Олтушец

Номер патента: 1799402

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Волынчиков, Дереченик, Згурский, Ковалевский, Олтушец, Харитончик, Яцук

МПК: C30B 35/00

Метки: осаждения, структур, техники, тонкопленочных, электронной

...смесей на выходе из реактора.Осаждение тонкопленочных структур осуществлялось в установке ИзотронМ с вакуумным агрегатом АРВ - 160 и расходомером типа В-15 и Рагтег 125-Яег ез фирма ЯИп 1 сег Еес 1 г 1 с ЧаП Соарапу на линияхдихлорсилана. моносилана, арсина, фосфина, диборана. Общее давление парогазовой смеси в реакторе поддерживалось в пределах 40120 Па, Скорость подачи газовой или парогазовой смеси через реактор поддерживалась на уровне 60.140 дм /ч. Отходы отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей в процессе осаждения тонкопленочных структур все время откачиваются из реактора и через специальный патрубок вводятся в оросительную колонку противопотоком распыляемому через форсунку раствору-абсорбенту, который...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...