Патенты с меткой «ingaas»
Способ изготовления структур с p-n-переходом в системе inas ingaas
Номер патента: 1433324
Опубликовано: 20.01.1995
Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 21/208
Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...