Тилевов

Номер патента: 1810933

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Гольдберг, Мелебаев, Тилевов

МПК: H01L 31/108

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...структуры на воздухе при тембольшую энергию, до 5 эВ. Иэ-за наличия 20 пературе 60 С в течение щ 20 мин. Его тонкого диэлектрического слоя (3 - 5 нм) ко- толщина определялась методом эллипсоличество горячих электронов, переходящих метрии и -оставляла дд3,5 нм. Ширина в металл, невелико, поэтому коротковолно- запрещенной зоны окисла была определевая (УФ) фоточувствительность достаточно на оптическими измерениями и составляла высокая, В.то же время слой объемного за 5 эВ, что соответствует ширине эапрещенрАда на краях барьерного контакта растянут ной зоны естественного окисла арсенида галза счет выемки, что уменьшает влияние кра- лия.евого эффекта, приводя к значительному . Полупрозрачный барьерный контактсоснижению уровня темнового тока и...