H01L 31/101 — чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению

Номер патента: 1806425

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Васильев, Волков, Теруков

МПК: H01L 31/101

Метки: полупроводниковый, фотоприемник

...Это приводит к.тому, что при прочих равных условиях фотоносители в аморфном полупроводнике рождаются значительно ближе к поверхности раздела металл-полупроводник и долкны уходить в металл, Это обстоятельство и является прйчиной падения квантовой эффективности в фотоприемниках из кристаллических полупроводников и а - 5:Н в Уф-области,Благодаря предложенной совокупности признаков мы впервые выявили свойство, состоящее в том, что этот неблагоприятный фактор полностью и с избытком компенсируется крайне малыми длинами свободного пробега фотоносителей в сплавах а - %1-хСх.Н из-за чего, рождаясь даже очень близко к поверхности раздела, они не могут ее достичь и выйти в металл, а также рекомбинировать на поверхности, Для...