Мощный планарный транзистор
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.
Описание
Целью изобретения является повышение надежности путем повышения стабильности тока транзистора.
На фиг. 1 и 2 представлены варианты планарного транзистора.
Мощный планарный транзистор содержит подложку-коллектор 1, например, n-типа проводимости, в которой выполнены область базы 2 p-типа проводимости с высоколегированной периферийной областью 3 и диффузионный резистор 4 того же типа. В пределах области базы 2 создана область эмиттера 5 n-типа проводимости. На поверхности структуры имеется диэлектрическое покрытие 6, в котором образованы окна для создания контакта к областям базы 2, эмиттера 5 и к диффузионному резистору 4. Через окна образованы металлический электрод 7 к базе, электрод 8 к эмиттеру 5, совмещенный с первым электродом к резистору 4, и второй электрод 9 к резистору 4.
На фиг. 2 - второй вариант, в котором электроды 8 и 9 выполнены к периферийной области 10 диффузионного резистора 4. Глубина областей 10 должна быть не менее глубины залегания коллекторного перехода. Такое выполнение транзисторной структуры обеспечивает более высокие пробивные напряжения диффузионного резистора, а также низкие значения контактного сопротивления металл - полупроводник.
При работе транзистора в активном режиме в случае возрастания тока через один из эмиттеров увеличивается падение напряжения на диффузионном резисторе 4, включенном последовательно с этим эмиттером. Одновременно растет и номинал резистора вследствие обеднения приповерхностного слоя диффузионного резистора из-за возрастания потенциала электрода 8, что ведет к резко нелинейному увеличению падения напряжения на резисторе 4 и снижению тока, протекающего через эми
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является повышение надежности путем управления стабилизацией тока. Мощный планарный транзистор содержит коллектор-подложку, область базы с высоколегированной периферийной областью, область эмиттера, диффузионные резисторы, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контактную металлизацию. Диффузионные резисторы соединены с эмиттерной металлизацией, распространенной по диэлектрическому покрытию над резисторами. 2 ил.
Рисунки
Заявка
4005826/25, 08.01.1986
Жильцов В. И, Сивак В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, планарный, транзистор
Опубликовано: 30.10.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1409076-moshhnyjj-planarnyjj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мощный планарный транзистор</a>
Мощный планарный транзистор
Номер патента: 1393264
Опубликовано: 15.09.1994
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, планарный, транзистор
МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на...
Устройство для защиты мощного транзистора
Номер патента: 279783
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, мощного, транзистора
...Выходы блоков 8и 4 через суммирующий блок 5, состоящий из 20суммирующих сопротивлений 6 и 7 и сопротивления 8, присоединены входным к дискриаинатору 9 уровня. Сопротивление 8 является входным для дискриминатора уровня. Выход последнего подклочен,на,вход исполнительного органа 10, с силовым входом кото.рого соединен выпрямитель 11, Выход исполнительного органа подсоединен ко входной.цепи защищаемого транзистора,Сигналы, пропорциональные току и напря женгпо, преобразуются олоками формирования таким образом, чтобы,их величины были равны при максимальном значении тока и напряжения транзистора 1. Когда суммарное напряжение сигналов на блоке 5 превышает порог срабатывания дискриминатора 9 уровня, выходным сигналом его отпирается...
Мощный планарный многоэмиттерный транзистор
Номер патента: 1223796
Опубликовано: 07.01.1990
Авторы: Голованова, Мазель, Никольский, Стесин
МПК: H01L 29/72
Метки: многоэмиттерный, мощный, планарный, транзистор
...13 1 ряжение,Ск (ПФ) Транзисторы по примеру 1 предлагаемогоизобретенияТранзисторы по примеру 2 предлагаемого изобретенияТранзисторы в соответствии с прототипом 900 40 В 1 2 А 46 4,6 420 4,64,6 420 900 40 В; 2,5 А 500 40 В 2 А 4,7 4,7 540 тора с балластными резисторами согласно изобретению (пример 2),На фиг, 5 изображен разрез по области эмиттера структуры планарногомногоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),На Фиг, 6 изображен разрез по области базы структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),Транзистор содержит полупроводниковыгг кристалл 1, область базы 2,область эмиттера 3, эмиттерный контакт 4, общую базовую контактную площадку 5, диэлектрик б, балластныйрезистор 7,...
Способ создания коллекторных областей р-n-р-транзисторов
Номер патента: 1428116
Опубликовано: 10.03.1997
Авторы: Виноградов, Зеленова
МПК: H01L 21/265
Метки: коллекторных, областей, р-n-р-транзисторов, создания
Способ создания коллекторных областей p-n-p-транзисторов, создаваемых на одной подложке с n-p-транзисторами в составе интегральной схемы, включающий создание высоколегированной области коллектора p+-типа вертикального p-n-p-транзистора в подложке, формирование низколегированной области коллектора путем эпитаксиального наращивания пленки n-типа и одновременной диффузии из высоколегированной области коллектора p+-типа, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров интегральной схемы за счет повышения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов, низколегированную область коллектора p-n-p-транзистора создают путем...
Устройство для измерения коэффициента усиления мощных транзисторов на границе насыщения
Номер патента: 519656
Опубликовано: 30.06.1976
МПК: G01R 31/26
Метки: границе, коэффициента, мощных, насыщения, транзисторов, усиления
...и со счетчиком.Известные устройства имеют низкую скорость измерения, что обусловлено ручной установкой равенства напряжения на коллекторе и базе испытуемого транзистора, и невысокую точность измерения вследствие дрейфа измеряемого параметра, вызванного прогревом транзистора на время измерения.Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений.Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены дифференциальный усилитель постоянного тока и амплитудно-временной преобразователь, причем один из входов дифференциального усилителя постоянного тока соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемма для подключения базы соединена с базовым сопротивлением, с входом амплитудно-временного...
Предыдущий патент: Способ локализации радионуклидов в почвах и грунтах
Следующий патент: Порошковый питатель
Случайный патент: Шихта для изготовления электроизоляционной керамики