H01L 27/098 — полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...