Магниторезистивный датчик
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)М Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, датчиках перемещения, устройствах измерения постоянного и переменного магнитных полей,Цель изобретенйя - упрощение устройства,Изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1.показана структура датчика в разрезе; на фиг. 2 - принципиальная схема датчика; на фиг, 3 - элементы магниторезистивных сопротивлений; на фиг. 4 - топологии магниторезистивных элементов,Магниторезистивный датчик содержит подложку 1, на которой последовательно сформированы диэлектрический подслой 2, магнитная пленка 3, разделительная пленка 4, магнитная пленка 5, изолирующий слой 6, слой проводников с контактами 7 и защитный слой 8, Структура датчика представляет собой мостовую схему, включающую четыре контакта 9-12, четыре магниторезистивных элемента 13 - 16, имеющих разные характеристики относительно внешнего магнитного поля в определенном направлении. госудлгстзгнног. пдтентногВедОмстВО сссГГОГПАтент сссР).5 Ц 1807534 А 1(57) Использование: область автоматики, а именно для измерения магнитных полей и частоты вращения, Сущность изобретения: датчик значительно проще в изготовлении при тех же технических характеристиках. Это достигнуто благодаря тому, что в магниторезистивном датчике применена структура с двухслойными магнитными пленками, разделенными слоем резистивного материала с удельным сопротивлением, по крайней мере в три раза превышающем удельное сопротивление магнитной пленки. 4 ил,Устройство работает следующим образом. При отсутствии. в датчике постоянного электрического тока, протекающего через контакты 9, 11, намагниченность в магниторезистивных элементах 1 - 16 устанавливается в двухслойных магнитных пленках вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) и антипараллельно.друг другу. При подаче постоянного электрического тока в. датчи к воздействием воз н икающих магнитных полей от токов в различных магнитных пленках на намагниченность датчика можно пренебречь, . т,к, эти поля много меньше поля анизотропии, Пусть внешнее магнитное поле подается в плоскости датчика под углом а к ОЛН, В идеальном случае. когда толщины магнитных, пленок одинаковы, размагничивающих полей нет, и перемагничивание происходит когерентным вращением. Под действием внешнего магнитного поля намагниченность отклоняется на угол /3 а, при этом изменение сопротивления в маг-.ниторезистивном элементе 16 - з 1 п ф а в элементе 13 - соз ф Таким образом, раз 2ност. напряжений на контактах 10, 12 будет (воз /3 з 1 п- ф, При использовании рези.2стивного материала с удельным сопротивлением, по крайней мере втрое большим, чем удельное сопротивление магнитной пленки. небольшой ток будет протекать по разделительному слою, что приведет к уменьшению тока через магнитные пленки, т.е, не.большому уменьшению сигнала считывания, но при этом отпадает ряд технологических операций по формированию отверстий в разделительном слое в случае диэлектрика,Таким образом, при тех же технических характеристиках предлагаемое устройство существенно проще в изготовлении,Формула изпбреения Магниторезистивный датчик содержащий подложку с диэлектрическим покрыти5 ем, поверх которого последовательнорасположены первая магнитная, разделительная и вторая магнитная пленки. изолирующий, проводниковый и защитный слои,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью10 упрощения технологии изготовления датчика, разделительная пленка выполнена изматериала, удельное сопротивление которого не менее чем в три раза превышаетвеличину удельного сопротивления магнит- .15 ной пленки,иг.4 едактор рушенко Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 1383 ВНИИПИ Госу Составитель В, ЮдинаТехред М.Моргентал Корректор М, Тираж Подписноевенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5
СмотретьЗаявка
4935432, 12.05.1991
ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ УПРАВЛЕНИЯ
КАСАТКИН СЕРГЕЙ ИВАНОВИЧ, МУРАВЬЕВ АНДРЕЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 43/08
Метки: датчик, магниторезистивный
Опубликовано: 07.04.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1807534-magnitorezistivnyjj-datchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магниторезистивный датчик</a>
Способ измерения эффективного магнитного поля одноосной анизотропии в магнитной пленке
Номер патента: 1765847
Опубликовано: 30.09.1992
МПК: G11C 11/14
Метки: анизотропии, магнитного, магнитной, одноосной, пленке, поля, эффективного
...во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное...
Способ автоматической компенсации действия в заданной точке магнитного поля источника с постоянным распределением вектора относительной объемной намагниченности
Номер патента: 124527
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Михлин
МПК: G01R 33/02
Метки: автоматической, вектора, действия, заданной, источника, компенсации, магнитного, намагниченности, объемной, относительной, поля, постоянным, распределением, точке
...девять сигналов, определяющих составляющие поля помех в трех точках, где расположены эти зонды. Указанные сигналы подаются в специальный счетнорешающий узел, который автоматически обеспечивает требуемую компенсацию. В том случае, если направление оси одного из чувствительных зондов, располагаемых между источником и заданной точкой, совпадает с направлением поля в какой-либо точке источника, можно применить только один чувствительный зонд, выходной параметр которого используется для формирования только трех сигналов, которые и обеспечивают компенсацию действия магнитного поля источника в заданной точке.124527 Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н, С. Кутафина Гр,...
Способ магнитно-абразивной обработки внутренних поверхностей полых немагнитных деталей типа тел вращения
Номер патента: 1773696
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Болкисев, Иванов, Ищенко, Нестеров
МПК: B24B 31/112
Метки: внутренних, вращения, магнитно-абразивной, немагнитных, поверхностей, полых, тел, типа
...зерен в рабочих зазорах и участ"е всех зерен в обработке.Выступ - концентратор магнитного поля выполняют в виде винтового выступа прямоугольного профиля, Для получения максимальной производительности угол наклона винтовой поверхности выбирают равным углу наклона главного вектора скорости оправки, определенному из назначен и ых режимов об работ ки.Поскольку при обработке крупногабаритных деталей скорость их вращения по крайней мере на порядок меньше скорости вращения оправки (например, соответственно 0,004.0,01 и 0,8.,;2,5 м/с), можно считать, что скорость резания примерно равна скорости вращения оправки Ч 6 =-Чр, В таком случае направление главного вектора скорости оправки совпададт с направлением вектора скорости обработки...
Способ измерения напряженности стартового поля магнитной пленки
Номер патента: 446003
Опубликовано: 05.10.1974
Автор: Абакумов
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитной, напряженности, пленки, поля, стартового
...этой целью об изменениимагнитного состояния пленки судят по изменению индуктивностисистемы катушка - пленка.Индуктивность системы катушка- пленка является суммой двухвеличин: неизменной индуктивностсамой катушки и индуктивности,вносимой в систему магнитнойпленкой и зависящей от ее магнитного состояния,Способ измеренйя с т всле ующем.енку насыщают магнитным полем в направлении полосовыхдоменов, Затем поле снимают иизмеряют значение индуктивностиСоставитель Г. Заг Ц ЬНЫйРелакор Е,СОТНИК Техрел ЛПОТа ПОВН Корректор Н БЕЛЯВСКая Иал Мц 171 Тираж 6 В Подписное 1 О 1 ИИ 1 П 1 Госуларстяенного коиигла Сонета Министров СССР но лслаи изобретений и открытий Москва, 113035, Раугнская иаб., 4 Прслнрнятис Патент, Москва, Г.59, Ьережковская наб., 24...
Способ контроля поля анизотропии цилиндрических тонких магнитных пленок по длине
Номер патента: 468200
Опубликовано: 25.04.1975
Авторы: Лысый, Штельмахов
МПК: G01R 33/00
Метки: анизотропии, длине, магнитных, пленок, поля, тонких, цилиндрических
...намагничиваюшего поля.Если кривую намагничивания вдоль трудной оси представить в виде ломаной линии, первый участок которой проходит через начало координат под некоторым углом, а второй параллелен оси абсцисс, то пересечение обоих участков происходит в точке с координатами, соответствующими полю анизотропии (Нк) и индукции насыщения (ЬС),При воздействии на участке пленки синусоидального намагничивания поля индукции в пленке будет изменяться по гармоническому закону только на линейном участке кривой намагничивания. На втором участке кривой в ее составе появляются нечетные высшие составляющие, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составе вторичной, д. с, намагничиваюшего тока также повляются гармонические...
Предыдущий патент: Способ плазменного травления арсенида галлия с собственным окисным слоем
Следующий патент: Режекторный фильтр
Случайный патент: 189643