Патенты с меткой «ик-излучения»

Номер патента: 475907

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Валов, Гончаренко, Марков, Рывкин, Ярошецкий

МПК: H01L 31/14

Метки: измеритель, ик-излучения, мощности

...с направлением распространения света в кристалле, и охватывают фотоприемник по всему периметру.Экспериментапьно уствновпено, что при одной и той же длине и площади фотопри емника отношение сигнвп-шум принимает максимальное значение при ориентации кристаппа дырочного германия в нвпрввпе нии оси 111 и имеет минимальную величину дпя ориентации 11001, При этом отношение сигнап-шум дпя фотоприемников с контактами в направлении оси 1 11 Ц воз растает в 2,5 раза, по сравнению с фотоприемниками с контактами в направлении оси475907 Составитепь Г. КорниловаРедактор Г. Яковлева Техред М. Левицкая Корректор Н, Золотовская Заказ 5226/467 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 824836

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильева, Воровьев, Стафеев

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00

Метки: ик-излучения, модулятор

...решетки кристалла) и постоянстве вводимой в кристалл мощности на один носитель заряда е р(р)Е (где р(р) - подвижность дырок, Е - напряженность электрического поля) Ь о (р) падает с ростом дырок в диапазоне р= (1 - 9) 10" см -примерно как Ло р - " (т = 0,5 - О,б 5). Однако величина Ьа р Л (глубина модуляции) при М 1 растет с ростом дырок примерно р"(п=0,35 - 0,5). 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 С другой стороны мощность, выделяемая в единице объема вещества, растет в непрерывном режиме с ростом дырок, что приводит к разогреву кристалла и падению глубины модуляции света.Гаким образом, при модуляции света в непрерывном режиме должна сущестьовать оптимальная область концентраций дырок, для которой достигается максимальная глубина...

Номер патента: 1165163

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Бережинский, Ботте, Липтуга

МПК: G02F 1/29

Метки: дефлектор, ик-излучения

...выноса носителей зависит от направления полей Е и Н. Степень уменьшения концентрации носителей (или истощение кристалла) пропорциональна произведению ЕН и асимметрии скоростей поверхностной рекомбинации, Действительно, чем больше ЕаН, тем больше сила Лоренца, воздействующая на носители, с другой стороны, чем меньше скорость поверхностной рекомбинации на грани, являющаяся генератором электронно-дырочных пар, с которой они увлекаются к противоположной, как это происходит в данном случае, и чем выше скорость рекомбинации этой противоположной грани, где они рекомбинируют, тем больше истощение кристалла, Максимальное изменение показателя преломления Ьп будет наблюдаться при истощении кристалла от равновесной концентрации носителей,...

Номер патента: 1478918

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Ашмонтас, Градаускас, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/10

Метки: ик-излучения, регистрации

...в цепи затвора на инерционность фотоответа,ра ведет к изменению сечения и проводимости канала и соответственнок изменению протекающего в цепи исток-сток тока. Заявляемый способприменим в широком температурном интервале, Высокое быстродействиеобеспечивается тем, что разогревэлектронной подсистемы отличаетсямалой инерционностью (время релак 42,сации носителей по энергии1 О с).Затвор должен быть закорочен с истоком, так как сечение канала и егопроводимость управляются не напряжением на затворе, а разогревом носителей излучением,П р и и е р, Проверка способа была проведена на кремниевых полевыхтранзисторах КП 902, КП 903, КП 302,КП 103, у которых были удалены корпу1478918 свободных носителей и отсутствуетвлияние сопротивления...

Номер патента: 1672403

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Демченко, Коллюх, Липтуга, Малютенко

МПК: G02F 1/29

Метки: дефлектор, ик-излучения

...только в этойобласти происходит изменение показателяпреломления, а следовательно, и нарушение условия полного внутреннего отражения, и луч под углом р 2 выходит изполупроводниковой пластины,Если луч не попадает в область под контактом (или если контакт расположен не вместе падения луча, что одно и то же) онпретерпевает многократные отражения ине вь 1 ходит из полупроводниковой пластины, так как условие полного отражения ненарушается.Для получения заданного угла отклонения луча используется коммутатор, которыйнаправляет импульс напряжения на определенную пару контактов.Для работы дефлектора требуются электрические поля значительно меньшие (отединиц до десятков вольт на сантиметр).П р и м е р 1.,Активный элемент дефлектора выполнен иэ...

Номер патента: 1810932

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Игуменов, Крутоголов, Лункина, Плосконосов

МПК: H01L 31/0352

Метки: ик-излучения, приемника, структура

...Ферми, Е, - дно зоны проводимости, Еч - потолок валентной зоны.Структура содержит подложку 1 из уэкоэонного полупроводникового материала и -типа проводимости, на которую последовательно нанесены дополнительный слой 2 р -типа проводимости, слой 3 р-типа проводимости,Рассмотрим работу заявляемой структуры в фотоприемнике ИК-излучения, где излучение принимается со стороны подложки (хотя структура может работать и при освещении со стороны п-слоя).Воэможность работы структуры в фотоприемнике с засветкой со с 1 ороны подложки обеспечивается тем, что за счет сильного легирования материала подложки примесью п-типа регистрируемое излучение проникает через подложку 1, а за счет того, что толщина дополнительного слоя 0,1-1 мкм - через...

Номер патента: 1514134

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Горлин, Елизаров, Парицкий

МПК: G03B 41/00

Метки: ик-излучения, ионизационного, регистрации, типа, фотографической

1. УСТРОЙСТВО ИОНИЗАЦИОННОГО ТИПА ДЛЯ ФОТОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРАЦИИ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ , содеpжащее pасположенные по ходу излучения систему фокусиpовки, газоpазpядную ячейку, состоящую из фотопpиемника и пpозpачного контpэлектpода с газоpазpядным пpомежутком между ними, pасположенных в газонаполняемой камеpе, систему охлаждения фотопpиемника, узел откачки и нагнетания газа и pегистpиpующее устpойство, отличающееся тем, что, с целью pасшиpения диапазона pегистpиpуемых длин волн и повышения чувствительности, устpойство снабжено экpаниpующей камеpой с фокусиpующим элементом, pасположенной совместно с газонаполненной камеpой в вакуумиpованном коpпусе, пpи этом система охлаждения выполнена в виде магистpали пpокачки жидкого гелия, содеpжащей тpи...

Номер патента: 1477053

Опубликовано: 10.11.1998

Авторы: Виноградов, Калинин, Саприцкий

МПК: G01J 5/50

Метки: ик-излучения, источников, плотности, спектральной, тепловых, энергетической, яркости

Способ определения спектральной плотности энергетической яркости ИК-излучения тепловых источников, заключающийся в сравнении модулированных монохроматизированных потоков излучения от исследуемого источника и модели черного тела (МЧТ) с известной температурой, соответствующей реперной точке температурной шкалы МЧТ, путем синхронного с частотой модуляции детектирования сигналов приемника излучения и определения значения спектральной плотности энергетической яркости (СПЭЯ) по найденному в результате сравнения отношению, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, дополнительно осуществляют сравнение потоков исследуемого источника и МЧТ путем попеременного оптического сопряжения излучения источника и МЧТ с интегральным приемником...