Шкрадюк

Номер патента: 1810931

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Вотченников, Осорин, Шкрадюк

МПК: H01L 29/88

Метки: датчик, температуры

...1 и аг - коэффициенты теплового расширения кристалла вдоль и поперек главной кристаллографической оси соответственно (для одноосного кристалла),при нагревании и охлаждении датчика будут отсутствовать термические напряжения, связанные с разностью коэффициентов теплового расширения.Датчик малочувствителен к действию проникающего излучения.При использовании кристалла СаСОз об ласть рабочих температур датчика составляет - 4,2 - 800 К.Датчик может быть выполнен средствами технологии микроэлектроники, при этом кристалл выращивается эпитаксиально, паэ вытравливается ионно-лучевым тра влени 1810931ем, затем распылением наносятся электроды. Датчик может быть выполнен в корпусе интегральной микросхемы, в том числе не-...