Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок

Номер патента: 1806419

Авторы: Дехтяр, Квелде, Куницын, Маркелова, Носков, Сагалович

ZIP архив

Текст

/66 ДАРСТВЕННОЕ МСТВО СССР АТЕНТ СССР(71) Рижский технический университет(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА ИОНЛЕНИЯ ПЛЕНОК(57) Использование: в технологии полупроводниковых приборов, в частности в способах контроля процессов ионного травления пленок. Сущность изобретения: облучают пленку ультрафиолетовым излучением. Регистрируют зависимость изменения фототока от времени травления, по виду которой определяют момент окончания процесса. 2 Я МОМЕНТА НОГО ТРАВк жу)4" Изобретение относится к области тех- излучением оптического диапазона, преднологии полупроводниковых приборов. почтительно ультрафиолетовым,Цель изобретения - повышение точно-: При этом энергия бомбардирующегости определения момента окончания про- фотона находится в диапазоне между рабо.цесса ионноготравления пленки.той выхода электрона с пленки и уровнемНа фиг.1 представлен график зависимо- энергии дна валентной зоны пленки,сти фотоэмиссиокного тока от времени до При освещении измеряют ток вторичслучая, когда работа выхода электрона с ныхэлектронов(токфотоэмиссии) взависипленки больше работы выхода электрона с . мости от времени;подложки, где по оси абсцисс отложено вре- . При достижении точки перегиба на этоймя травления, а по оси ординат ток фото- кривой(точки Аи В соответственно на фиг.1эмиссйи; на фиг.2 - такая же зависимость. и 2), т.е. по достижении переходного слоя,; для случая, когда работа выхода электрона изменяютэнергиюбомбардирующегофотос пленки меньше работы выхода электрона - на на величину Лр, удовлетворяющую усс подложки,ловию4 ЭСпособ определения момента окончания процесса ионного травления пленок;- Лр) р 1 - рз 1,осуществляется следующим образом,Образец с тонкой пленкой толщиной, где р 1 - работа выхода электрона с плен и;равной длине свободного пробега электрона, уз - работа выхода электрона подло3 ки, причем измененная энергия фотонат,е. 10 А освещают электромагнитнымудовлетворяет условиюф р+Лр, если р 1 узф 4 -Лр, если р рз Точку перегиба определяют по второй производной 3 1/д Р = О,Таким образом, энергию бомбардирующего фотона надо увеличить при условии,что работа выхода электрона с пленки меньше работы выхода электрона с подложки исоответственно уменьшить при обратномусловии.При этом, тж, за изменение химическойсвязи ответственны валентные электроны,то во всех случаях энергия бомбардирующего фотона должна находиться в диапазонеуровней дна валентных зон соответственнопленки и подложки.Изменение энергии бомбардирующегофотона приведет к скачку тока фотоэмиссии(точки С и О соответственно фиг.1 и 2), азатем ток фотоэмиссии во времени будетлибо монотонно падать (фиг,1), либо возрастать (фиг,2) до достижения постоянногозначения, т,е. до условия 01/д 1 = О, чтосвидетельствует о полном стравливаниипленки,П р и м е р 1. Исследовался образец. тонкой пленки сплава РС-ЗОООК толщиной300 Ао, нанесенной на термически окисленную кремниевую подложку, Фотоэлектрическая работа выхода электрона с подлокки -10 эВ. Образец подвергался ионна-химическому травлению в реакторе установкиУРМ.3.279,026. Травителем являлись ионыгаза ЯГ 6, образующиеся в источнике ионовИИ - 4-0.15 при давлении 10 Па.Контроль ионно-химического травленияосуществлялся каждые 2 минуты, при этомисточник ионов отключался,Образец с пленкой освещался ультрафиолетовым светом, пропускаемым черездифракционный монохроматор и фильтрБС. Энергия бомбардирующего фотонаравнялась, т,е. расположена в диапазоне9,84,954,5 эВ (фотоэлектрическая работа выхода электрона с пленки 4,5 эВ),В процессе освещения измеряли вели.чину фотоэмиссионного тока 1 с пленки сошибкой не более 10%,Достижение точки перегиба на кривойзависимости тока фотоэмиссии от времени(точка А фиг.1) свидетельствует о том, чтодостигнут переходной слой с другой химической структурой толщиной не более 10-20оА. В этом режиме контроль ведут каждые30 с, Энергию бомбардирующего фотонаувеличивают на 5,6 эВ, при этом результирующая энергия бомбардирующего фотонарасполокена в диапазоне уровней энергийвалентных зон подложки и пленки, С помощью монохроматора изменяют зйер 5 гию бомбардирующего фотона и токфотоэмиссии скачкообразно возрастает,а затем монотонно спадает до практически постоянного значения, определенного фоном, Достижение этого значения,10 т.е, д 1/д 1 = О, свидетельствует о полномстравливании пленки,П р и м е р 2; Исследовался образецотонкой пленки РО 2 толщиной 100 А, тер 15 мически выращенный на кремниевой подложке, Фотоэлектрическая работаэлектрона с подлокки 5,1 эВ.Режим травления и период травленияаналогичен примеру 1,20 Тонкую пленку освещали светом по методике, описанной выше, Энергия фотоновравнялась 10 эВ. В процессе травления токфотоэмиссии возрастает, Травление продолжали до достижения на кривой(1) точки25 перегиба (точка В на фиг,2), что свидетельствует о достикении переходного слоя. Затем энергию бомбардирующего фотонауменьшают на величину 4,9 эВ, После изменения энергии бомбардирующих фотонов30 ток фотоэмиссии резко падает (точка О нафиг,2), а затем начинает монотонно возрастать до постоянного значения, что свидетельствует об окончании процессатравления.35 По сравнению с .известными данныйспособ обеспечивает повышение точностиконтроля момента окончания процесса ионного травления на 200 с возмокностью егоприменения при стравливании тонких пле 40онок толщиной менее 100 А .Формула изобретенияСпособ определения момента окончания процесса ионного травления пленок, включающий облучение пленок зондирующим излучением, определение зависимости изменения тока электронной эмиссии от времени травления, по которой определяют момент окончания процесса, о т л и ч а ю. щ и й с я тем, что, с целью повышенияточности определения, в качестве зондирующего используют ультрафиолетовое излу чение с энергией фотона р,удовлетворяющей условию;Р 1фР 2и по достижении значения второй производной функции, отражающей укаэанную зависимость, равного нулю, изменяют энергию Фотона на величину Ьр, удовлетворяющую условиюЛу) 1 р 1 - рэ,где 1 - работа выхода электрона пленки;д)2 - уровень энергии дна валентнойэонь пленки; рз - работа выхода электрона подложки,причем измененная энергия фотонауа удовлетворяет условию:5а ф+Ьр, если р рзрар - Ьр, если р 1 д 10 а момент окончания процесса травления определяют по достижению первой производной указанной функции нулевого значения.

Смотреть

Заявка

4923949, 25.02.1991

РИЖСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ДЕХТЯР ЮРИЙ ДАВИДОВИЧ, КВЕЛДЕ ЮРИС АНТОНОВИЧ, КУНИЦЫН АНАТОЛИЙ ВИКТОРОВИЧ, МАРКЕЛОВА ГАЛИНА НИКОЛАЕВНА, НОСКОВ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ, САГАЛОВИЧ ГЕННАДИЙ ЛЬВОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: ионного, момента, окончания, пленок, процесса, травления

Опубликовано: 30.03.1993

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1806419-sposob-opredeleniya-momenta-okonchaniya-processa-ionnogo-travleniya-plenok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок</a>

Похожие патенты