Патенты с меткой «тестовая»

Номер патента: 909110

Опубликовано: 28.02.1982

Автор: Панченко

МПК: E21B 21/06

Метки: жидкость, тестовая

...просеивания1от инородных включений, песок мелетсяна шаровой мельнице в течение 8 чс отбором проб на анализ по фракционному составу через каждые 3 ч,Экспериментальные исследования натестовой жидкости проводятся в следующей последовательности.Над емкостью 1 устанавливается гидроциклон ,Рг = 75 мм). В емкость 1 за-.ливается рассчетное оличество воды.Включается винтовой насос 15 и в гидроциклон 2 подается вода, Из верхнегод сливного патрубка и песковой насадкигидроциклона 2 жидкость возвращаетсяв емкость 1, образуя замкнутый цикл.Отвешивается рассчетное количествокварцевого песка, соответствующее заданной концентрации твердой фазы от 1до 2,5 Ф, вводят постепенно в емкостьв течение 3-5 циклов циркуляции, Этоделается с целью...

Номер патента: 911653

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/00

Метки: микролитографии, разрешающей, способности, структура, тестовая

...проводимости, проводники 3 первого слоя - диффузионные области и"типа проводимости, проводники 4 второго слоя из поликристалического кремния, межслойные контакты 5 .проводников второго слоя к проводникам первого слоя ВК, ЙК, ВК ВкЪ, области,тонкого окисла 6, отверстия 7 для снятия с поверхности тонкого окисла в 25. зоне, общая диффузионная область 8 +и-типа проводимости - область истоков МДП-транзисторов, подзатворные: области 9 " рабочие каналы МДП-транзисторов.На поверхности слоя окисла 1 (фиг.1) кремниевой пластины 2 р-типа проводимосги выполнена тестовая структура, содержащая проводники 3 первого слоя в виде диффузионных областей З 5 д "типа проводимости, проводники 4 второго слоя из поликристаллического кремния, образующие при...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 998974

Опубликовано: 23.02.1983

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/00

Метки: объемного, пластины, полупроводниковой, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...2 В + 2 С области 3,т.е. р = р 35С целью компактности размещенияэлементов на рабочей поверхностипластины контактные зоны могут иметьболее сложный вид (фиг. 3). Здеськаждая из областей 2 и 3 содержитодинаковое количество однотипныхтопологических элементов, т.е. пять.внешний угол О = 900(один внутренний угол Р = 270) .Тестовая структура работает следующим образом.Для каждой области 2 или 3 (фиг.1),контролируемая зона полупроводниковой пластины 5 составлена иэ двух 50параллельно включенных резистивныхчастков: внутренней зоны 11 илиопределякицей объем пластинымежду областью 2 или 3 и ее проекцией на общую контактную область 8; 55 сопротивление у этого объема пластины равное60где- удельное объемное сопротивление пластины Ом м 3 внешней зоны...

Номер патента: 1022082

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Арутюнов, Домнин, Дурнин, Еремин, Фетисова

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: качества, мдп-бис, тестовая, ячейка

...ячейки к асимметрии элементов МДП-БИС, возникающей вследствие рассовмещения фбтошаблонов, растравливания, плохого качества контактов и т.д. При наличии дефектов в МДП-БИС в стоковых или нстоковых областях транзисторов 1,4 возникает асимметрия вольт-амперных характеристик этих транзисторов. Вследствие этого на затворах транзисторов 1,4 при сбалансированных плечах тестовой ячейки (транзисторы 1,2,3, вход 7 и транзисторы 4,5,6, вход 8) возникают разностные или дифференциальные сигналы, которые затем усиливаются на. Стоках транзисторов 1,4. Поскольку затворы транзисторов 2,5 подключены соответственно к стокам транзисторов 4,1 в противоположных плечах тестовой ячейки, то на них образуются сигналы, противоположные по знаку сигналам на их...

Номер патента: 1084701

Опубликовано: 07.04.1984

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/14

Метки: пленочных, резисторов, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...которой расположены последовательно соединенные прямоугольные 4резисторы с одинаковой длиной и разной шириной реэистивных зон (2).Удельное сопротивление и отклонение ширины резистинных эон определяют по формулам на основе изМеренийсопротивления этих зон через контактные площадки, Контактными площадкамив этой тестовой структуре являютсявнешние участки резистинной зоны,вынесенные за пределы реэистивнойэоны и предназначенные для контакти.рования с металлическими зондами,Однако эта тестовая структура непредусматривает учета влияния нарезультат контроля особенностейметаллических пленочных контактовв частности отклонений их размеров,что приводит к большой погрешностипри контроле и практически делаетее неприменимой для контроля...

Номер патента: 884508

Опубликовано: 30.10.1986

Автор: Урицкий

МПК: H01L 29/76

Метки: мдп, структура, тестовая

...ввецению прослойки слаболегированного поликрис таллического кремния р-птипа, а кривая 3 - и-типа). Введение слоя слаболегированного полупроводника приводит к изменению вида вольтфарадныххарактеристик МДП-структуры и позво ляет из анализа таких видоизмененныхфольтфарадных характеристик определить полный заряд в диэлектрике и заряды вблизи границ раздела диэлектрика, Изображенные на чертеже вольтфа радные характеристики нормированы кемкости окисного слоя (диэлектрика) С,Полный заряд О, в диэлектрике Заряд в диэлектрике вблизи границы полупроводниковый кристалл-ди- электрик где Ч - потенциал плоских зон полуапроводникового кристалла. Заряд вблизи внешней границы диэлекгде Ч - потенциал плоских зон вве 45 денного...

Номер патента: 1267303

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Власенко, Дробыш, Притуляк, Суходольский

МПК: G01R 31/28, G01R 31/3177

Метки: качества, мдп-бис, тестовая, ячейка

...4 О сп= К1 зц 1 т ) (2)где ,- ток стока;М - физическая величина порогового напряжения;Ч- напряжение стока;4511 - ширина канала;- длина канала,К - = К - крутизна МДП-транзистора;Ир осК=- в в в " -коээфициент проводимости.50 2 оКак видно из уравнения (2), крутизна определяется отношением ширины канала ИДП-транзистора к его длине и коэффициентом проводимости ККоэффициент проводимости К имеет одинаковую величину для всех транзисторов, расположенных на кристалле независимо от их размеров, так как К3 12зависит от диэлектрической проницаемости подзатворного окисла С , подвижности носителей в канале - М, итолщины подзатворного диэлектрикаоСледовательно, крутизна двух МДПтранзисторов на одном кристалле определяется только отношением...

Номер патента: 1377014

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Волков, Колесникова, Шелепин

МПК: A61B 3/00

Метки: карта, тестовая

...ориентаций, при вертикальном положении испытуемого в обычных наземных условиях визирования.Исследование с помощью предложенной тестовой карты осуществляется следующим образом.Исследование проводится на расстоянии 1,5 м от тестовой карты, которая может быть помещена в аппарат РОТА со стандартной подсветкой. Испытуемому поочередно предлагают назвать один за другим фрагменты решеток в каждом из вертикальных столбцов, начиная предъявление с фрагмента с наименьшим контрастом. Испытуемому с помощью индикатора указывают на идентифицируемый фрагмент. Подтверждением правильной идентификации предъявляемой решетки является указание испытуемым на наличие или отсутствие во фрагменте периодичности и указание испытуемым расположения в ней...

Номер патента: 1044203

Опубликовано: 23.04.1988

Автор: Трегубов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральной, микроструктура, полупроводниковая, схемы, тестовая

...слоев. При просмотре в направлении стрелки этого участка в растровом электронном микроскопе можно одновременно визуализировать (сфотографировать) и возможное место разрыва слоя алюминия накраях диэлектрических слоев, а клинтравления этих слоев, который обычно непостоянен по высоте,Неудовлетворительная форма краевэлементов (козырьки, подтравы и т.д.)создающих ступеньки для алюминиевого слоя, является одной из главныхпричин возможных разрывов последнегои отсутствия контакта с подложкойТаким образом, структура, приведенная на фиг,1, позволяет выяснить технологические причины брака в слоях, прикрытых на рабочем участке интегральной схемы другими слоями, а также может использоваться для отработки технологии, межоперационного и 55(другая...

Номер патента: 1730600

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Плигин

МПК: G01R 27/28

Метки: параметров, плата, свч-транзистора, тестовая

...имеющих то же волновое сопротивление 2 и длину, меньшую или равную длине каждой части микрополосковой линии 1. Симметрично относительно ее концов на тестовой плате расположен третий разомкнутый на конце отрезок микрополосковойлинии 6 с волновым сопрогивлением 2 идлиной, равной длин", каждой части микрополосковой линии 1. При этом расстояниеот его начала до оси микрополосковой линии 1 равно/2, а расстояние от его концадо края расположенной на одной с ним осикороткозамкнутой контактной площадки 3соответствует величине разрыва в серединемикрополосковой линии 1 и должно быть неменее размера корпуса исследуемого транзистора.Измерение параметров рассеяния ВЧи СВЧ - транзисторов в шестиполюсномвключении с помощью предлагаемой платыможет...

Номер патента: 1807427

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Адамов, Ангелова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: металлизации, напряжений, структура, тестовая, электрических, электрооптического

...щуюгальванйческуюсвязьсметаллической рр.1083-1084.шиной, на котором измеряется напряжение, . (54) ТЕСТОВАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ЭЛЕКТРО- и йокрытую слоями диэлектрика и металла,3 ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЗЛЕКТРИЧЕ-. образующими оптическое зеркало для ла- СКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА МЕТАЛЛИЗАЦИЙ зерноголуча, зондирующего указанйый эле- ВИС мент. контроля через подложку. В основе (57) Изобретение относится к электроопти- метода измерений лежит электрооптичеческим измерениям и предназначено для ский эффект, Измерение электрических сиг- ." проведения внутрисхемных .бесконтакт- валов осуществляется в рабочем режиме ных измерений электрических напряже- ИМСбесконтактнымспособомпутемэондиний в интегральных микросхемах(ИМС) на . рования лазерным лучом и анализа...

Номер патента: 1686961

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Аникин, Бутузов, Сапрыкин, Хренова

МПК: H01C 7/00

Метки: величины, плата, пленочных, резисторов, сопротивления, тестовая

ТЕСТОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку с пленочными резистивными элементами прямоугольной формы и контактные площадки, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения величины удельного поверхностного сопротивления, она дополнительно содержит несимметричную микрополосковую линию передачи, выполненную в виде слоя металла на стороне диэлектрической подложки, противоположной размещению контактных площадок, и проводника, контактирующего со всеми пленочными резистивными элементами, причем резистивные элементы объединены в ячейки, соединенные последовательно участками проводника несимметричной микрополосковой линии передачи, контактирующего с каждым пленочным...