H01L 23/28 — герметизирующие средства, например герметизирующие слои, покрытия

Номер патента: 1064354

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Альтман, Борг, Головнин, Гордон, Ежкова, Церфас

МПК: H01L 23/28

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...Реэульеэ льтате данной. чистки о разуетсккомпаундов с положительным коэффициентом объемного расширения при т еском к исталлической структурыприбора,Анализ причины эатекания компаПоставленная цель достигаетсятем что в.эластичной каСсете для унда на металлический теплоотвод.герметизации полупроводниковыхпрйбо показал, что процесс затвердеванияи с ячейкой , компаунда в объеме ячейки происхоров, содержащей основание с ячейкодля размещения арматуры полупроводии- дит неравномерно,твердевает открытая поверхностькового прибора и герметиэирующегокомпаунда, ячейка. выполнена в виде 40 компаунда, в результате чего ол тате. чего образудвух соединенных между собой полос- ется .замкнутая о ласть, в квозникает гадростатическое давление,тей,...

Номер патента: 1191988

Опубликовано: 15.11.1985

Автор: Бобков

МПК: B05C 5/02, H01L 21/56, H01L 23/28 ...

Метки: герметизации

...увеличенном масштабе.Устройство содержит основание 1, на котором закреплен пневмоцилиндр 2, на штоке 3 которого установлен пневмоцилиндр 4, имеющий шток 5, и рабочая цилинлрическая камера 6 со штоком 7. Верхняя часть штока 7 подпружинена и упирается в шток 5 пневмоцилиндра 4. Пневмоцилиндры 2 и 4 и рабочая камера 6 соединены с пневмораспределителем 8, соединенным с блоком управления 9. Под рабочей камерой 6 на основании 1 установлен держатель О лля размещения герметизируемых изделий 11. В торцовой стенке 12 рабочей камеры 6 выполнено выпускное отверстие 13 со скосом 4 на внутренней поверхности торцовой стенки 2. Шток 7 рабочей камеры 6 имеет головку 15, имеющую скос 16 на своей цилиндрической поверхности, Скосы 14 и 16 образуют острые...

Номер патента: 1583995

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/28

Метки: интегральная, микросхема

...выводов металлической рамки.Контактные площадки верхней поверхности соединяют через межслойные металлизировачные переходы с контактными площадками нижней поверхности, предназначенными для припайки выводов,Кристаллодержатель может быть выполнен из оксидированного алюминия с метал- лизированной разводкой на его поверхности.Положительный эфект от использования изобретения достигается за счет упрощения сборки конструкции, так как отпадает необходимость в прецизионной сборке и установке выводной рамки и кристалла.Кроме этого, происходит улучшение отвода тепла от кристалла за счет того, что кристаллодержатель обладает хорошей теплопроводностью и тепло передается во внешнюю среду (в том числе к печатной плате) через металлические выводы,...

Номер патента: 1647702

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Блинов, Грушевский, Плешивцев, Шутов

МПК: H01L 23/28

Метки: бескорпусной, полупроводниковый, прибор

...8 из диэлектрика, на котором расположен упрочняющий слой 9 металла, а на периферийной части 10 сетки 8 размещены концы 11 выводов 6,Бескорпусной полупроводниковый прибор работает следующим образом.На полупроводниковый кристалл 4, в котором сформированы активные элементы по металлическим выводам 6, размещенным на двух соосных рамках 2 и 3 и присоединенным к кристаллу 4, подается входной электрический сигнал и напряжение питания. Для исключения короткого замыкания между выводами и кромками кристалла имеется внутренняя рамка 2, внешняя рамка 3 служит для фиксации внешних концов выводов 6 в одной плоскости с целью устранения их замыкания, В результате электро- физических процессов, протекающих в активных элементах, входной сигнал...

Номер патента: 1718303

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Безрук, Благий, Новосядлый

МПК: H01L 23/28

Метки: больших, интегральных, корпус, пластмассовый, схем

...микротрещин в корпусе при термоциклировании, ф-лы, 2 ил,К тыльной стороне выводной рамки 1 приклеивают ободок 2, изготовленный из железоникелевого сплава и имеющий теп- СО локомпенсирующие условные прорези 3, (,) расположенные по периметру зоны монта- ) ка кристалла. Ободок имеет форму шестиугольника, большую ось которого при, приклейке ориентируют вдоль продольной оси выводной рамки, Угол шестиугольникапри вершинах, располокенных на продольной оси выводной рамки, выбирают равным 30 - 400 Для увеличения мощности рассеивания корпуса наружную сторону ободка выполняют с демпфирующей теплопроводящей пленкой из силицида титана, карбида кремния или меди, После насадки кристалла1718303 Составитель С.Манякинедактор И,Шулла Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1798835

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Воеводин, Дохман, Думбров, Запорожский, Касимов, Ковыкин, Шишкин, Шкундин, Юкин

МПК: H01L 23/28

Метки: полупроводникового, прибора

...премикс, а толщину б стенок заготовки выбирают из выражения 0,03-максб0,351 мин, где 1 макс - наибольший линейный размер заготовки стенок корпуса;мин - наименьший линейный размер заготовки стенок корпуса, Полость заготовки заполняют распла влен н ым компаундом и охлаждают. 5 ил 1 табл,1798835 35 Результаты реализации способа изготовления прибора приведены в таблицеПриведенные зависимости установленыэкспериментальным способом.На фиг.1-5 изображена последовательность изготовления полупроводникового .прибора по предлагаемому способу, где 1 - 5плоский элемент основания корпуса, 2 -внутренняя арматура, 3 - выводная рамка,4 - полимерная заготовка стенок корпуса, 5- таблетированный компаунд, 6 - нагреватель 7 - пластмассовый корпус....

Номер патента: 1824657

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Ким, Лившиц, Саттаров, Шмиткин

МПК: H01L 23/28

Метки: аксиальным, выводов, высоковольтных, герметизации, полупроводниковых, приборов, расположением

...исключениявытекания компаунда через боковые вертикальные прорези нами были опробованы30 следующие методы: зажим кассеты в струбцину с одновременным ее прижимом по краям и в центре к плоскому поддону печи;принудительный изгиб кассеты эа счет прижима ее к сферически вогнутой поверхности35 поддона(0,25 м 5 Низгиба- - 0,5 мм); стягивание кассеты эластичным ободом после загрузки арматур. В табл.2 представленырезультаты герметизации по 1 и 2 способам.Данные табл,2 - способ 1 - указывают40 на отсутствие какой-либо закономерности вповедении ячеек при их горизонтальномсдавливании, что обусловлено структурными неоднородностями кассет, разбросомсвойств компаунда. Общая же тенденция45 очевидна: сдавливание кассет с помощьюструбцины не устраняет...

Номер патента: 1498324

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Калинин, Катин, Стадник

МПК: H01L 23/28, H01L 23/48

Метки: герметизации, микросхем, пресс-композицией

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МИКРОСХЕМ ПРЕСС-КОМПОЗИЦИЕЙ, заключающийся в укладке в гнездо нижней части пресс-формы для герметизации теплорастекателя, установке выводной рамки с кристаллодержателем, к дну которого, расположенного ниже плоскости выводной рамки, присоединен полупроводниковый кристалл с проволочными выводами, смыкании верхней и нижней частей пресс-формы и заполнении ее внутреннего объема пресс-композицией, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения вероятности замыкания проволочных выводов на край полупроводникового кристалла и повышения надежности микросхем за счет снижения теплового сопротивления кристалл - корпус микросхемы путем исключения попадания пресс - композиции между кристаллом и...