Патенты с меткой «терморезисторов»

Номер патента: 288093

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Плащинский, Шефтель

МПК: H01C 7/04

Метки: высокотемпературных, материал, резистивный, терморезисторов

...ДЛ ЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕ ЗГОТОВЛ ЕНИЯРЕЗИСТОРОВ(6 - 10)10 ом пр ный коэффициен 1,4% С. 600 и 1000 сопротивлен Температу от 29 д 5 дмет изобре В описываемый резистивный целью увеличения его температ фициента и повышения стабильн ческих параметров при темп 1000 С введено 85 - 98 вес. % дв и 2 - 15 вес. % двуокиси цирконИзготовленные из описанно терморезисторы в диапазоне 650 в 10 С имеют сопротивлени Резис сокотем 10 жащий тем, что коэффиц стабильн териала 15 держит 2 - 15 веериал для из терморези циркония,увеличения ротивления стрических п ературах до ес. % двуок иси цирконпятивныи мат пер атурных двуокись с целью иента соп ости зле при темп 85 - 98 в с. % двуок Известныи рези товления высокот ров, содержащий ризуется относите...

Номер патента: 361471

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зорин, Кандыба, Шепелев

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...рез исто отивле величин мперат терм 1 лтом.Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способу вакуумно-термического напыления тонкопленочных терморезисторов, используемых в качестве элементов тонкопленочных микросхем.Известен способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.Недостатком известного способа является 10 низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и недостаточная стабильность изготовляемых терморезисторов.По предлагаемому способу с целью повышения ТКС и стабильности терморезисторов 15 смесь окислов марганца, кобальта и меди методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный тем же методом на подложку...

Номер патента: 615422

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Давыдов, Двас

МПК: G01R 17/10

Метки: времени, постоянной, терморезисторов

...повышение,точности измерения.цепь достигаетса тем,ччто устройство. 0содержит два резистора и перекидкой ккюпричем один резистор вкпючен поспецоватепьно с кпеммами дпа подкпючения испытуемого приборе в ппечо моста и зашунтирован перекидным кпючом, а второй р 15зистор через тот же кпюч вкпючен лараь,пепьио кпеммам дпа подкпючениа испытуемого прибора.Устройство см. чертеж) содержит измеритепьный мост, в одну диагонапь кото-рого вкпючен источник питания 1, а в цругую - измеритепьный приборна чертежене показан). В одно кз ппеч мос-л вкпючен испытуемый терморезистор 2, тритапьные ппеча образованы магазинами соп ротивления 3,4,5, перекидкой кпюч 6, причем один резистор 7 вкпючен носпедоватепь.но с испытуемым терморезистором в ппечо моста и...

Номер патента: 673363

Опубликовано: 15.07.1979

Автор: Савин

МПК: B21F 3/08

Метки: бифилярных, намотки, плоских, терморезисторов

...размецены подвижные ребра 14, которые жестко соединены с кольцом 15, в центре которого выполнено направляющее отверстие по диаметру цилийдра 13, В центре цилиндра 12 установлен центр 16 с пазом, в котором проходят выступ одного из подвижйых ребер 14. При намотке проволочных терморезисторов измеряют диаметр проволоки- для установки зазора 8 между втулкой 11 и ограничителем. Зазор 8 с помощью микрометрической винтовой пары устанавливают в зависимости от диаметра наматываемой проволоки по величине Б й+ 0,.01 + 0,005 мм. 30Для удержания настроенного размера ограничителя по ртношенйю трехточечной опоры 10, в устройстве.выполнен прижимной механизм, который состоит из стойки 17, на которой уста- З 5 йовлен кронштейн 18. В кронштейне 18...

Номер патента: 684341

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Гуткин, Новицкий

МПК: G01K 15/00

Метки: поверки, терморезисторов

...Щд-уо 1 пЕ, Ик-) (,Г)(4)Сравнивая выражения (2) и (4), мы получим уравнение, связывающее первоначальную и текущую характеристики измерительной цепи, позволяющее скорректировать влияние прогрессирующей погешности на результаты измерения. 6Оз Цз.аУ.ОО (4 й Й 1 п-.БО фОв(ц,-ор На основании вышеизложенного может быть предложена следующая методика проведения поверки ПТР, Получив градуировочную характеристику измерительной цепи с терморезистором, так подбирают величину поверочного импульса 1 . и моменты времени 11 и 1, чтобы лолученные значения 0,1 и О попадали в ра бочий диапазон измерительной цепи и на ходились на некотором расстоянии от ограничивающих его значений. После этогоначинается эксплуатация измерительнойцепи, а результаты...

Номер патента: 729653

Опубликовано: 25.04.1980

Автор: Новиков

МПК: H01C 7/04

Метки: косвенного, отбраковки, подогрева, терморезисторов

...и вконце импульса. В перерывах междуимпульсами температура рабочего телаизменяется незначительно. Однако зазто время температура термочувствительного элемента успевает понизиться до температуры подогревателя,так как постоянная нремени 1: значительно меньше -,В результате в первый момент приподаче импульса тока падение напряжения на термочувствительном элементе Б 1 пропорционально его сопротивлению, соотнетствующему температуре, до которой остыло рабочее телок концу перерыва между импульсами,В конце импульса тока теомочувствительный элемент прогрет и падение напряжения П пропорциональносопротивлению, соответгтвующемутемпературе нагрена термочувствительного элемента, которая больше температуры рабочего тела,Различие н температурах...

Номер патента: 938321

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Карташева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, терморезисторов

...на 100 200 оС15Эта цель достигается применением известного керамического конденсаторного иатериала состава, вес.т,:Титан бария91,7 - 98,9Окисел редкоземельногоэлемента 0,1 " 1,3Двуокись кремния 1,0 - 7,0 для изготовления терморезистора. 2.В таблице приведены параметрытермореэисторов при иаксимальном,минимальном и среднем содержании титана бария в предлагаемом материале.На чертеже изображено изменениеудельного сопротивления в зависимос-ти от теипературы и состава терморезистора.Использование предложенного керамического материала для изготовления терморезисторов имеет то преимущество, что при нанесении оиическогои неомического электродов на одномматериале возможно получить термо, резистор и конденсатор,Применение керамического...

Номер патента: 951414

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Архаров, Горшков, Кудренко, Лобанов, Сизенов, Снеговая, Трошева

МПК: H01C 7/00

Метки: коэффициентом, материал, отрицательным, сопротивления, температурным, терморезисторов

...5 ч, затем прокаливают при 1470 К в течениео4 ч.В интервале температур 570-670 К материал имеет чувствительностьо22800 К; температура срабатывания К. 15П р и м е р 2. Терморезистивный ма- териал состава, вес.Ж: СаО - 48,00 Т 10 - 51 у 25 у 10 - Оэ 75Для получения материала оксиды смешивают в шаровой мальнице в тече ние 5 ч, затем прокаливают при К в течение 4 ч. В интервалеотемператур 570-670 К материал име 4ет чувствительность (В).32120 К,- 630 К.П р и .м е р 3. Терморезистивный материал состава, вес,0: СоО 3 175Т 10 - 67,75, Сг О 0 50Для получения материала смешивают оксиды в шаровой мельнице в течение 5 ч,. ; затем прокаливают при 1470 К в течение 4 ч, В интервале температур 620- 720 К В=13800 К, еср,в =670 К. П р и м е р 4....

Номер патента: 1034079

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Гришаева, Майдукова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...Ю. ГерасичкиРедактор Н,безродная ТехредМ.Костик Корректор И. Ватрушкина акаэ 5634/54 Тираж 703 ВНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб, одписно 4/5 Фйлиал ППП "Патентф, г,ород, ул. Проект Изобретение относится к электрон-ной технике и может быть использовано в технологииизготовления терморезисторов для термочувствительных датчиков.Известен материал для тврчорезис-. 5 торов, содержащий оксид висмута и добавку оксидов цинка й марганца (1,Недостатки известного материала .для терморезисторов состоят .в низком начальном сопротивлении (,10" Ом/см, 10 невысоком коэффициенте термочувствительности (8200 0 К) и узком интервале рабочих температур (де 8000 С ).Наиболее близким к предлагаемому...

Номер патента: 1105946

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Алексеева, Бахтинов, Биркен, Дикиджи, Ярославский

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...терморезисторов включает изготовление порошковой мишени изтвердых растворов полупроводниковых оксидов переходных металловсогласно техпроцессу ЦЛ.25065.00001,для чего последние измельчают спомощью пестика до порошкообразногосостояния.Полученный порошок помещают надиск из плавленного кварца, постепенно выливают на порошок спирт,растирают порошок со спиртом дополучения однородной суспеизии, которую равномерно распределяют по поверхности диска. Помещают кварцевыйдиск с нанесенной на него суспенэиейв термостат (любого типа) при100+5 ОС на время не менее 2 ч. Через 2 ч "порошковая" мишень готова к работе.Нанесение термочувствительнойпленки тонкопленочного терморезистора осуществляют на установке типаУВНПс применением в качествевысокочастотного...

Номер патента: 1107179

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Заугольникова, Ибрагимов, Комиссарова, Мельников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, терморезисторов

...800 С в течение5 ч. Иэ него готовятся образцы в виде параллелепипеда размером 2 х 5 х 10 мм,Получается материал БЬЕг(ЧОсодержащий 60,5 вес. РЪ СО,33,3 вес. Г О , остальйое Ч 2 О свеличиной удельного сопротивления при293 К 2,5 х 10 6 Ом"см и с отрицательным ТКС 1,69 СП р и м е р 4. Перетирается 2,26 гВЬ СО.; 1 63 г Б 6 О ; 1,72 г Ч Отаблетируется под давлением 1000 кг/сми прокаливается при 800 С в течение5 ч, Из него готовятся образцы ввиде параллелепипеда размером 2 х 5 хх 10 мм. Получается материал ВЬ 2 Бш 0,2,(ЧО 4 ) , содержащий 54,3 вес. ВЬ СОБш Оэ, ОстальнОе Ч О с величинойудельного сопротивления при 293 К1,7 х 10 Ом-см и с отрицательным ТКС61,3 СП р и м е р 5. Перетирается 3,31 гВЬ СО ; 1,58 г Рг 20, 1,7 г Ч 20,,5 1 таблетируется...

Номер патента: 1138838

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гравов, Кононюк, Попов, Тихонова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...коэффициента старения (100%) и узком диапазоне температурного коэффициента 25сопротивления (5-8%/ С) .Цель изобретения - расширениедиапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышение стабиль-ЗОности электрического сопротивленияпутем уменьшения коэффициента старения,Поставленная цель достигается тем,35 что материал для терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержитоксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид марганцаОксид цинкаОксид меди Для приготовления материала ис.пользуют порошки Мп О и Си(МОз) х ЗСпОЗН О марок "для полупроводников" и 2 пО марок ч. или ч.д.а. Смесь порошков предварительно обжигают при 750-800 С 1-2 ч на воздухе, затем...

Номер патента: 1150497

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Корешев, Нелепин, Сафонов, Сударев, Усков, Хабазов

МПК: G01K 15/00

Метки: поверки, терморезисторов

...сопротивление контакта между термо- .резистором и контактирующимс ним массивом;8 - площадь поверхности контактатермочувствительного элемента с окружающим массивом;8 - коэффициент, определяющийстепень отклонения процесса термореэнстора от адиабатического полученный экспериментально. Выбор оптимальной длительности импульса тока позволяет обеспечить условия нагрева термочувствительного элемента термореэистора, близкие к адиабатическим, в результате. чего практически вся выделенная в нем тепловая энергия расходуется на новышеиие температуры и точность поверки повышается.Нри пропускании тестового импульса тока на нагрев термочувствительного элемента расходуется тепловая энергия в количествеЯ сш Ьс (1) где с - средняя массовая...

Номер патента: 1238167

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Кононюк, Махнач

МПК: C04B 35/50, H01B 3/12

Метки: терморезисторов, шихта

...значений и снижение температуры спекания.Пример (приготовление конкретного состава шихты и изготовление из нее заготовок терморезисторов в виде дисков и бусинок).Для получения 5 г шихты состава 3 (таблица) брали 7,503 г 1 л(МОз ). 6 НвО (2,825 г 1 аОз), 2,522 г %(МОз) з 6 НО "(0,65 г %0) и 2,33 г 2 гО(1 ЧОз) з 2 НзО (1,075 г 2 гО). Смесь нитратов нагревают до 850 С и выдерживают при этой температуре 4 ч. Полученный порошок частично прореагироДля получения бусинок в исходную шихту вводили загустители в виде 10 о-ного раствора этилцеллюлозы в воде и из полученной пасты формовали бусинки на электродах из платиновой проволоки Я 0,3 мм, длиной 2 - 5 см. Заготовки бусинковых терморезисторов подсушивали и спекали при 1350 С 4 ч на воздухе....

Номер патента: 1302336

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

...6,32 77,91ный) Формула изобретения СоставительО. ГерасичкинРедактор И. Николайчук Техред И. Верее Корректор О.;1 уговаяЗа каз 951/51 Тираж 699 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раугвская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для получения сегнетоэлектрических керамических материалов при изготовлении терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС). Целью изобретения является расширение диапазона рабочих температур материала в интервале 49 - 582 С, что позволяет улучшить воспроизводимость его свойств,Для получения материала...

Номер патента: 1383113

Опубликовано: 23.03.1988

Автор: Степанюк

МПК: G01K 7/16

Метки: стабилизации, терморезисторов

...массы терморезисторов, причем получаемая величина стабильности сохраняется и для режима эксплуатации под электрической нагрузкой до 0,1 Р где Р,ц - значение мощности рассеяния, при которой величина сопротивления уменьшается не более чем на 17 в результате нагрева терморезистора током в нормальных условиях, в отличие от нестабилизированных терморезисторов, для которых данная нагрузка удваивает скорость дрейфа характеристик по сравнению срежимом хранения, Достигаемый эффект стабилизации объясняется приближением к равновесному состоянию примесей в твердом растворе материала в соответ 5 , ствии со сформированным их распределением - максимумом концентрации вдали от термочувствительных .контактных зон структуры рабочего тела терморезисторов,...

Номер патента: 1508107

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Веселко, Пархомов

МПК: G01K 7/16

Метки: искусственного, старения, терморезисторов

...последовательность со скважностью, равной 2 и определенной длительностью импульсов (зави 4сит от того, какой выход делителя частоты 2 подключен к выходу мультиплексора 8 программатором 7).Импульсная последовательность с выхода мультиплексора 8 поступает на вход первого счетчика 9, который начинает подсчет поступающих импульсов и меняет состояние на своих выходах, подключенных к счетным входам схемы 10 сравнения. Нечетные входы схемы сравнения соединены с второй группой выходов программатора 7, который предназначен для управления скважностью импульсов, воздействующих на терморезистор, Схема 10 сравнения - схема сложения по модулю 2. Пока кодовые комбинации на четных и нечетных входах схемы 10 сравнения не совпали, на ее выходе...

Номер патента: 1791785

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Кириченко, Колосов, Панин, Строило

МПК: G01R 27/00

Метки: позиционного, пороговое, терморезисторов

...вывод образует первый вход 20, а общая точка соединения электродов 28, 29 - второй вход 19 формирователя парафазных импульсов,Работа устройства осуществляется сле дующим образом.5 1015 2025 304045 50 1) Контроль температуры термосопротивлением с положительным температурным коэффициентом (фиг,2).В исходном состоянии при отсутствии перегрева контролируемого узла машины сопротивление терморезистора 1 мало, От положительной полуволны напряжения источника переменного тока (выводы 21, 6) через входную цепь (выводы 19, 20) формирователя парафазных импульсов 18 и последовательную цепочку из диода 2 и термореэистора 1 протекает ток, формирователь парафазных импульсов 18 выполнен с линейной статической характеристикой, поэтому на его выходе 22...

Номер патента: 697016

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: G01K 7/22, H01L 45/00

Метки: критических, материал, переключающих, полупроводниковый, терморезисторов, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диоксид ванадия - 1 - 60Связующее - Остальное

Номер патента: 1780439

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/46, H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий BaTiO3 с добавкой на основе Y2O3, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного интервала положительного температурного коэффициента сопротивления в низкотемпературную область, повышения величины удельного объемного сопротивления и снижения температуры спекания, он содержит в качестве добавки на основе Y2O3 соединение YBa2Cu3O7-x, где x=0-0,1, при следующем соотношении компонентов, мас.YBa2Cu3O7-x(x=0-0,1) 0,21 0,86BaTiO3 Остальное

Номер патента: 1253358

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий синтезированную смесь оксидов висмута (III) и ванадия (V), отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельных сопротивлений в низкоомной области в интервале температур 295-330oС, он дополнительно содержит оксид титана (IV) и отвечает общей химической формуле синтезированного ванадата-титаната висмутаBi21/6 V5/6 Ti1/6 O52/3.

Номер патента: 1512105

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Майзлиш, Смирнов, Сорокина, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 51/30

Метки: 4-тетрахлор)-фталоцианин, качестве, полупроводникового, терморезисторов, хлоргаллий-(4

Хлоргаллий-(4', 4'', 4''', 4''''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве полупроводникового материала для изготовления терморезисторов.

Номер патента: 1512392

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Красненко, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

Материал для изготовления терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия и двуоксидной системы щелочного и щелочноземельного металлов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур за счет повышения термочувствительности и стабильности в интервале температур 600 - 1000oC, в качестве оксидного соединения ванадия и двухоксидной системы щелочного и щелочноземельного металла он содержит двойной ортованадат, отвечающий общей химической формуле Na1+0,66хCa1-0,33хVО4, где 0,01 x 0,05.

Номер патента: 1131372

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Волков, Захарова, Ивакин

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

Материал для терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения влагостойкости и термочувствительности материала в диапазоне температур 35 - 80oC, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле xV12O31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный элемент или водород, а 1 x 2.