Патенты с меткой «n+-p-p+»

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...