Фирцак

Стекло для акустооптических устройств

Номер патента: 1781986

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Зубринов, Куценко, Семенов, Сопко, Туряница, Фирцак, Шелопут

МПК: C03C 3/32

Метки: акустооптических, стекло, устройств

Стекло для акустооптических устройств, включающее теллур, отличающееся тем, что, с целью повышения акустооптической добротности, оно дополнительно содержит кремний при следующем соотношении компонентов, ат.%:Теллур - 75 - 85Кремний - 15 - 25

Способ декоративной обработки карбонатного камня

Загрузка...

Номер патента: 1812177

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Вайданич, Куценко, Фирцак

МПК: C04B 41/65

Метки: декоративной, камня, карбонатного

...механической энергии ручного труда и процесс проходит длительное время.Повышение качества продукции обеспечивается за счет смывания с поверхности продуктов реакции раствором стирального порошка и водой,П р и м е р, Плиту, пиленную из Енокованского мрамора, по боковым граням об-матывают полимерной электроизолентой так, чтобы край изоленты был на уровне поверхности, которая будет подвергаться обработке. На поверхность наносят изображение серой эмалью марки АС 1115, Плиту помещают в полиэтиленовую ванну обрабатываемой поверхностью вниз на подставках по углам и наливают раствор соляной кислоты (полученной разбавлением концентрированной кислоты водой в объемном соотношении 1:1) до уровня необходимой глубины рельефа,В1812177 Составитель...

Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1811044

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Заславский, Фирцак, Шахайда

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...Переменный шаг гофр 7 обоснован соображениями переменной интенсивности теплового поля, уменьшающейся внаправлении от источника тепла. Наличиедополнительных воздушных каналов 5 обосновано соображениями усиления активности воздушных потоков, Для радиаторов, 45работающих без принудительного обдува, вусловиях естественной конвекции, данныевоздушные потоки могут без дополнительных затрат усилить эффект охлаждения тепловыделяющих полупроводниковых 50приборов,Технико-экономическая целесообразность применения заявляемого способаобусловлена простотой и технологичностьюизготовления радиаторов из штампованных 55 гофрированных элементов, имеющих низкую металлоемкость, а также возможность получения компактных радиаторов для работы с приборами...

Халькогенидное стекло

Загрузка...

Номер патента: 1694496

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Баран, Куценко, Тимко, Фирцак, Шукалюк

МПК: C03C 3/32

Метки: стекло, халькогенидное

...=1,1 мкм стекло имеет следующий состав, ат.0: бе 15 - 17;ЯЬ 24 - 26; Яе 58- 59. 1 ил., 1 табл. Синтез шихты и варка стекол проводились в предварительно дегаэированных кварцевых реакторах из исходных ингредиентов Се, ЯЬ, Яе особой чистоты. Для этого шихта в вакуумированном до 10 4 торр кварцевом реакторе нагревалась в электрической печи со скоростью 600 град/ч (в области температур 20-400 С), 200 град/ч (400 - 600 С), 100 град/ч (600-900 С) и с последующими выдержками при 400 С - 4 ч, 600 С - 6 ч и 900 С - 5 ч. Перемешивание расплава проводилось методом гидродинамического удара. Охлаждали расплав со скоростью ч =200 град/ч до температуры г=тд+15 С, далее,со скоростью ч 2=10 град/ч до т=щ -50 С (температура наиболее быстрого снятия...

Способ определения кислотоустойчивости эмали зуба и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1685403

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Горзов, Потапчук, Савченко, Фирцак

МПК: A61B 6/00

Метки: зуба, кислотоустойчивости, эмали

...1 рОходит светоВОД 7, падзгэт на исследуемьгй Обь 8 кт 9 и,отразившись от поверхност 1 х эмали под разными углами, в результате диффузионногорассеяния света, части.но поглсщзетсг насадкой 8, а частично возаргнцаетсг обратнов световод 7, затемгзтг)азившись от пог 1 упроэрачного зеркала 6, фокусируется линзой 11 и регистрируеп;я фотоприемником14. Сигналснимаемый с фотоприемника 13,пропорционален падающем,г световому готоку, а сигнал, снимаемый с г)отоп риемника14, пропорционалсн отгЯж 61-ному и)гнялгР,Р 81 уЛИроВОЧНая ДИафраГМЯ 12 Глужит дяг)компенсации электричекого сигнала в цепи фотоприемника 13. ля странения влияния Отряж 8 ннОГО светОВОГО потока эа счеткровонзполнения зуба и и" Люч 8 ния влияния нестабильности) Осветлт 8 ля...

Устройство для измерения внутренних напряжений в покрытиях

Загрузка...

Номер патента: 1652814

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Анчугин, Савченко, Салищев, Трунов, Фирцак

МПК: G01B 11/16

Метки: внутренних, напряжений, покрытиях

...выемкой, проходит его и попадает на подложку с покрытием. Излучение отражается от сферической выемки и от подложки с покрытием. Совмещают отраженные части излучения наэкране системы регистрации и получают интерференционную картину, покоторой определяют внутренние напря-.жения. 1 з,п. ф-лы, 2 ил. довлетворяющим соотноше К-Ьгде К - радиус сферическойЬ - ее глубина,онсольный зажим 8, предкадля крепления подложки 2 сием и размещенный на держУстройство работает слеазом.Излучение лазера 1 напрма 8 на расстоянии, равном двумтретьим расстояния между зажимом 8 иопорой 4, Окрестности этой точки образуют зону измерений, Часть излучения отражается от подложки 2 с покрытием, а часть отражается сйеричЕской выемкой 1. Перемещая блок...

Способ определения внутренних напряжений в покрытиях

Загрузка...

Номер патента: 1649310

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Анчугин, Савченко, Трунов, Фирцак

МПК: G01L 1/00

Метки: внутренних, напряжений, покрытиях

...в наносимом покрытии имеются внутренние напряжения, то на подложку оудут со стороны покрытия действовать две силы: первая - растущая иропорцио1649310 формула изобретения 10 Составитель В. ГодзиковскийРедактор С. Лисина Техред А. Кравчук Корректор Л. ПатайЗаказ 15 14 Тираж 362 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 нально времени, и вторая - периодическая с периодом, равным периоду изменения скорости нанесения покрытия при модуляции. Под действием указанной периодической силы возникают изгибные колебания подложки, амплитуду которых измеряют например с помощью...

Способ декоративной обработки карбонатного камня

Загрузка...

Номер патента: 1458357

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Вайданич, Стойка, Томей, Фирцак

МПК: C04B 41/65

Метки: декоративной, камня, карбонатного

...изображения. Гладкая обрабатываемая поверхность получается из-за скопления углекислого газа в углублениях поверхности, вследствие чего воздействия кислоты не происходит. Углубление, окаймпяюще полученное изображение, образуется иэ-за более высокого значения скорости реакции между веществом камня и кислотойП р и м е р. Плиту, пиленную из Енокованского мрамора, по боковым граням обматывают полимерной электроизолентой так, чтобы край изоленты был на уровне поверхности, которая будет подвергаться обработке. На по:верхность наносят изображение серой,эмалью марки АС 1115. Плиту помещают в полиэтиленовую ванну обрабатываемой поверхностью вниз на подставках по углам и наливают раствор со 5 ляиой кислоты (полученной разбавпеяи: ем...

Способ изготовления ленточных разрезных магнитопроводов

Загрузка...

Номер патента: 1086505

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Герман, Лукша, Повхан, Рыжак, Савченко, Тупало, Феннич, Фирцак, Эрдевди

МПК: H02K 15/02

Метки: ленточных, магнитопроводов, разрезных

...симметрично относительно линии разрезки, разреэку магнитопровода, от жиг и обработку стыкуемых поверхностей в местах разрезки, скрепление витков производят с обоих торцов, а приобработке стыкуемых поверхностей сварные швы на одном из этих торцов удаля ют путем снятия фасок.1Сварку осуществляют излучением лазера, работающего в режиме свободнои генерации с плотностью мощности излучения в пятке фокусировки 610812 10 Вт/ . На фиг. 1 показан витой магнитопровод, скрепленный сваркой по его торцам; на фиг, 2 - то же после разрезки магнитолровода; на фиг. 3 - то же,после разрезки магнитопровода и снятияфасок,На магнитопровод, полученный путем навивки, наносят с помощью лазера, работающего в режиме свободной генерации, при плотности...