Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 697016
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин
Формула
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Диоксид ванадия - 1 - 60
Связующее - Остальное
Описание
Известен полупроводниковый материал на основе аморфных пленок диоксида ванадия (VO2). Однако аморфные пенки VO2 не обладают скачком электропроводности при фазовом переходе и из них невозможно изготовить критические терморезисторы.
Известен также полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов, включающий монокристаллический VO2.
Этот материал имеет нестабильные параметры, поскольку под действием окружающей среды изменяется его химический состав. Так, например, напряжение переключения уменьшается на 20% после 108 переключений. Кроме того, после 6-10 термоциклов монокристаллы VO2 разрушаются и становятся непригодными для изготовления критических терморезисторов.
Цель изобретения - повышение стабильности и механической прочности.
Цель достигается тем, что материал дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Диоксид ванадия 1-60
Связующее Остальное
При наличии в полупроводниковом материале связующего в указанном количестве обеспечивается более высокая, чем у материала, стабильность и механическая прочность: во-первых, за счет защиты связующим поверхности VO2 от воздействия внешней среды, во-вторых, за счет сохраняющейся способности к переключению даже при разрушении монокристаллического VO2.
При содержании связующего менее 40 мас.% получаемый материал обладает недостаточной механической прочностью и стабильностью электрических параметров, поскольку сжатие монокристаллов связующим материалом слабое и при разрушении VO2 возможна деградация электрических параметров.
При содержании связующего более 99 мас.% изготовление материала экономически нецелесообразно, так как необходима многократная ориентация материала при резке.
Для изготовления полупроводникового материала монокристаллический VO2 помещают в жидкую массу связующего, включающего эпоксидную диановую смолу и аминный отвердитель, и отверждают при комнатной температуре или при нагревании.
П р и м е р 1. 100 вес.ч. эпоксидной смолы ЭД-20, содержащей 21,8% эпоксидных групп, смешивают с 1,2 вес.ч. 2,4,6-трис-фенол-диметиламинометила. В полученное связующее добавляют 5,33 вес.ч. монокристаллического VO2, затем смесь вакуумируют в течение 10-15 мин для удаления пузырьков воздуха. Отверждение осуществляется при комнатной температуре в течение суток.
П р и м е р 2. 100 вес.ч. эпоксидной смолы ЭД-16, содержащей 15,2% эпоксидных групп, смешивают с 10 вес.ч. полиэтиленполиамина при 40-60оС. В полученное связующее добавляют 19,41 вес.ч. монокристаллического VO2, затем смесь вакуумируют в течение 10-15 мин для удаления пузырьков воздуха и отверждают при 80оС в течение 8-10 ч.
П р и м е р 3. 100 вес.ч. эпоксидной смолы ЭД-20, содержащей 21,8% эпоксидных групп, смешивают с 10 вес.ч. полиэтиленполиамина. В полученное связующее добавляют 73,33 вес.ч. монокристаллического VO2, затем вакуумируют в течение 10-15 мин для удаления пузырьков воздуха и отверждают при комнатной температуре в течение 5 суток.
Из полученных согласно примерам 1-3 материалов вырезают элементы, представляющие собой часть монокристалла VO2, находящуюся в окружении связующего, включающего эпоксидную диановую смолу и аминный отвердитель.
Испытание термоциклированием материалов, указанных в примерах 1-3, показало, что после 104 термоциклов изменение электросопротивления составило до 30%, тогда как известный монокристаллический материал на основе VO2 после 6 термоциклов разрушился.
Таким образом, предложенный полупроводниковый материал обладает повышенной стабильностью и механической прочностью и выдерживает значительное число термоциклов.
Заявка
2623586/25, 25.05.1978
Институт химии Уральского научного центра АН СССР, Институт физики полупроводников АН ЛитССР
Миллер В. И, Переляев В. А, Швейкин Г. П, Алексеюнас А. А, Бондаренко В. М, Гечяускас С. И
МПК / Метки
МПК: G01K 7/22, H01L 45/00
Метки: критических, материал, переключающих, полупроводниковый, терморезисторов, элементов
Опубликовано: 09.01.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-697016-poluprovodnikovyjj-material-dlya-pereklyuchayushhikh-ehlementov-i-kriticheskikh-termorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов</a>
Диглицидиловый эфир 3, 3-дихлор-4, 4-диоксидифенилсульфона в качестве связующего для синтеза негорючих эпоксидных полимерных композиций
Номер патента: 1110782
Опубликовано: 30.08.1984
Авторы: Гайлюнас, Игошев, Лукашенок, Мухаметова, Паукова, Сингизова, Толстиков, Юрьев
МПК: C07D 303/18
Метки: 3-дихлор-4, 4-диоксидифенилсульфона, диглицидиловый, качестве, композиций, негорючих, полимерных, связующего, синтеза, эпоксидных, эфир
...О 5 язкость по 3-4 п и 25 14 - 18,Соединение Формулы (1) получают взаимодействием 3,3 -дихлор,4-диоксидифенилсульфона с эпихлоргидрином при 100-105 С в присутствии каталитических количеств ацетата . натрия в токе инертного газа с последующим дегидрохлорированием полу ченного дихлоргидринного эФира 3,3 -дихлор,4 -диоксидифенилсульфона водным раствором щелочи,ГДиглицидиловый эфир 3,3 -дихлор,4 -диоксидифенилсульфона представ.ляет собой кристаллическое веществос температурой плавления 129-130 С(2 10М) ацетата натрия нагревают втоке инертного газа (азот, аргон)при 100-105 С 30-40 мин, Послеполного растворения ДХДС к реакционной смеси прикапывают 7,6 г (О,ч 4 М)11 аОН в 32,7 мл НО (357-ный раствор),Прикапывание ведут с такой скоростью,...
Способ получения эпоксидных смол
Номер патента: 275403
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Берлин, Брикенштейн, Веденов, Кораблев, Невельска, Остроумова, Скродска, Филиал
МПК: C08G 59/02, C08G 59/34
Метки: смол, эпоксидных
...р и м е р 1. В круглодонную колбу, снабженную обратным холодильником и капцл ляром для подачи инертного газа, вносят50 г дегидрохлорпарафина (ДХП) с бромным числом 118,5, молекулярным весом 484, содержанием связанного хлора 10,5%, 43,7 г малецнового ангидрида в 250 лл о-ксилола.15 Реакционную смесь доводят до кипения(160 С) п выдерживают прц этой температуре 8 час. Затем содержимое переносят в делцтельную воронку, разбавляют эфиром и промывают водоц до нейтральной реакции, 20 Эфирный раствор сушат под вакуумом дополного удаления эфира и о-ксцлола. Получают 54 г малецццзцрованного дегцдрохлорпарафцца (ДХПМ) с содержанием малеинового ангидрида 18,7% (дценовое число 48,5), 25 с бромным числом 68,5. Выход 92,о от расчетного.К раствору...
Структурноокрашенная эпоксидная смола
Номер патента: 627140
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Алдарова, Батлаев, Иванов, Изынеев, Маслош, Могнонов, Ржецкий
МПК: C08G 59/06
Метки: смола, структурноокрашенная, эпоксидная
...см. Эти полосы можно отнести к -)(Н-группе остатка Яого 5 иютойкоВыход смолы почти количественный. Содержание эпоксидных групп в пределах 17,0-18,0. Молекулярный вес раГЭАА, В инфракрасной области спектратакже наблюдается интенсивное поглощение при 1250 см, характерное дляэпоксидных групп, поглощение при3400 см,1 соответствующее валентньщколебаниям связи )(Н, а также валентные колебания С=О хинона при 1670 сми внеплоскостные деформационные колебания СН ароматических ядер с1,2- и 1,2,3-замещением при 750 и810 см.П р и м е р 1. В трехгорлую колбу емкостью 250 мл, снабженную мешалкой, термометром и обратным холодильником, загружают 65 мл 15-нраствора едкого натра, нагреваютдо 30 С и после добавления 45,7 гдифенилолпропана смесь...
Способ отверждения эпоксидных смол
Номер патента: 183379
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Кирилович, Научно, Рубцова, Тихонова, Шнер
МПК: C08G 59/40, C08K 5/49, C08L 63/02, C08L 67/00
Метки: отверждения, смол, эпоксидных
...ПодписноеЦН 11 ИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 течение 24 - 38 час получают неплавкие, не- разлагающиеся до 280 - 300 С и нерастворимые смолы, обладающие огнестойкостью.П р и м е р 1. 4 г эпоксидной смолы марки ЭД(содержание эпоксидных групп 21,52%) смешивают с 1,63 г полипентаметиленфосфита, полученного полипереэтерификацией диметилфосфористой кислоты гександиолом. Композицию отверждают по следующему режиму (С - час): 100 - 4, 120 - 8, 160 - 8, 180 - 2 и 200 - 2.Получают твердый, прозрачный, нерастворимый в органических растворителях, неразлагающийся до 280 С (нагревание на полимеризационной плитке) полимер. Он горит только в пламени...
Способ отверждения эпоксидных смол
Номер патента: 260166
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: C08K 5/5399, C08L 63/02
Метки: отверждения, смол, эпоксидных
...диглицпдилового Известно отверждение эпоксидных смол некоторыми производными фосфонитрильных кислот, например их хлорангидридами и амидами.Для улучшения технологических свойств эпоксидных композиций предлагается в качестве производных фосфонитрильных кислот применять их эфиры.Например, используют эфиры циклической трифосфонитрильной кислоты МР, (ОК), и 1 Х 1 зРа (ОК) з (ОК )б - а, где а = 2 - 3, К 7С 2 Нв, СаНт, СзН-; К = С 4 Н 9, СзН- и эфиры полифосфонитрильной кислоты МР (ОК) в, где и = 16, К = СН и 1"чР(ОК) (ОК") где гп=5 - 7, К=СгН С,Н.-; К =СоНа.Эфиры фосфонитрильных кислот могут быть синтезированы любыми известными способами, например, из фосфонитрилхлоридов и алкоголятов натрия в спиртовой среде. Композиции готовят, расходуя 30...
Предыдущий патент: Силовой очиститель жидкости для систем пылеподавления горных машин
Следующий патент: Способ изготовления активного элемента лазера на парах щелочноземельных металлов
Случайный патент: Планетарная мельница