Мелебаев

Номер патента: 1634065

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Гольдберг, Дурдымурадова, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/06

Метки: фотоприемник

ФОТОПРИЕМНИК, состоящий из варизонной полупроводниковой пластины, расположенной между омическим и барьерным контактами, при этом ширина запрещенной зоны в пластине уменьшается в направлении от барьерного контакта к омическому, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности в ультрафиолетовой области спектра, между полупроводниковой пластиной и выпрямляющим контактом расположен слой диэлектрика толщиной 3 - 5 нм с шириной запрещенной зоны не менее 5 эВ.

Номер патента: 1810933

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Гольдберг, Мелебаев, Тилевов

МПК: H01L 31/108

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...структуры на воздухе при тембольшую энергию, до 5 эВ. Иэ-за наличия 20 пературе 60 С в течение щ 20 мин. Его тонкого диэлектрического слоя (3 - 5 нм) ко- толщина определялась методом эллипсоличество горячих электронов, переходящих метрии и -оставляла дд3,5 нм. Ширина в металл, невелико, поэтому коротковолно- запрещенной зоны окисла была определевая (УФ) фоточувствительность достаточно на оптическими измерениями и составляла высокая, В.то же время слой объемного за 5 эВ, что соответствует ширине эапрещенрАда на краях барьерного контакта растянут ной зоны естественного окисла арсенида галза счет выемки, что уменьшает влияние кра- лия.евого эффекта, приводя к значительному . Полупрозрачный барьерный контактсоснижению уровня темнового тока и...

Номер патента: 660508

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Беркелиев, Гольдберг, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...имеет наибольшее значение минимальнойэнергиипрямых оптических переходови барьерного контакта,50С целью получения селективной фоточувствительности, материал имеетнаименьшее значение минимальной энергии прямых оптических переходов убарьерного контакта.55фотоприемник может быть выполненна основе твердого .раствора СаА 1 Р,где х=0,2 у контакта из золота, Наодной стороне пластины расположен полупрозрачный барьерный контакт, ана другой - омический.При освещении такого прибора светом через полупрозрачный слой металла, создающего барьерный контакт, вполупроводнике образуются носителизаряда, которые разделяются полем потенциального барьера. Если кристаллимеет плавно уменьшающуюся в направлении от барьерного контакта минимальную энергию...