Хлоргаллий-(4, 4, 4, 4-тетрахлор)-фталоцианин в качестве полупроводникового материала для изготовления терморезисторов

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 1589080

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Мотузко

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...и повысить точность аппроксимации.Термопреобразователь 1 через коммутатор 3 подключен к блоку 4 коррекции, осуществляющему преобразование характеристики (1) к более простому видуЯэ (Т) =Я (Т,) ехр (В 7 - В/Т,), (2) где В (Т) - эквивалентное сопротивлениеблока 4 коррекции с подключенным к нему термопреобразователем 1.Функцию преобразования гиперболического преобразователя 5 можно выразить в видеЦ 7=Р,где Р, - постоянный коэффициент, имеющийразмерность мощности;1 - входной ток схемы 6 логарифмирования.При этом мощность, подводимая к термопреобразователю 1,Р =И 7 ф 1=Р, (4) не зависит от его сопротивления и, следовательно, от температуры (при выводе учтено,о Я (Т) й,; й (Т)) .Для более полного использования динамического диапазона...

Номер патента: 269564

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Карманов, Мухин, Соловьев

МПК: G01N 25/32, G01N 27/02

Метки: детектор, термокондуктометрический

...стенками, позволяющими выравнивать тепловые характеристики рабочего и компенсационного термочувствительных элементов.Подвижные стенки могут иметь углубления, например, конической формы, размещенные напротив термочувствительных элементов. На чертеже изображен опсьааемьй дектор в разрезе, 3 Он состоит пз металлического корпуса 1, сравнительной 2 и измерительной 3 камер диффузионного типа, Сверху камеры закрыты неподвижными пробками 4, снизу - подвижными пробками б и б. Через осевое отверстие пробок пропущены компенсационный 7 и рабочий 8 полупроводниковые терморезисторы. Диаметр резьбового отверстия камер не должен превышать 5 - 8 лл. В дне подвих ных пробок выполнены углубления, например, конической формы. Терморезисторы закреплены на...

Номер патента: 819825

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Андриеш, Пономарь

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...(5 - 15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) . подсоединяют выводные контактные концы.Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из ЬЬфеа и оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 %-ном растворе плавиковой кислоты и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки. Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диа89825 Формула изобретения Составитель Т. Баранова Редактор Б.федотов Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко Заказ 1183/29 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 887945

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Кичигин, Миронов, Митин, Тхорик, Чистяков, Шварц

МПК: G01K 7/22

Метки: терморезистор

...монокристаллического полупроводника. Предпочтительно пара- метр кристаллической решетки полупроводника выбирать близким к параметру кристаллической решетки германия.Терморезистор работает следующим образом.ЯИзменение температуры приводит к изменению .сопротивления пластическифдеформиЬванной пленки германия. Воз87945 3 8 никающие при пластической деформации линейные и точечные дефекты в объеме пленки обеспечивают появление проводимости по примесям в области низких температур. Эти же дефекты при более высоких температурах обеспечивают проводимость по валентной зоне (пленка германия р-типа), Сильная температурная зависимость проводимости по примесям к валентной зоне обеспечивает высокую термочувствительность преддагаемого термореэистора в...