H01L 21/336 — с изолированным затвором

Номер патента: 1785049

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Козин, Маринина

МПК: H01L 21/336

Метки: водорода, датчиков, моп-транзисторах

...сечения А-А и Б-Бдатчика после формирования областей 2 ис.тока и стока; подзатворного окисла 11 и алюминиевых шин 4 металлизации и затво ра 12 иэ алюминия; нэ фиг.4 и 5-то же пОсле нанесения защитной пленки 13; на фиг. 6.и 7- то же, после создания фоторезистивной маски 14 с окном 15, соответствующим конфигурации затвора; на фиг. 8 - то 55 на:фиг. 10 - то же, после вскрытия в Защит- м ной йленке окна 8 над участком шийы ме- в вскрывают окно в защитной пленке нэд участком металлизации к затвбру; напыляют пленку палладия, фотолитографией формируют область затвора с перекрытием окна в защитной пленке над участком шиныметаллизации к затвору .и фотолитографией вскрывают окна в защитной пленке над контактными площадками.На фиг. 1 изображен...

Номер патента: 1635830

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/336

Метки: моп, поликремниевыми, резисторами

...ТРЯНЗИСЧ ОРД ПРИ 1111111 К 1 аЛа (юацРИЦа затвора) пг) топологии 2 ики рдгцг) 7 ВУ а при Ркислеиии в режиме 860 С, 150 миц вла)аый кислород 2 В.Таким образом, сильное окисление 1 О Необходимо для улучпеция параметров поликремииевых резисторов, однако оцо ухудюает 1 ардистры И 011-транзисторов,Изобретецюе рдзреюГает данное противорепе езозгОжносгью получеюил сильноокислеццых резисторов и сгабокюслеццых илц цсокислецюпгх затворов 11011- транзисторов. Это позопяет гримецять трдцзисторы с дгццоц пиала 3 мки без ухудгпецця падежости схемы и резисто рд с улучеицыгщ зцдгеГилл ТКС, ТКО с термРвреиециой стдбеьцостью и точностью соглдсовдцил соиротивлеций . в делителях.П р ц 1 е р 1. 11 зготовление ште ГРДЭЦЦХ СХЕИ, СОММЕР)гаИХ ПОЛЮКРЕМНИЕ-...

Номер патента: 1759185

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Нагорный, Плащинский, Санков, Сидоренко

МПК: H01L 21/336

Метки: кмоп-структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП-СТРУКТУР, включающий формирование на пластине монокристаллического кремния I-го типа проводимости пленки защитного диэлектрика, формирование карманов II-го типа проводимости, удаление пленки защитного диэлектрика, формирование пленки подзатворного диэлектрика, формирование областей истока и стока транзисторов с II-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси II-го типа, ее активации и разгонки, формирование областей истока и стока транзисторов с I-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси I-го типа, ее активации и разгонки, формирование электродов затворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения его производительности,...