Кухновец

Номер патента: 1120880

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Кухновец, Сидоренко

МПК: H01L 21/306

Метки: мдм-структур, н-образной, характеристикой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДМ-СТРУКТУР С N-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, включающий формирование на алюминиевой пластине пористого диэлектрического слоя, электролитическое осаждение металла в поры, напыление контактного электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДМ-структур за счет исключения возможности образования мостов проводимости, перед осаждением металла в поры дополнительно образуют барьерный слой в нерастворяющем электролите, причем потенциал анодирования в нем должен превышать амплитуду переменного напряжения осаждения металла на величину 0 < U 4B.

Номер патента: 646778

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Кухновец

МПК: H01J 1/30

Метки: катод, пленочный, холодный

ПЛЕНОЧНЫЙ ХОЛОДНЫЙ КАТОД, включающий рабочую область, состоящую из последовательно размещенных слоев металла, диэлектрика и верхнего прозрачного для электронов тонкого металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и надежности катода, в диэлектрическом слое рабочей части катода выполнено множество углублений, а верхний металлический слой имеет утолщение в местах между углублениями, причем толщина диэлектрического слоя в углублениях выбрана меньшей толщины диэлектрического слоя между ними по крайней мере в три раза.

Номер патента: 580767

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Кухновец

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, отверстиями, углублениях

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ, содержащий операции предварительного покрытия алюминиевой пластины мягким слоем анодной окиси алюминия, нанесения в местах будущих углублений слоя фоторезиста, анодирования в слаборастворяющем анодную окись алюминия электролите, удаления фоторезиста, повторного анодирования и вытравливания оставшегося алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности изготовления отверстий и их расположения, после операции покрытия пластины мягким слоем анодной окиси алюминия всю пластину, за исключением мест будущих отверстий, покрывают фоторезистом, в незащищенных местах получают твердый слой окиси алюминия анодированием в электролите, не растворяющем анодную окись...

Номер патента: 529772

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Кухновец, Морозов

МПК: H01J 9/02

Метки: прибора, системы, электровакуумного, электродов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, включающий операции нанесения защитной пленки, анодирования, травления алюминия, нанесения проводящих покрытий, отличающийся тем, что, с целью получения системы гальванически развязанных электродов с отверстиями и варьирования междуэлектродными расстояниями, защитную пленку наносят одновременно с обеих сторон пластины, анодируют обе стороны пластины на глубину, обеспечивающую электродные расстояния и толщину электрода, и вытравливают оставшийся алюминий в местах отверстий.

Номер патента: 558327

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Григоришин, Кухновец

МПК: H01J 29/50

Метки: лучами, электронными

...друг от друга.На чертеже показано предлагаемое устройство. На обеих сторонах диэлектрического основания 1 с отверстиями 2 нанесены управляющие 3 и экранные 4 электроды. Экранные электроды расположены на поверхности, а управляющие электроды - в углублениях основания и изолированы друг от друга диэлектрическими полосками 5, перпендикулярными плоскостям расположения управляющих и экранных электродов, Каждый управляющий электрод снабжен токоподводом 6 и контактной площадкой 7.Расположение управляющих и экранных электродов в разных плоскостях и на обеих сторонах диэлектрического основания дает возможность иметь систею индивидуальныхФормула изобретения Составитель В. ОбуховТехред М, Семенов Корректор 3. Тарасова Редактор И. Шубина Заказ...