазоромпо отношению к внутренней поверхностивальца. Катушка индуктора заключена в 40диэлектрическую оболочку 9, котораязащищает катушку от попадания на неехладоносителя, и укреплена на кронштейне 10, жестко соединенном с неподвижным коллектором 7, внутри которого45проходят выводы 11 катушки иидуктора,подключенные к импульсному источникутока 12. Для отвода закристаллиэовавшегося продукта кристаллизатор снабжен лотком 13.Кристаллизатор работает следующим50образом.Расплав или исходный раствор непрерывно поступает в ванну 5 кристаллизатора. На наружной поверхности частично погруженного в расплав вращающегося вальца,...

Номер патента: 880428

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Бондарев, Зорин, Колесников, Романов, Степанский, Юсипов

МПК: A61K 31/015, A61K 47/22, C07D 215/10 ...

Метки: животных, продуктов, растительных, стабилизатор

...в котором является маточник. Эахоложенность последнего хорошо согласуется с таким оформлениемреактора. За 30-60 мин пребывания5реагентов в непрерывном реакторе смешения при 15-40 С достигается конвертсия 97-99. Далее, по переливу, реакционный раствор направляется впротивоточную экстракционную насадочную колонну, в нижнюю часть которойнепрерывно дозируется толуол. Принисходящем движении, в режиме противотока с толуолом, реакционный водно- .солевой раствор рафинируется, осво,бождаясь от свободных органических 15 примесей. Над входом реакционногораствора предусматривается дополнительная секция, в которую сверху вводится вода, движущаяся в противотокс экстрактом и соединяющаяся с реак О ционным раствором. Такое оформлениеэкстрактора не...

Номер патента: 860799

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Гончаров, Калмычков, Курлянд, Онуфриев, Пономаренко, Ткаченко, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизатор

...веществ с обратной растворимостью) с выделением избыточного количества растворенного вещества в виде кристаллов, основная масса которых удерживается в корпусе кристаллизатора в псевдоожпжсцном состоянии и слуэкит межфазнои поверки)стью для снятия пересыщсния кристаллизусмого раствора.В отстойной камере 2 происходит Освстленис кристаллизуемо о раствора, который через патрубок 6 выводится из кристаллизатора,Избыточное количество этого раствора отводится через патрубок 7, а избыточное количество образовавшихся крпстал)Ов в виде суспензии продукционных кристаллов - через патрубок 5 на разделение. Теплоноситель для охлаждения (или нагревания) дисков непрерывно подастся и отводится через патрубкп 12 и 13, Вран)ением траверсы 16 со скребками...

Номер патента: 850269

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Рыбкин, Семенов, Филимонов, Юсипов

МПК: B22C 9/24

Метки: керамическойлитейной, формы

...металла армирующие элс менты удаляются из полости 4 е 13Однако известный способ имеет ограниченное применение, так как ьыполнение манипуляций с арюарующаимн элементами возможно только при ИЗГОТОЛЕННН КРУПНО 1 абарнтных ОТЛИ Е вок, Его нельзя использовать при литье .мелких отливок с узкими и длинными ПОЛОСТЯМИ, КРОМ 8 З ТОГО с Не ИСКЛ 10 Чается применение кварцевых материалов, имеющих бОЛ ьшой КОз фф 1 ЩИ ен терьи чес кого расширения, ухудшающий точностьб отливок.Цель изобретения - повышение точности отливок и облегчение очистки полостей в отливках.Для достижения указанной цели при способе изготовления керамической ЛИТЕЙНОЙ ФОРМЫс ПОЛУЧас"МОЙ ПО ВЫП- лавляемзм моделямр преимущественно ДЛЯ ОТЛИВОК С УЗКИМИ ПОЛОСТЯМИ СЛОЖ-. ной...

Номер патента: 827095

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Бей, Гончаров, Пономаренко, Ткаченко, Хант, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: вальцовый, кристаллизатор

...10 уплотнена стаканом 11. Кристаллизатор снабжен бункером 12 для разгрузки продукта патрубком 13 для подачи расплава, патрубками 14 и 15 для ввода и вывода теплоносителя, и патрубками 16 и 17 для ввода и вывода хладагента,Торцы корпуса 3 снабжены боковыми стенками 18 с отверстиями 19, при этом нижний торец боковой стенки расположен выше уровня расплава.Центр крышек 6 и отверстий 19 в боковых стенках 18 смещен вверх относительно продольной оси корпуса 3, при этом ось вальца 2 смещена вниз относительно оси в корпусе 3.Кристаллизатор работает следующим образом.Расплав через патрубок 13 поступает в нижнюю часть корпуса 3, которая обогревается теплоносителем, поступающим через патрубок 14 и отводимым через патрубок 15. На наружной...

Номер патента: 809411

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Беляков, Головин, Смирнов, Юсипов

МПК: H01C 7/06

Метки: резистор, тонкопленочный

...фиа,1 Эта цель достигается тем, что в тонкопленочном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, кромка вывода, граничащая с расширенным концом выполнена в виде дуги эллипса большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. Кроме того, расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение.На фиг. 1 изображен пленочный резистор, общий вид; на фиг. 2 - вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А.Тонкопленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, нанесенный на ее поверхность пленочный .резистивный элемент 2, пленочные выводы 3 с расширенными концами 4 резистивного элемента, кромка...

Номер патента: 809410

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Корзо, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонко-пленочных

...вес.в: Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния,Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром 130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,410 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхнзостнык сопротивлением 0,5.1 кОм/ммЭксплуатационные испытания резистс-ров на основе сплава хром-углерод- кремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8.Установлено,...

Номер патента: 796747

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Вишняков, Гласман, Жуков, Линник, Юсипов

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселективногоэлектрода, ионочувствительноймембраной, соединения, токоподводабезрастворного

...г. Ужгород, ул. Проектная,4 диаметром 5 мм, толщиной 3 мм дуговыми электродами прижимается токоподвод из медной проволоки 1 мм) с усилием 50 г, напряжение 60 В, время протекания тока 0,4 с. Глубина вплавления токоподвода 1,5 мм, Минимальная сила отрыва токоподвода от мембраны 1,5- 2,0 кг.П р и м е р 2, К таблетке ионочувствительного материала из АЬ СбЬ диаметром 5 мм, толщиной 3 мм по технологии, описанной в примере 1, вплавО лен медный токоподвод. Минимальная сила отрыва токоподвода от мембраны 1,3-1,8 кг.П р и м е р 3. К кусочку ионочувствительного материала из 4 ф 5 А 15 раэером 2 " 1 ф 1 мм дуговыми электродаи прижимается токоподвод из серебрянного остеклованного микропровода диаметром 120 мкм, напряжение 90 В. Время протекания...

Номер патента: 767221

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Кологривова, Корзо, Рысев, Черняев, Юсипов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, реактор, фазы

....камеры осаждения установлен.съемный сепаратор 10, содержащийкольцевые секторы 11, разделенные р 5перегородками 12, в которых выполнены отверстия 13 для подачи паровреактива в зону 9 осажденияСистемаподачи газовой смеси(на чертеже непоказана)подключена к камере осаждения эа сепаратором 10. Подложкодержатель 4 жестко связан с виброприводом (на чертеже не показан),служашим для возбуждения колебательных движений в вертикальной плоскости.Устройство работает следующимобразом.Исходные изделия в виде шаров (например, стальных)из магнитного материала загружают в бункер б, включают магнитный затвор 5, и партияшаров поступает в подложкодержатель 4.Так как напряженность магнитногополя, создаваемого в реакторе соленоидом, возрастает к его стенкам...

Номер патента: 741902

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Бондарев, Гончаров, Калмычков, Колесников, Романов, Ткаченко, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: вальцовый, кристаллизатор

...криоталлизатор, а на фиг. 2 - валец кристаллизатора.Вальцовый кристаллизатор состоит извальца 1, поддона 2 для исходной жидкости, контактирующей с поверхностью вращающегося вальца, ножа 3 для снятияотвердевшей пленки продукта, шнековоготранспортера 4, несущей рамы 5, крыш741902 3ки 0 и приводов (на чертежах не покаэаны),Внутри корпуса помещены труба 7 сфарсунками для разбрызгивания хладоносителя, корыто В и трубопровода 9 дляподачи теплоносителя, который неподвижно прикреплен к корыту и выведен извальца через полую цапфу.Отработанные хладоноситель и теплоноситель собираются в сборнике 10,откуда отводятся по трубе 11.Кристаллиэатор работает следующимобразом. Вращающийся от привода валецнепрерывно контактирует с горячей исходной...

Номер патента: 735272

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Беломытцев, Гончаров, Калмычков, Марченко, Ткаченко, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: вальцовый, кристаллизатор

...диаметр которых равен диаметру вальца.На чертеже изображен предлагаемый вальцовый кристаллизаторВальцовый кристаллизатор содержит раму 1; установленный на ней валец 2 с системой трубопроводов для подачи и распыления через форсунки 3 хладоносителя и патрубками 4 для отвода хладоносителя иэ вальца; поддон 5 для расплава, подпружиненную плиту б с;ножом 7, расположенную на . оси 8. Края ножевой плить снабжены регулируемыми роликами 9,опирающими735272 Формула изобретения ИПИ Заказ ул. Проектная, 4 лиал ППП Патентф Ужго ся на специально выполненные наторцах вальца опорные элементы 10, кото 15 ые установлены на валу вальцаза пределами поддона для расплава.Контакт роликов с опорными элементами обеспечивается пружинами 11.Опорные элементы 10,...

Номер патента: 662559

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Бондарев, Гончаров, Гуськов, Каждан, Колесников, Решетников, Романов, Санкин, Шкуро, Юсипов

МПК: C08F 6/10

Метки: 4-триметил-1, дигидрохинолина, полимера

...полимера ацетонанила имеет следующий состав., вес.Ъ;чв " еГ 6625Ъ Формула изобретения АнилинМономер ацетонанилаВодаТолуол 0,5 0,2 0,4 98,9 4,5 АнилинМономер ацетонанилаПолимер ацетонанилаТолуолПримеси полимерного характера и другие 7,3 60,2 20,5 30 7,5 45 Мономер ацетонанилаПолимер ацетонанилаПримеси пОлимерного характера 0,5 99,9 50 0,5 Составитель А.ПереверзеваРедактор Л.Новожилова ТехредЛ. Алферова Корректор А. Г риценко Заказ 2640/30 Тираж 584 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Мономер ацетон=анила 2,6Полимер ацетонанила 21, 0Толу ол 71,7Примеси полимерного характера и др. 2,6Вода 0,2.Раствор подается при 90 С в плеоночный испаритель с всползающей...

Номер патента: 625731

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Бей, Бондарь, Калмычков, Пономаренко, Ткаченко, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: вальцовый, кристаллизатор

...с возможностью перемещения относительновальца путем подъема или опускания еетем или иным способом (монтажные подкладки, перемещение за счет нажимноговинта и т. д,).На чертеже показан описываемый вальцовый кристаллизатор.Кристаллизатор содержит раму 1, на которой установлены валец 2, поддон 3, перегородка 4 с торцовыми стенками, снабженная слоем теплоизоляции 5 и штуцерами б,7 для подачи и отвода теплоносителя, ножи8 для скалывания продукта, транспортер 9,валец кристаллизатора снабжен трубопроводом 10 с форсунками 11 для разбрызгивания и патрубком 12 для отвода хладоносителя. Поддон кристаллизатора снабженпатрубком 13 для подачи расплава под перегородку 4.Кристаллизатор работает следующим образом,Расплав подается в поддон 3 чсрез патрубок...