Патенты с меткой «поверхностно-барьерный»

Номер патента: 434351

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Крапивин, Малафеев, Юдина, Якобсон

МПК: G01T 1/24

Метки: альфа-детектор, поверхностно-барьерный, погружной

...при этом практически находится в нерабочем состоянии).Для нормальной работы погружных детек торов в режиме программного смещения необходимо, чтобы они были изготовлены из особо чистого кремния и с удельным сопротивлением не менее 2000 ом см.Предлагаемый альфа-детектор отличается 30 от известного тем, что для его изготовления434351 г.7 используют низкоомный и-типа кремний с удельным сопротивлением 100 в 5 ом см.Это позволяет обеспечить непрерывность измерений активности растворов, увеличить чувствительность и повысить точность измерений,Детектор работает стабильно при постоянном обратном смещении 1 - 4 в и не требует подачи прямого смещения с помощью специального коммутирующего устройства для восстановления величины сигнала. Кроме того,...

Номер патента: 401267

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Гольдберг, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/00

Метки: поверхностно-барьерный, полупроводниковый, прибор

...ностно-барьерный прибор; на зана зависимость ширины з401267 Составитель Г, КорниловаРедактор И, Груэова Техрец Н, Андрейчук Корректор А, КравченкоЗаказ 3358/4 Тисвж 976 По е еНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений113035, Москва, Ж, Раушск ДПИСНО 8Совета и откь Министров СССРр етийая наб., д. 4/5, Поверхностно-барьерный прибор выполнениз слоя 1 металла, например золота, создавшего Вьепрямляео 1 ций контакт к слоео полупроводниковогоматериана 2, споа Зметаппа,например индия, соэдаеошего Омич 8 ский. контакт к полупроводниковому материалу; и,тоКоподводов 4 и 5 к металлическим слоям.Прибор работает следующим образом.К токоподводам прикладываеФся напряркение. Если положительньы полюс батареи щасоединен к тркоподводу 5 то чеэез...

Номер патента: 549054

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Волков, Гольдберг, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...ограниченный,с дпинновопновой стороны значением минимальной ширины запретной зоны подупроводника,а с коротковолновой стороны - значениемширины запретной зоны на расстоянии 1 от Пбарьерного контакта (фиг. 2).Работа прибора происходит следующимобразом,Свет падает на широкозонную поверхность полупроводника и погдощается в толще кристалла. При этом генерируются неравновесные носители заряда. Внутоеннее электрическое поле, вызванное градиентом ширины запретной зоны, заставляет эти носителисмещаться в сторону барьерного контакта, 25Если длина смещения меньше Расстоянияот освещаемой поверхности до барьерногоконтакта, то до барьерного контакта дойдеттолько та часть носителей тока, котораясоздана светом, поглощенным в области,...

Номер патента: 660508

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Беркелиев, Гольдберг, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...имеет наибольшее значение минимальнойэнергиипрямых оптических переходови барьерного контакта,50С целью получения селективной фоточувствительности, материал имеетнаименьшее значение минимальной энергии прямых оптических переходов убарьерного контакта.55фотоприемник может быть выполненна основе твердого .раствора СаА 1 Р,где х=0,2 у контакта из золота, Наодной стороне пластины расположен полупрозрачный барьерный контакт, ана другой - омический.При освещении такого прибора светом через полупрозрачный слой металла, создающего барьерный контакт, вполупроводнике образуются носителизаряда, которые разделяются полем потенциального барьера. Если кристаллимеет плавно уменьшающуюся в направлении от барьерного контакта минимальную энергию...

Номер патента: 1810933

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Гольдберг, Мелебаев, Тилевов

МПК: H01L 31/108

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...структуры на воздухе при тембольшую энергию, до 5 эВ. Иэ-за наличия 20 пературе 60 С в течение щ 20 мин. Его тонкого диэлектрического слоя (3 - 5 нм) ко- толщина определялась методом эллипсоличество горячих электронов, переходящих метрии и -оставляла дд3,5 нм. Ширина в металл, невелико, поэтому коротковолно- запрещенной зоны окисла была определевая (УФ) фоточувствительность достаточно на оптическими измерениями и составляла высокая, В.то же время слой объемного за 5 эВ, что соответствует ширине эапрещенрАда на краях барьерного контакта растянут ной зоны естественного окисла арсенида галза счет выемки, что уменьшает влияние кра- лия.евого эффекта, приводя к значительному . Полупрозрачный барьерный контактсоснижению уровня темнового тока и...