Способ получения магнитного поля заданной величины внутри магнитного экрана

(72) Ю,Г,Литвиненко, Э,Т,Могилко, А.С.Пирогов, В,А.Г 1 авлюк и В,П.Семиноженко (56) ХХЧ Всесоюзное совещание по физике низких температур. Секция "Сверхпроводимость". Часть , Л., 1988, с.143 - 144,Введенский В.ЛОжогин В.И, Сверхчувствительная магнитометрия и биомагнетизм. Раздел 3,2. Сверхпроводящие экраны. М.: Наука, 1986, с.72 - 75.(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ЗАДАННОЙ ВЕЛИЧИНЫ ВНУТРИ МАГНИТНОГО ЭКРАНА(57) Изобретение относится к области получения магнитных полей заданной величины с исВол ьзованием явления высокотемпературной сверхпроводимости, Целью изобретения является повышение точности способа. Способ получения магнитного поля задан. ной величины внутри магнитного экрана, включающий охлаждение сверхпроводникового магнитного экрана до температуры ниже критической, при котором в качестве магнитного экрана используют экран из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики, создают внешнее магнитное поле Н, противоположно направленное полю, первоначально находившемуся внутри экрана. причем Нс 1Н 5 Нс 2, где Нс 1 нижнее критическое поле, а Нс 2 - верхнее критическое поле, и по достижении внутри экрана поля заданной величины внешнее магнитное поле выключают. Способ позволяет фиксировать внутри экрана поле заданной.величины, ограниченное лишь уровнем шумов экрана. 1 табл,Изобретение относится к получению магнитных полей заданной величины с использованием явления высокотемпературной сверхпроводимости,Целью изобретения является повышение точности способа.Сущность изобретения поясняется примером реализации способа, Для реализации способа выбирают магнитный экран состава УВа 2 СозОт-У с размерами: внутренним диаметром 8,7 мм, внутренней длиной 54,7 мм и толщиной стенки 3 мм, Темпера-. тура сверхпроводящего перехода Тс - 90 К полная ширина перехода Тс 50 = 3 К, коэффициент экранирования К10, нижнее критическое поле Нс 1 = 11,8 Э. Измерение напряженности поля ведут феррозондовым датчиком, а его изменение - ВТСП сквидом.Внешнее магнитное поле в экране создают соленоидом с внутренними размерами 70 х 600 мм, постоянная соленоида 0,353 Э/ма, Направление внешнего поля изменяют изменением направления тока в соленоиде.При охлаждении экрана до 77,4 К (температура жидкого азота) в неэкранированном пространстве в экране захватывается магнитное поле Земли с продольной составляющей 0,46 Э. При изменении внешнего магнитного поля Нвнеш создаваемого соленоидом, от 0 до - 11,0 Э поле внутри экрана остается неизменным и равным 0,46 Э,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР1639363 Из таблицы следует, ч ния поля наЬ Н= 0,1 экрана уменьшается и чере ся равным чувствительност го датчика - 2,2 10 2 Э, С по показаниям феррозонд тается на уровне его чувст о после измене- Э поле внутри 8 мин становит- и феррозондововременем поле вого датчика осительности в теоставитель А,Семеновехред М.Моргентал Корректор С.Юск Н.Кол Реда аказ 1968 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 10 При изменении внешнего магнитного поля до Нвнещ. - 12,18 Э поле внутри экрана в течение 5 мин устанавливается равным Ненутр, = 11,110 Э.Затем внешнее магнитное поле увеличивают по абсолютной величине до Нвнеш, = -12,39 Э, при этом поле внутри экрана уменьшается, оставаясь направленным в противоположную сторону по сравнению с внешним, Поле внутри экрана постоянно измеряется феррозондовым датчиком, Результаты измерений приведены в таблице, где Н 8 нутр, - поле внутри экрана, Ь - интервал времени измерениями. чение 1 ч, Если увеличить внешнее поле поабсолютной величине до Нвнеш. = -12,5 Э; тополе внутри экрана начинает увеличиватьсяпо абсолютной величине, изменяя знак на5 противоположный, в данном случае через 2мин оно равно Нвяутр. =-510 Э, через 3мин =-7,8 10 Э, т.е. внутреннее поле про шло через нулевое значение.Чем выше чувствительность прибора,10 измеряющего внутреннее магнитное поле,тем, меньшее значение поля возможно зафиксировать, Для этого при достижении заданного значения внешнее поле выключается.Тогда в магнитном экране фиксируется по 15 ле, которое было в момент выключениявнешнего поля. Это значение ограниченошумом экрана. По данным ВТСП сквида,измеряющего изменения магнитных полей,шум в экране меньше 10 Э. Следовательно, в20 экранедостигаетсямагнитный вакуум 10 Э.Формула и зоб рете н и яСпособ получения магнитного поля заданной величины внутри магнитного экрана,включающий охлаждение сверхпроводникового магнитного экрана до температуры ниже критической, о т л и ч а ю щ и й с я тем,. что, с целью повышения точности способа,в качестве магнитного экрана используютэкран из высокотемпературной сверхпрово 30 дящей керамики, создают внешнее магнитное поле Н, направленное противоположнополю, первоначально находившемуся внутри Экрана, причЕм Нс 1ННс 2, гдЕ Нс 1. -нижнее критическое поле, а Нс 2 - верхнее35 критическое поле, и при достижении внутри.экрана поля заданной величины внешнеемагнитное поле выключают,