Гибридная интегральная схема
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1808148
Автор: Пырченков
Текст
(5)5 Н 01 1 27 НИЕ ОБРЕТЕ ОП сч,3 ;=.а,фзс;ТЕН(54) ГИБРИДН (57) Сущность мы установлен тектического коммутация н планарной тех ложка являетс лиИ Изобр ронике и м готовлени Целью ние прочнм.ека 2 также ания при со овЗсней, ество слоев ы писталколич ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(71) Институт точной механики и вычительной техники им, С.А,Лебедева(73) Институт точной механики и вычительной техники им, С.А,Лебедева(56) 1, Патент США М. 4766670, кл. Н3/34, 1988.2. Заявка Великобритании ч. 1426кл, Н 01 1 27/12, 1974. тение относится к микроэ ожет быть использовано пр гибридных интегральных с изобретения является пов сти,На чертеже изображена гибридная интегральная схема, содержащая керамическое основание 1, металлическую подложку 2. В металлической подложке 2 установлены полупроводниковые кристаллы 3 с нижней поверхностью 4 и лицевой поверхностью 5, причем лицевая поверхность 5 полупроводниковых кристаллов 3 находится на одном уровне с поверхностью металлической подложки 2, Выводы 6 питания полупроводниковых кристаллов 3 соединены с металлической подложкой 2, Элементы 7 многослойной коммутации расположены на планарной поверхности подложки с полупроводниковыми кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой находятся полупроводниковые кристаллы 3, является своеобразным теплорассекателем для теплонагруженных элементов, создающим одинаковый температурный режим работы кристаллов 3.Металлическая подлож выполняет функции шин т единении выводов 6 кри л Это позволяет сократить тонкопленочных проводников и снизить токовую нагрузку,1808148 Составитель В,Перченкактор Л.Волкова Техред М,Моргентал рре апп аказ 1401 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул Гагарина 1 п Таким образом, предлагаемая конструкция гибридной интегральной схемы при упрощении повышает ее надежность,Формула изобретения Гибридная интегральная схема, содержащая металлическую подложку с запрессованными в ней полупроводниковыми кристаллами и элементы многослойной коммутации, о т л ич а ю ща я с я тем, что, с целью повышения прочности, введено керамическое основание, с которым соединена подложка, верхняя плоскость которой выполнена на. одном уровне с лицевой поверхностью кристаллов, при этом одноименные выводы питания кристаллов соединены с металлической подложкой.
СмотретьЗаявка
4893694, 26.12.1990
ИНСТИТУТ ТОЧНОЙ МЕХАНИКИ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ ИМ. С. А. ЛЕБЕДЕВА
ПЫРЧЕНКОВ ВЯЧЕСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 27/12
Метки: гибридная, интегральная, схема
Опубликовано: 07.04.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1808148-gibridnaya-integralnaya-skhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гибридная интегральная схема</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления монолитных интегральных схем
Следующий патент: Соединительный узел центрального проводника коаксиальной линии
Случайный патент: Мотодельтаплан